。另选地，子像素可包括白色子像素和颜色转换层，颜色转换层被构造成将从白色子像素发射的白光转换成红光、绿光和蓝光。另外，子像素可被构造成无源型和有源型中的一种。例如，有源型子像素包括:开关晶体管，其被构造成响应于扫描信号传递数据信号；电容器，其被构造成存储对应于数据信号的数据电压；驱动晶体管，其被构造成产生对应于数据电压的驱动电流；有机发光二极管，其被构造成发射对应于驱动电流的光。因此，有源型子像素可被构造成2T1C (两个晶体管和一个电容器)结构，该结构包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器和有机发光二极管。另选地，有源型子像素可被构造成还包括至少一个晶体管和至少一个电容器作为3TIC结构、4T2C结构或5T2C结构等中的一个。此外，子像素可根据其发光方向形成为顶部发光模式、底部发光模式和双发光模式中的一种。
[0034]为了增强发光效率和色坐标，包括在显示面板中的子像素形成微腔体结构和堆叠结构。现在，将详细描述具有微腔体结构和堆叠结构的子像素。
[0035]图3是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的结构的截面图。图4是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的绿色子像素区的结构的截面图。
[0036]参照图3和图4，根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置包括第一电极110，第一电极110形成在被限定成红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区的基板上并且被用作反射电极。另外，有机发光显示装置包括堆叠在第一电极110上与红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区相对的空穴注入层(HIL) 120和第一空穴传输层(HTL)125ο
[0037]第一电极110可被用作有机发光二极管的阳极。另外，可通过在具有高反射率的金属层上堆叠透明导电材料层来形成第一电极110。金属层可由铝Al和银Ag中的一种形成。透明导电材料层可由ITO(铟锡氧化物)和IZO(铟锌氧化物)中的一种形成。
[0038]空穴注入层120可由从包括基于芳胺的材料(诸如，ΝΑΤΑ、2Τ-ΝΑΤΑ和ΝΡΝΡΒ)和ρ掺杂材料(诸如，F4-TCNQ和PPDN)的组中选择的材料形成，但不限于此。
[0039]第一空穴传输层(HTL) 125可由从基于芳胺的化合物、基于星放射状芳香胺的材料(starburst-aromatic-amine-based-material)、基于螺旋梯型材料、NPD (N，N-二萘基-N，N' - 二苯基联苯胺)、s-TAD和MTDATA(4W，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)的组中选择的材料形成，但不限于此。基于芳胺的材料可包括TPD(N，N'-双-(3-甲基苯基)-N，N'-双-(苯基)-联苯胺)、？卩0、11^冊、卩卩0、？-(11110?5和丁八?(:。基于星放射状芳香胺的材料可包括TCTA、PTDATA、TDAPB、TDBA、4-a和TCTA。基于螺旋梯型材料可包括螺旋TPDjIM mTTB和螺旋2。
[0040]第二空穴传输层(R’ HTL) 130和第三空穴传输层(G’ HTL)可形成在第一空穴传输层(HTL) 125上，与红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区之中的红色子像素区和绿色子像素区相对。如需要的，第二空穴传输层(R’HTL、G’HTL*B’HTL)可相互能辨别地形成在第一空穴传输层(HTL) 125上，与红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区相对。
[0041]第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可与红色子像素区和绿色子像素区相对形成在第二空穴传输层130和第三空穴传输层230上并且与蓝色子像素区相对形成在第一空穴传输层125上。第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可由通过接收空穴和电子并且使空穴和电子复合来发射可见光的材料形成。
[0042]第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可被区分为与红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区相对形成的红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。另外，第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可形成为具有互不相同的厚度。
[0043]第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可由本发明的技术领域中熟知的材料形成。例如，第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可由具有优异荧光或磷光量子效率的材料形成。
[0044]另外，第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335可包含磷光掺杂物、具有空穴传输能力的空穴基质材料和具有电子传输能力的电子基质材料。
[0045]具有空穴传输能力的空穴基质材料可包括基于咔唑的基质材料、基于三嗪的基质材料等。另外，具有空穴传输能力的空穴基质材料可包括诸如α-Nro或Tro的基于芳胺的基质材料和诸如TDAPB或TCTA的星放射状芳香胺基质材料。此外，具有空穴传输能力的空穴基质材料可包括诸如螺旋-TAD或0TP-1的螺旋梯型基质材料。此外，具有空穴传输能力的空穴基质材料的空穴迀移率范围可以在大约10_3?10_6Cm2/VS。
[0046]具有电子传输能力的电子基质材料可包括基于咔唑的基质材料、基于三嗪的基质材料等。另外，具有电子传输能力的电子基质材料可包括有机金属化合物、砜衍生物、恶唑衍生物、三唑衍生物、包含二吡啶基的噻咯衍生物、基于苯基苯并咪唑的化合物和芘衍生物。另外，具有电子传输能力的电子基质材料的电子迀移率范围可以在大约10_3?1-6Cm2/Vs0
[0047]作为发光层的详细示例，红色发光层(即，第一发光层)135可由包含CBP (咔唑联苯)和mCP(l，3-双(咔唑-9-基))中的一个的基质材料和包含从掺杂物材料组中选择的至少一种材料的磷光材料形成，掺杂物材料组包括PIQIHacac)(双(1_苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr (acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、BtP2Ir (acac)、PQIr (三(1-苯基喹啉)铱)和PtOEP (八乙基卟啉铂)。然而，红色发光层不限于此。另选地，红色发光层可包括作为上述磷光材料的替代的包含PBD:Eu (DBM) 3 (Phen)和茈中的一种的荧光材料。
[0048]对应于第二有机发光层235的绿色发光层可由包含CBP和mCP中的一种的基质材料和包含诸如Ir (ppy)3 (fac-三(2_苯基卩比啶)铱)、Ir (ppy) 2 (acac)或Ir (mpyp) 3的掺杂物的磷光材料形成。另选地，绿色发光层可包括作为上述磷光材料的替代的包含Alq3 (三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料。然而，绿色发光层不限于这些。
[0049]现在，参照图4，设置在绿色子像素区中的第二有机发光层235可形成为多层结构，在该多层结构中，均具有电子传输能力的第一空穴基质层235a和第二空穴基质层235c堆叠，使掺杂物基质层235b在第一空穴基质层235a和第二空穴基质层235c之间。掺杂物基质层235b可由均具有电子传输能力的电子基质材料和掺杂物材料的混合物形成。
[0050]例如，绿色子像素区内的第二有机发光层235的第一空穴基质层235a可面接触其下方的第三空穴传输层。另外，第二有机发光层235的第二空穴基质层235c可面接触其上方的电子传输层136。
[0051]对应于第三有机发光层355的蓝色发光层可由包含CBP和mCP中的一种的基质材料和包含诸如(4，6-F2ppy)2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)或Ir(dfppz)3的掺杂物材料的焚光材料形成。另选地，蓝色发光层355可包括作为上述磷光材料的替代的包含从包括螺旋DPVB1、螺旋-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、基于PFO的聚合物和基于PPV的聚合物的材料组中选择的材料的荧光材料。然而，蓝色发光层335不限于这些。
[0052]电子传输层(ETL) 136可形成在第一有机发光层135、第二有机发光层235和第三有机发光层335上。电子传输层136可被形成为包括电子注入层(EIL)。
[0053]此电子传输层136可用于容易且平稳地传输电子。电子传输层136可由从包括Alq3 (三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺旋_PBD、BAlq和Salq的材料组中选择的至少一种材料形成，但不限于此。
[0054]第二电极140可形成在电子传输层136上。覆盖层(CPL) 150可形成在第二电极140 上。
[0055]第二电极140可用作阴极。另外，第二电极