柔性基板及柔性显示器件制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种柔性基板及柔性显示器件制备方法。
【背景技术】
[0002]柔性显不器件，如AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting D1de，有源矩阵有机发光二极管)是新一代显示面板，相比于一般的液晶面板，具有反应速度快、对比尚、视角广的优点。
[0003]柔性器件在制备过程中，有柔性基板、柔性TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件层、柔性OLED (Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)器件层等相关技术难点。其中，柔性基板要求良好的热稳定性、水汽阻挡特性以及透光性。
[0004]传统技术中，柔性基板多采用聚合物基板，如PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)基板、PI (聚酰亚胺薄膜)基板等，这些基板需要增加多层复合保护膜来增加水氧阻挡效果，同时其耐温特性不高对基板上的TFT器件层制备有一定挑战性，需要改进TFT器件制备工艺。因此，需要一种柔性基板及柔性器件，能与传统的TFT器件制备工艺相适应，并且保证基板的良好的热稳定性、水汽阻挡特性和透光性。
【发明内容】
[0005]基于此，有必要提供一种柔性基板及柔性显示器件制备方法，应用本发明技术方案，能在与传统的TFT器件制备工艺相适应的同时，保证基板的良好的热稳定性、水汽阻挡特性和透光性。
[0006]一种柔性基板制备方法，包括:
[0007]制备碳化硅薄膜；
[0008]在所述碳化娃薄膜上制备金属薄膜；
[0009]对所述金属薄膜进行刻蚀，形成金属网格。
[0010]在一个实施例中，所述制备碳化硅薄膜的步骤，包括:
[0011]在衬底上旋涂1500?5000nm厚度的碳化硅薄膜，并在300?400°C条件下进行热烘
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[0012]在一个实施例中，所述在碳化硅薄膜上制备金属薄膜的步骤，包括:
[0013]在所述碳化娃薄膜上采用蒸镀或磁控派射的方式制备400?2000nm的金属薄膜。
[0014]在一个实施例中，所述金属薄膜的材质为铜、镍、铝、镆、钛中的一种。
[0015]在一个实施例中，所述金属网格的镂空图形为方形、菱形或六边形；所述金属网格的透光率大于85%，方阻小于ΙΟΟΩ/sq。
[0016]一种柔性显示器件制备方法，包括:
[0017]制备柔性基板，所述制备柔性基板的步骤如前所述；
[0018]在所述柔性基板上制备TFT器件层；
[0019]在所述TFT器件层上制备OLED器件层、封装层。
[0020]在一个实施例中，将所述柔性基板中的金属网格与所述TFT器件层的栅极一体制备。
[0021]在一个实施例中，采用HTM或GTM曝光方式将金属网格与栅极一体制备。
[0022]上述柔性基板及柔性显示器件制备方法中，所制备的柔性基板中含有碳化硅薄膜，具有良好的化学稳定性，能防水防氧，并具有良好的柔性和透光率，金属网格具有良好的耐高温优点，并且具有透光性，相比于传统技术中的基板制备技术，能够与传统的TFT器件制备工艺相适应的同时，保证基板的良好的热稳定性、水汽阻挡特性和透光性。
【附图说明】
[0023]图1为一个实施例中的柔性基板制备方法的流程示意图；
[0024]图2为一个实施例中的柔性基板的结构示意图；
[0025]图3为一个实施例中的柔性显示器件制备方法的流程示意图；
[0026]图4为一个实施例中的柔性显示器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0028]参见图1及图2，在一个实施例中提供了一种柔性基板制备方法。该方法可以应用到半导体显示器件，尤其是柔性显示器件中的基板制备过程中。该方法包括:
[0029]步骤101，制备碳化硅薄膜。
[0030]具体的，本实施例中，如图2，在衬底(如玻璃)上旋涂(Spin Coating) 1500?5000nm厚度的碳化硅薄膜，并在300?400°C条件下进行热烘。碳化硅薄膜具有良好的化学稳定性，能防水防氧，并具有良好的柔性和透光率。
[0031]步骤102，在碳化硅薄膜上制备金属薄膜。
[0032]具体的，在碳化硅薄膜上采用蒸镀或磁控溅射的方式制备400?2000nm的金属薄膜。金属薄膜的材质可以为铜、镍、铝、镆、钛中的一种，优选为镆，成本较低，并且利于与后续TFT器件的栅极金属一体制备。在本步骤中制备金属薄膜，具有良好的耐高温特性。
[0033]步骤103，对金属薄膜进行刻蚀，形成金属网格。
[0034]具体的，金属薄膜具有良好的耐高温特性，但不具备良好的透光率。如图2，本步骤中对金属薄膜进行刻蚀，形成金属网格。金属网格的镂空图形为方形、菱形或六边形。调整金属线条的宽度及镂空图形的大小，使金属网格的透光率大于85%，方阻小于ΙΟΟΩ/sq。
[0035]经过上述步骤101?103，完成柔性基板的制备，后续可将柔性基板从衬底上剥离。
[0036]参见图3及图4，在一个实施例中提供了一种柔性显示器件制备方法。该方法包括下列流程:
[0037]步骤301，制备柔性基板。
[0038]具体的，制备柔性基板的步骤可以参照步骤101?103。其具体过程不再赘述，所制备的柔性基板具有良好的热稳定性、水汽阻挡特性和透光性。
[0039]步骤302，在柔性基板上制备TFT器件层。
[0040]具体的，采用步骤301中的柔性基板的制备步骤，可以与现有的TFT器件制备技术相适应，不必对TFT器件的制备工艺进行改进。并且进一步可以减少工艺流程，例如采用HTM(Half-Tone Mask)或GTM(Gray-Tone Mask)曝光方式，将柔性基板中的金属网格与TFT器件层的栅极一体制备。TFT器件的其它部分可以参照传统技术进行制备，例如依次制备栅极绝缘层、非晶硅层、源极漏极层、钝化层、ITO等。
[0041]步骤303，在TFT器件层上制备OLED器件层、封装层。
[0042]具体的，制备OLED器件层和封装层，可以参照传统技术。例如OLED器件层中包括电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等。封装层采用聚合物薄膜及多层保护膜等等。
[0043]上述实施例中的柔性基板及柔性显示器件制备方法，所制备的柔性基板中含有碳化硅薄膜，具有良好的化学稳定性，能防水防氧，并具有良好的柔性和透光率，金属网格具有良好的耐高温优点，并且具有透光性，相比于传统技术中的基板制备技术，能够与传统的TFT器件制备工艺相适应的同时，保证基板的良好的热稳定性、水汽阻挡特性和透光性。
[0044]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种柔性基板制备方法，其特征在于，包括: 制备碳化硅薄膜； 在所述碳化娃薄膜上制备金属薄膜； 对所述金属薄膜进行刻蚀，形成金属网格。
2.根据权利要求1所述的柔性基板制备方法，其特征在于，所述制备碳化硅薄膜的步骤，包括: 在衬底上旋涂1500?5000nm厚度的碳化硅薄膜，并在300?400°C条件下进行热烘。
3.根据权利要求1所述的柔性基板制备方法，其特征在于，所述在碳化硅薄膜上制备金属薄膜的步骤，包括: 在所述碳化娃薄膜上采用蒸镀或磁控派射的方式制备400?2000nm的金属薄膜。
4.根据权利要求3所述的柔性基板制备方法，其特征在于，所述金属薄膜的材质为铜、镍、铝、镆、钛中的一种。
5.根据权利要求1所述的柔性基板制备方法，其特征在于，所述金属网格的镂空图形为方形、菱形或六边形；所述金属网格的透光率大于85%，方阻小于ΙΟΟΩ/sq。
6.一种柔性显示器件制备方法，其特征在于，包括: 制备柔性基板，所述制备柔性基板的步骤为权利要求1至5任一项所述； 在所述柔性基板上制备TFT器件层； 在所述TFT器件层上制备OLED器件层、封装层。
7.根据权利要求6所述的柔性显示器件制备方法，其特征在于，将所述柔性基板中的金属网格与所述TFT器件层的栅极一体制备。
8.根据权利要求7所述的柔性显示器件制备方法，其特征在于，采用HTM或GTM曝光方式将金属网格与栅极一体制备。
【专利摘要】本发明公开了一种柔性基板制备方法，包括：制备碳化硅薄膜；在所述碳化硅薄膜上制备金属薄膜；对所述金属薄膜进行刻蚀，形成金属网格。本发明还公开了一种柔性显示器件制备方法。应用本发明技术方案，能在与传统的TFT器件制备工艺相适应的同时，保证基板的良好的热稳定性、水汽阻挡特性和透光性。
【IPC分类】H01L51-56, H01L27-32, H01L21-77
【公开号】CN104752487
【申请号】CN201510108575
【发明人】刘海燕, 任思雨, 苏君海, 李建华
【申请人】信利（惠州）智能显示有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年3月12日