140可由具有低逸出功、优异导电率和低电阻的材料形成。更详细地，第二电极140可由与周期表中的第一族对应的碱金属、与周期表中的第二族对应的碱土金属和过渡金属中的一种形成。例如，第二电极140可由银Ag、铝Al、镁Mg、锂L1、钙Ca、氟化锂LiF、铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO及其合金中的一种形成。另外，第二电极140可形成为单层或多层结构。然而，第二电极140不限于这些。
[0056]覆盖层150可由诸如NPD的材料形成。
[0057]因此，本发明的有机发光显示装置可允许通过堆叠单独的空穴基质层和掺杂物基质层来形成绿色子像素区中的有机发光层。如此，可消除发光区漂移故障并且可增强光效率。
[0058]图5是示出根据本发明的第一实施方式的有机发光显示装置的绿色子像素区的电势电平的截面图。
[0059]参照图5，绿色子像素区内的有机发光二极管包括堆叠在阳极El和阴极E2之间的第一空穴传输层HTL、第二空穴传输层G’ HTL、第一空穴基质层(H型基质)235a、掺杂物基质层(G’掺杂物)235b、第二空穴基质层(H型基质)235c和电子传输层ETL。第一空穴基质层235a、掺杂物基质层235b和第二空穴基质层235c可形成绿色有机发光层EML。
[0060]掺杂物基质层235b可由电子基质材料和掺杂物材料的混合物形成。
[0061]如附图中所示，掺杂物基质层(G’掺杂物)235b、第二空穴基质层(H型基质)235c和电子传输层ETL具有互不相同的三重势能Tl。不同于相关技术，具有三重势能Tl的空穴基质层(H型基质)235c插入掺杂物基质层(G’掺杂物)235b和电子传输层ETL之间。如此，可减少能量损失。这是由于第二空穴基质层(H型基质)235c的三重势能Tl高于掺杂物基质层(G’掺杂物)235b的三重势能的事实导致的。
[0062]另外，第一空穴基质层235a和第二空穴基质层235c的三重势能Tl被设置成高于掺杂物基质层235b的三重势能。如此，三重激子可被限制在发光区内。据此，可增强光效率。
[0063]此外，第一空穴基质层(H型基质)235a以界面表面形状存在于第二空穴传输层(G’HTL)和掺杂物基质层(G’掺杂物)235b之间。类似地，第二空穴基质层(H型基质)235c以界面表面形状存在于电子传输层ETL和掺杂物基质层(G’掺杂物)235b之间。如此，可减少因发光区漂移故障造成的光损失。
[0064]图6是示出图3中示出的绿色有机发光二极管的特性的表。
[0065]参照图2的特性表，绿色子像素区内的相关技术元件具有大约95cd/A的电流效率并且在高温驱动可靠性评价时表示大约-14%的电流效率降低。
[0066]然而，如从图6的特性表中看到的，本发明的绿色发光二极管具有大约105cd/A的电流效率，并且与相关技术相比，在高温驱动可靠性评价时表示大约-8%的更小的电流效率降低。
[0067]据此，明显的是，本发明的有机发光显示装置增加了绿色子像素区中的光效率。
[0068]图7是示出根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置的结构的截面图。
[0069]图7的第二实施方式与图3的第一实施方式具有相同的结构，但在第一空穴基质层、掺杂物基质层和第二空穴基质层的堆叠结构中形成全部红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，如同第一实施方式的绿色有机发光层。在没有被指明的情况下，与图3的层具有相同名称的图7的层可由与第一实施方式的材料相同的材料形成。将集中描述与第一实施方式的组件有区别的第二实施方式的组件。
[0070]参照图7，根据本发明的第二实施方式的有机发光显示装置可允许在被限定成红色区、绿色区和蓝色区的基板的整个表面形成第一电极310。均与各个红色区、绿色区和蓝色区相对的第一空穴注入层(HIL) 320和第一空穴传输层(HTL) 325堆叠在第一电极310上。
[0071]第二空穴传输层(R’ HTL) 330和第三空穴传输层(G’ HTL) 430可只与红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区之中的红色子像素区和绿色子像素区相对形成在第一空穴传输层(HTL)325上。根据需要，第二空穴传输层(R’ HTL、G’ HTL和B’ HTL)可与红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区相对形成在第一空穴传输层(HTL) 325上。
[0072]第一有机发光层510、第二有机发光层520与红色子像素区和绿色子像素区相对形成在第二空穴传输层330和第三空穴传输层430以及第三有机发光层530与蓝色子像素区相对形成在第一空穴传输层(HTL) 325上。第一有机发光层510、第二有机发光层520和第三有机发光层530可均由通过接收空穴和电子并且使空穴和电子复合来发射可见光的材料形成。
[0073]第一有机发光层510、第二有机发光层520和第三有机发光层530可被区分为与各个红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区相对形成的红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。另外，第一有机发光层510、第二有机发光层520和第三有机发光层530可形成为具有互不相同的厚度。
[0074]第一有机发光层510、第二有机发光层520和第三有机发光层530可由本发明的技术领域中熟知的材料形成。例如，第一有机发光层510、第二有机发光层520和第三有机发光层530可由具有优异荧光或磷光量子效率的材料形成。例如，对应于第一有机发光层510的红色发光层可由包含CBP(咔唑联苯)和mCP(l，3-双(咔唑-9-基))中的一个的基质材料和包含从掺杂物材料组中选择的至少一种材料的磷光材料形成，掺杂物材料组包括PIQIr (acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr (acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、BtP2Ir (acac)、PQIr (三(1-苯基喹啉)铱)和PtOEP (八乙基卟啉铂)。另选地，红色发光层510可包括作为上述磷光材料的替代的包含PBD:Eu (DBM) 3 (Phen)和茈中的一种的荧光材料。然而，红色发光层510不限于这些。
[0075]设置在红色子像素区中的第一有机发光层510可形成为多层结构，在该多层结构中，均具有电子传输能力的第一红色基质层510a和第二红色基质层510c堆叠，使红色掺杂物基质层510b在第一红色基质层510a和第二红色基质层510c之间。红色掺杂物基质层510b可由均具有电子传输能力的电子基质材料和掺杂物材料的混合物形成。
[0076]如此，红色子像素区内的第一有机发光层510的第一红色基质层510a可面接触其下方的第二空穴传输层330。另外，第一有机发光层510的第二红色基质层510c可面接触其上方的电子传输层236。
[0077]对应于第二有机发光层520的绿色发光层可由包含CBP和mCP中的一种的基质材料和包含诸如Ir (ppy)3 (fac-三(2_苯基卩比啶)铱)、Ir (ppy) 2 (acac)或Ir (mpyp) 3的掺杂物材料的磷光材料形成。另选地，绿色发光层520可包括作为上述磷光材料的替代的包含Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料。然而，绿色发光层不限于这些。
[0078]设置在绿色子像素区中的第二有机发光层235可形成为多层结构，在该多层结构中，均具有电子传输能力的第一绿色基质层520a和第二绿色基质层520c堆叠，使绿色掺杂物基质层520b在第一绿色基质层520a和第二绿色基质层520c之间。绿色掺杂物基质层520b由均具有电子传输能力的电子基质材料和掺杂物材料的混合物形成。
[0079]如此，绿色子像素区内的第二有机发光层520的第一绿色基质层520a可面接触其下方的第三空穴传输层330。另外，第二有机发光层520的第二绿色基质层520c可面接触其上方的电子传输层236。
[0080]对应于第三有机发光层530的蓝色发光层可由包含CBP和mCP中的一种的基质材料和包含诸如(4，6-F2ppy)2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)或Ir(dfppz)3的掺杂物材料的焚光材料形成。另选地，蓝色发光层530可包括作为上述磷光材料的替代的包含从包括螺旋DPVB1、螺旋-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、基于PFO的聚合物和基于PPV的聚合物的材料组中选择的材料的荧光材料。然而，蓝色发光层不限于这些。
[0081]设置在蓝色子像素区中的第三有机发光层530可形成为多层结构，在该多层结构中，均具有电子传输能力的第一蓝色基质层530a和第二蓝色基质层530