c堆叠，使蓝色掺杂物基质层530b在第一蓝色基质层530a和第二蓝色基质层530c之间。蓝色掺杂物基质层530b由均具有电子传输能力的电子基质材料和掺杂物材料的混合物形成。
[0082]据此，蓝色子像素区内的第三有机发光层530的第一蓝色基质层530a可面接触其下方的第一空穴传输层325。另外，第三有机发光层530的第二蓝色基质层530c可面接触其上方的电子传输层136。
[0083]电子传输层(ETL) 236可形成在第一有机发光层510、第二有机发光层520和第三有机发光层530上。另外，电子传输层236可被形成为包括电子注入层(EIL)。
[0084]此电子传输层236可用于容易且平稳地传输电子。电子传输层236可由从包括Alq3 (三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺旋_PBD、BAlq和Salq的材料组中选择的至少一种材料形成，但不限于此。
[0085]第二电极140可形成在电子传输层236上。覆盖层(CPL) 250可形成在第二电极240 上。
[0086]第二电极240可用作阴极。另外，第二电极240可由具有低逸出功、优异导电率和低电阻的材料形成。更详细地，第二电极240可由与周期表中的第一族对应的碱金属、与周期表中的第二族对应的碱土金属和过渡金属中的一种形成。例如，第二电极240可由银Ag、铝Al、镁Mg、锂L1、钙Ca、氟化锂LiF、铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO及其合金中的一种形成。另外，第二电极240可形成为单层或多层结构。然而，第二电极240不限于这些。
[0087]覆盖层150可由诸如NPD的材料形成。
[0088]如上所述，本发明的有机发光显示装置可允许通过堆叠单独的空穴基质层和掺杂物基质层来形成各个红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区中的红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层。如此，可消除发光区漂移故障并且可增强光效率。
[0089]虽然已经参照本发明的多个示例性实施方式描述了本发明，但应该理解，本领域的技术人员可设想到将落入本发明原理的精神和范围内的众多其它修改形式和实施方式。更特别地，在本发明、附图和所附权利要求书的范围内，可以对主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变形和修改。除了对组成部件和/或布置进行变形和修改之外，对于本领域的技术人员而言，替代使用也将是清楚的。
【主权项】
1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括： 第一电极，其被限定成红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区； 空穴注入层，其设置在所述第一电极上； 第一空穴传输层，其设置在所述空穴注入层上； 第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，其分别与所述红色子像素区、所述绿色子像素区和所述蓝色子像素区相对布置在所述第一空穴传输层上方； 电子传输层，其设置在所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层上；以及 第二电极，其设置在所述电子传输层上，其中，与所述绿色子像素区相对的所述第二有机发光层形成为包括第一空穴基质层、第二空穴基质层和掺杂物基质层的堆叠结构。
2.根据权利要求I所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括： 第二空穴传输层，其与所述红色子像素区相对插入在所述第一空穴传输层和所述第一有机发光层之间；以及 第三空穴传输层，其与所述绿色子像素区相对插入在所述第一空穴传输层和所述第二有机发光层之间。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二有机发光层的第一空穴基质层插入在所述掺杂物基质层和所述第三空穴传输层之间。
4.根据权利要求I所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二有机发光层的第二空穴基质层插入在所述掺杂物基质层和所述电子传输层之间。
5.根据权利要求I所述的有机发光二极管显示装置，其中，通过顺序地堆叠所述第一空穴基质层、所述掺杂物基质层和所述第二空穴基质层来形成所述第二有机发光层。
6.根据权利要求I所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二有机发光层的所述掺杂物基质层包括电子迀移率范围是大约10_3?10_6cm2/Vs的电子基质材料。
7.根据权利要求I所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层具有不同厚度并且布置在不同平面中。
8.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括： 第一电极，其被限定成红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区； 空穴注入层，其设置在所述第一电极上； 第一空穴传输层，其设置在所述空穴注入层上； 第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，其分别与所述红色子像素区、所述绿色子像素区和所述蓝色子像素区相对布置在所述第一空穴传输层上； 电子传输层，其设置在所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层上；以及 第二电极，其设置在所述电子传输层上， 其中，与所述红色子像素区相对的所述第一有机发光层形成为包括第一红色空穴基质层、第二红色空穴基质层和红色掺杂物基质层的堆叠结构。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，与所述绿色子像素区相对的所述第二有机发光层形成为包括第一绿色空穴基质层、第二绿色空穴基质层和绿色掺杂物基质层的堆叠结构。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二有机发光层的所述掺杂物基质层包括电子迀移率范围是大约10_3?10_6cm2/Vs的电子基质材料。
11.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，与所述蓝色子像素区相对的所述第三有机发光层形成为包括第一蓝色空穴基质层、第二蓝色空穴基质层和蓝色掺杂物基质层的堆叠结构。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第三有机发光层的所述第一蓝色空穴基质层插入在所述蓝色掺杂物基质层和所述第一空穴传输层之间。
13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第三有机发光层的所述第二蓝色空穴基质层插入在所述蓝色掺杂物基质层和所述电子传输层之间。
14.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置，其中，通过顺序地堆叠所述第一蓝色空穴基质层、所述蓝色掺杂物基质层和所述第二蓝色空穴基质层来形成所述第三有机发光层。
15.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括: 第二空穴传输层，其与所述红色子像素区相对插入在所述第一空穴传输层和所述第一有机发光层之间；以及 第三空穴传输层，其与所述绿色子像素区相对插入在所述第一空穴传输层和所述第二有机发光层之间。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有机发光层的所述第一红色空穴基质层插入在所述红色掺杂物基质层和所述第二空穴传输层之间。
17.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有机发光层的所述第二红色空穴基质层插入在所述红色掺杂物基质层和所述电子传输层之间。
18.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，通过顺序地堆叠所述第一红色空穴基质层、所述红色掺杂物基质层和所述第二红色空穴基质层来形成所述第一有机发光层。
19.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层具有不同厚度并且布置在不同平面中。
【专利摘要】一种有机发光显示装置包括：第一电极，其被限定成红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区；空穴注入层，其设置在所述第一电极上；第一空穴传输层，其设置在所述空穴注入层上；第一有机发光层、第二有机发光层和第三有机发光层，其分别与所述红色子像素区、所述绿色子像素区和所述蓝色子像素区相对布置在所述第一空穴传输层上方；电子传输层，其设置在所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层上；第二电极，其设置在所述电子传输层上。与所述绿色子像素区相对的所述第二有机发光层形成为包括第一空穴基质层、第二空穴基质层和掺杂物基质层的堆叠结构。
【IPC分类】H01L27-32, H01L51-50
【公开号】CN104752486
【申请号】CN201410858366
【发明人】金洸贤
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月24日
【公告号】US20150187848