薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
[0003]近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，尤其是液晶电视发展的更为迅速，液晶电视成为TFT-1XD发展的一个主流。目前世界上最大的液晶电视已经超过100英寸。随着TFTL-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，采用了更高频率的驱动电路，图像信号的延迟变的更为严重，信号延迟成为制约大尺寸、高分辨率TFT-LCD显示效果的关键因素之一。
[0004]TFTL-1XD信号的延迟主要由T = RC决定的，其中R为信号电阻，C为相关电容。在栅电极扫描线打开时，像素开始充电，由于信号延迟，使某些像素得不到充分的充电，造成亮度不均匀，使TFT-LCD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。
[0005]目前，制作TFT-LCD中的导电结构(如栅极、数据线)一般采用化学性质比较稳定的金属(如铜或银)或是其合金，由于TFT-LCD器件的尺寸较小、分辨率比较低，栅极信号的延迟比较小，对器件的显示效果的影响不明显。随着TFT-1XD的尺寸和分辨率不断地提高，栅极扫描线长度也随着增大，信号延迟时间也随之增大，信号延迟增加到一定的程度，一些像素得不到充分的充电，造成亮度不均匀，使TFT-LCD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。
【发明内容】
[0006](一 )要解决的技术问题
[0007]本发明要解决的技术问题是如何提高液晶显示面板中导电结构的信号传输性能，减小信号延迟。
[0008]( 二 )技术方案
[0009]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中，所述栅极、所述有源层以及所述源漏极中的至少一者由透明导电的纳米碳材料形成。
[0010]进一步地，所述透明导电的纳米碳材料至少包括以下的一种:石墨稀、碳纳米管。
[0011]进一步地，所述栅极、所述有源层以及所述源漏极均由透明导电的纳米碳材料形成。
[0012]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极以及上述的薄膜晶体管。
[0013]进一步地，所述栅线、数据线以及像素电极均由所述透明导电的纳米碳材料形成。
[0014]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0015]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0016]在衬底基板上制作薄膜晶体管、栅线、数据线以及像素电极，其中，所述薄膜晶体管的栅极、所述薄膜晶体管的有源层、所述薄膜晶体管的源漏极、所述栅线、所述数据线、所述像素电极均由透明导电的纳米碳材料形成。
[0017]进一步地，所述透明导电的纳米碳材料至少包括以下的一种:石墨稀、碳纳米管。
[0018]进一步地，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管、栅线、数据线以及像素电极包括:
[0019]S1:在衬底基板上形成第一纳米碳材料薄膜，对所述第一纳米碳材料薄膜图案化处理，形成所述薄膜晶体管的栅极和所述栅线；
[0020]S2:在完成步骤SI的基板上形成栅极绝缘层；
[0021]S3:在完成步骤S2的基板上形成第二纳米碳材料薄膜；
[0022]S4:在所述第二纳米碳材料薄膜上形成光刻胶薄膜，对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影后保留所述数据线区域上、所述源漏极区域上、所述像素电极区域上以及所述薄膜晶体管沟道区域上的光刻胶；
[0023]S5:去除所述第二纳米碳材料薄膜上暴露出的纳米碳材料，形成所述数据线、所述像素电极；
[0024]S6:去除掉所述薄膜晶体管沟道区域上的光刻胶，将所述薄膜晶体管沟道区域上的纳米碳材料转化为所述有源层，并同时形成所述源漏极；
[0025]S7:去除剩余的光刻胶。
[0026]进一步地，在步骤S6中，采用离子注入或者等离子体处理工艺使沟道区域的纳米碳材料转化为所述有源层。
[0027](三)有益效果
[0028]本发明提供的薄膜晶体管采用透明导电的纳米碳材料形成，相比现有工艺所采用的金属或合金材料，纳米碳材料不但电阻率更小，而且透明度以及柔韧性更好，因此所得到的薄膜晶体管不但具有更好的信号传输性能，能够有效减小信号延迟，而且还有更好的透光性和柔韧性。
【附图说明】
[0029]图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的局部示意图；
[0030]图2?图8是本发明实施方式提供的一种制作阵列基板的示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0032]本发明实施方式提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极，其中，所述栅极、所述有源层以及所述源漏极中的至少一者由透明导电的纳米碳材料形成。
[0033]其中，所述透明导电的纳米碳材料至少包括以下的一种:石墨烯、碳纳米管。
[0034]优选地，上述薄膜晶体管的栅极、有源层以及源漏极均由透明导电的纳米碳材料形成，从而得到一种全碳基的薄膜晶体管。
[0035]本发明实施方式提供的薄膜晶体管采用透明导电的纳米碳材料形成，相比现有工艺所采用的金属或合金材料，纳米碳材料不但电阻率更小，而且透明度以及柔韧性更好，因此所得到的薄膜晶体管不但具有更好的信号传输性能，能够有效减小信号延迟，而且还有更好的透光性和柔韧性。
[0036]本发明实施方式还提供了一种阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极以及上述的薄膜晶体管。
[0037]优选地，上述阵列基板中的栅线、数据线以及像素电极均由上述透明导电的纳米碳材料形成。
[0038]参见图1，图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的局部示意图，该阵列基板包括栅极2、源漏极、有源层3、像素电极7以及相互交错的栅线I和数据线6，其中，栅极2与栅线I连接，有源层3位于栅极2的正上方并且位于源漏极中的源极4与漏极5之间，源极4与数据线6相连，漏极5与像素电极7相连，并且，栅极2与栅线I为同层结构，源漏极、有源层3、像素电极7以及数据线6为同层结构，两个层结构之间通过栅极绝缘层相隔开，在该阵列基板中，栅极2、源漏极、有源层3、像素电极7、栅线I和数据线6均由透明导电的纳米碳材料形成。
[0039]本发明实施方式提供的阵列基板，其上的栅极、源漏极、有源层、像素电极、栅线和数据线均采用透明导电的纳米碳材料制作而成，使得该阵列基板不但能够减小信号延迟，而且还有更好的透光性和柔韧性。
[0040]本发明实