的材料例如包含硅氧化物。
[0035]在半导体装置I中，如果对集电极10施加高于发射电极11的电位，并且对栅极电极50施加阈值以上的电位，则沿着栅极绝缘膜51在基底区域30形成通道而电流在发射极-集极间流动。
[0036]图3是表示第一实施方式的半导体装置的发射极区域40L及基底区域30间的杂质浓度分布的示意图。
[0037]图3的横轴是图1的点X与点X'之间的距离，纵轴是杂质浓度(单位:a.u.(arbitrary unit,任意单位))。
[0038]此处，所谓“杂质浓度”是指有助于半导体材料的导电性的杂质的实效浓度。例如，当在半导体材料中含有成为供体的杂质与成为受体的杂质时，将除去经活化的杂质中供体与受体的抵消量的浓度设为杂质浓度。
[0039]例如，在半导体装置I中，基底区域30中所包含的杂质浓度的最大值与发射极区域40L中所包含的杂质浓度的最大值大致相等。
[0040]在对半导体装置I的作用进行说明之前，对参考例的半导体装置(IGBT)的动作的一例进行说明。
[0041]图4(a)及图4(b)是表示参考例的半导体装置的动作的一例的示意性剖视图。
[0042]图4 (a)及图4 (b)中，表示对应于所述图2 (c)的朝向的截面。图4 (a)及图4 (b)中所示的半导体装置100中，作为发射极区域，只设置着高浓度的发射极区域40H。其他构成与半导体装置I相同。
[0043]在参考例的半导体装置100中，如果对集电极10施加高于发射电极11的电位，并且对栅极电极50施加阈值以上的电位，则也会沿着栅极绝缘膜51在基底区域30形成通道而电流在发射极-集极间流动。
[0044]例如，如图4(a)所示，从发射极区域40H经由通道向集电极区域20注入电子(e)，从集电极区域20向发射极区域40H及基底区域30注入电子空穴(h)。而且，也存在因雪崩而产生的电子空穴(h)向发射极区域40H及基底区域30流动的情况。
[0045]如图4(b)所示，电子空穴在基底区域21中移行而流入基底区域30。其后，电子空穴(h)到达发射极区域40H的正下方。电子空穴(h)并未越过基底区域30与发射极区域40H之间的能量障壁，而沿着横向移动，经过低电位的基底区域30后流向发射电极11。
[0046]通过该电子空穴(h)的横向移动，在发射极区域40H的下方的基底区域30，产生电压下降。由此，以位于发射极区域40H的下方的基底区域30相对于发射极区域40H成为正极的方式偏压。
[0047]通过该偏压，发射极区域40H与基底区域30之间的能量障壁对于电子(e)而言变低。由此，将电子(e)从发射极区域40H注入基底区域30。
[0048]也就是说，半导体装置100中，除了在基底区域30形成通道供电子电流流动以外，也会产生发射极区域40H与基底区域30之间的能量障壁变低而将电子(e)注入基底区域30的锁定效应。如果产生锁定效应，则无法利用栅极电极50进行启闭控制。
[0049]相对于此，对第一实施方式的半导体装置I的作用进行说明。
[0050]图5(a)及图5(b)是表示第一实施方式的半导体装置的动作的一例的示意性剖视图。
[0051]图5(a)及图5(b)中，示出了对应于所述图2(c)的朝向的截面。
[0052]半导体装置I中，如果对集电极10施加高于发射电极11的电位，并且对栅极电极50施加阈值以上的电位，则沿着栅极绝缘膜51在基底区域30形成通道而电流在发射极-集极间流动。
[0053]例如，如图5(a)所示，将电子(e)从发射极区域40H、40L经由通道向集电极区域20注入，将电子空穴(h)从集电极区域20向发射极区域40H及基底区域30注入。而且，也存在因雪崩而电子空穴(h)向发射极区域40H、40L及基底区域30流动的情况。
[0054]如图5(b)所示，电子空穴(h)在基底区域21中移行而流入基底区域30。其后，电子空穴(h)到达发射极区域40H、40L的正下方。电子空穴(h)并未越过基底区域30与发射极区域40H之间的能量障壁，而经过电位低于发射极区域40H的发射极区域40L后流入发射电极11。而且，一部分电子空穴在基底区域21中移行而流入基底区域30。
[0055]此处，在发射极区域40L与发射电极11的接合部，对于电子(e)而言形成了欧姆接触或萧特基障壁。然而，即便为萧特基障壁，对于电子空穴(h)而言仍未形成能量障壁。
[0056]因此，电子空穴(h)的横向移动只发生在宽度窄的发射极区域40H的下方，其后，电子空穴(h)经由发射极区域40L或基底区域21被排出到发射电极11。由此，半导体装置I与半导体装置100相比，难以在发射极区域40H的下方的基底区域30发生电压下降。
[0057]也就是说，与参考例相比，难以对位于发射极区域40H的下方的基底区域30施加偏压电压。由此，电子从发射极区域40H向基底区域30注入的情况得到抑制。
[0058]这样一来，在半导体装置I中，可通过使栅极电极50的电位为阈值以上而在基底区域30形成通道以供电子电流流动。进而，在半导体装置I中，可确实地抑制电子(e)从发射极区域40H注入基底区域30而引起的锁定效应。也就是说，根据第一实施方式，形成可靠性高的半导体装置。
[0059]而且，发射极区域40L与发射极区域40H接触。因此，当半导体装置I导通时，从高浓度的发射极区域40H经由发射极区域40L注入基底区域30。也就是说，X方向上的发射极区域的实质宽度成为发射极区域40L的宽度加上发射极区域40H的宽度后的宽度。因此，半导体装置I中，即便使发射极区域40H的宽度窄，通道密度也不会降低。也就是说，通过本实施方式首次揭示了即便使破坏耐量提高，半导体装置I的导通电阻也不会增加的情况。
[0060](第二实施方式)
[0061]图6是表示第二实施方式的半导体装置的示意性立体图。
[0062]图6中未示出发射电极11。
[0063]半导体装置2除了半导体装置I的构成以外，还包括P+型的接点区域35 (第六半导体区域)。接点区域35设置在基底区域30上，也就是说，设置在基底区域30与发射电极11之间。接点区域35的杂质浓度高于基底区域30的杂质浓度。半导体装置2中，在X方向上，发射极区域40L被发射极区域40H与接点区域35夹着。
[0064]此处，X方向上的发射极区域40L的宽度比发射极区域40H的η型杂质因晶片工艺中的加热处理而在半导体中扩散的长度宽。例如，在X方向上，发射极区域40L的宽度为I?5 μ m，发射极区域40H的宽度为0.1?I μ m，接点区域35的宽度为I?10 μ m。
[0065]根据半导体装置2，可将因雪崩而产生的电子空穴经由p+型的接点区域35排出到发射电极11。也就是说，半导体装置2中，除了半导体装置I的效果以外，还有雪崩耐量增加的效果。
[0066](第三实施方式)
[0067]图7是表示第三实施方式的半导体装置的示意性立体图。
[0068]图7中未示出发射电极11。
[0069]半导体装置3除了半导体装置I的构成以外，还包括P+型的接点区域35。进而，在半导体装置3中，在X方向上，发射极区域40H被发射极区域40L与接点区域35夹着。在X方向上，发射极区域40L的宽度比发射极区域40H的宽度宽。
[0070]此处，X方向上的发射极区域40L的宽度比发射极区域40H的η型杂质因晶片工艺中的加热处理而在半导体中扩散的长度宽。例如，在X方向上，发射极区域40L的宽度为I?5 μ m，发射极区域40H的宽度为0.1?I μ m，接点区域35的宽度为I?10 μ m。
[0071]图8是表示第三实施方式的半导体装置的动作的一例的示意性剖视图。
[0072]图8中，表示沿着图7的C-C'线将半导体装置3沿着Z方向切断后的切断面。表示(对应于所述图2(c)的朝向的截面)。图8中，示出了将电子空穴(h)排出到发射电极11侧时的情况。
[0073]在半导体装置3中，配置成在Z方向上发射极区域40H被发射极区域40L与接点区域35夹着。换言之，在Z方向上，高浓度