类的各自元件的具体配置，如果本领域技术人员可以以与通过从已知的范围中适当地选择配置的这些实施例相同的方式来执行本示范性的实施例并且可以获得与这些实施例大体上相等的有利效应，这些配置落入当前公开的范围内。
[0110]进一步地，如果在技术上可行的范围内的每一个具体事例中的两个或多个元件的组合含有本公开内容的要旨，则该组合也可以落入本公开内容的范围内。
[0111]进一步地，本领域技术人员可以通过基于以上作为本公开内容的实施例所描述的半导体器件而适当地改变设计来执行的所有的半导体器件也落入本示范性实施例的范围内，只要这些半导体器件含有本公开内容的要旨。
[0112]更进一步地，在本公开内容的技术概念的范畴内的各种变动和修改对于本领域技术人员是显而易见的，并且应当理解的是，这些变动和修改也落入本示范性实施例的范围内。
[0113]虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅仅以示例的方式来描述，并不旨在限制本发明的范围。实际上，本文中描述的新颖实施例可以体现在多种其它形式中；此夕卜，在不脱离本发明的精神的情况下，可以对本文中描述的实施例在形式上作出各种省略、替代以及改变。所附权利要求和其等同形式旨在涵盖将落入本发明的范围和精神内的该形式或变型。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括: 第一导电类型的第一半导体层； 所述第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上并且具有低于所述第一半导体层的掺杂剂浓度的掺杂剂浓度； 第二导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区位于所述第二半导体层中； 所述第一导电类型的源极区，所述源极区位于所述第一半导体区中； 所述第一导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述第二半导体层中，并且在与所述第二半导体层的表面平行的第一方向上与所述源极区间隔开； 所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区位于所述第二半导体层中并且位于所述漏极区与所述第一半导体层之间；以及 栅极电极，所述栅极电极位于所述第二半导体层的所述表面上且位于所述漏极区与所述源极区之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区与所述第一半导体层直接接触。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区沿着所述第一方向的宽度的一半与从所述漏极区的相对于所述第一方向的中心至所述第一半导体区的沿所述第一方向的距离的比率小于等于0.5。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区内并沿着与所述第二半导体层的所述表面正交的第二方向的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度分布在所述漏极区与所述第一半导体层之间具有最大值。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区内的所述第二导电类型的所述掺杂剂的所述浓度分布具有多个局部最大值。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极区中的所述第一导电类型的掺杂剂的浓度高于所述第二半导体区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区包含第一部分和在栅极宽度方向上由所述第一导电类型的半导体区从所述第一部分间隔开的第二部分，所述栅极宽度方向与所述第二半导体层的所述表面平行并与所述第一方向垂直。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述半导体区是所述第二半导体层的一部分。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括: 绝缘膜，所述绝缘膜位于所述源极区与所述漏极区之间并且直接接触所述漏极区。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括: 所述第一导电类型的第三半导体区，所述第三半导体区位于所述第一半导体区与所述漏极区之间并且直接接触所述漏极区，其中，所述第三半导体区中的所述第一导电类型的掺杂剂的浓度低于所述漏极区中的所述第一导电类型的掺杂剂的浓度。11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括: 所述第二导电类型的第四半导体区，所述第四半导体区位于所述第一半导体区与所述第一半导体层之间。12.—种半导体器件，包括: 第一导电类型的第一半导体层； 所述第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上并且具有低于所述第一半导体层的掺杂剂浓度的掺杂剂浓度； 第二导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区位于所述第二半导体层中； 所述第一导电类型的源极区，所述源极区位于所述第一半导体区中； 所述第一导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述第二半导体层中，并且在与所述第二半导体层的表面平行的第一方向上与所述源极区间隔开； 所述第二导电类型的第四半导体区，所述第四半导体区位于所述第二半导体层中并且位于所述第一半导体区与所述第一半导体层之间；以及 栅极电极，所述栅极电极位于所述第二半导体层的所述表面上且位于所述漏极区与所述源极区之间。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，从所述第四半导体区至所述漏极区的相对于所述第一方向的中心的沿着所述第一方向的距离大于从所述第一半导体区至所述漏极区的所述中心的沿着所述第一方向的距离。14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第四半导体区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度低于所述第一半导体区中的所述第二导电类型的掺杂剂的浓度。15.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括: 所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区位于所述第一半导体区中并且位于所述漏极区与所述第一半导体层之间。16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第二半导体区包含第一部分和在栅极宽度方向上由所述第一导电类型的半导体区从所述第一部分间隔开的第二部分，所述栅极宽度方向与所述第二半导体层的所述表面平行并且与所述第一方向垂直。17.一种半导体器件，包括: 具有第一部分和第二部分的半导体层，所述第一部分所具有的第一导电类型掺杂剂的浓度大于所述第二部分中的所述第一导电类型掺杂剂的浓度，所述第二部分位于所述半导体层的所述第一部分与所述半导体层的表面之间； 源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述半导体层的所述第二部分中并且在与所述半导体层的所述表面平行的第一方向上彼此间隔开，所述漏极区具有位于所述半导体层的所述表面处的第一部和位于所述半导体层的所述第一部分与所述第一部之间的第二部，所述第一部所具有的所述第一导电类型掺杂剂的浓度大于所述第二部中的所述第一导电类型掺杂剂的浓度； 栅极电极，所述栅极电极位于所述半导体层的所述表面上且位于所述源极区与所述漏极区之间；以及 半导体区，所述半导体区位于半导体层的所述第二部分中且位于所述漏极区的所述第二部与所述半导体层的所述第一部分之间，并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述半导体区与所述漏极区的所述第二部、所述半导体层的所述第二部分和所述半导体层的所述第一部分直接接触。18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述半导体区域被提供为在第二方向上彼此间隔开的多个部分，所述第二方向与所述第一方向垂直并且与所述半导体层的所述表面平行。19.根据权利要求17所述的半导体器件，还包括: 所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区位于半导体层的所述第二部分中并且位于所述源极区与所述半导体层的所述第一部分之间，所述第二半导体区与所述半导体层的所述第二部分和所述半导体层的所述第一部分直接接触。20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述半导体层沿着与所述半导体层的所述表面正交的方向在第一导电类型掺杂剂的浓度上具有梯度，并且所述梯度在所述半导体层的所述第一部分中具有最大值。
【专利摘要】一种半导体器件，包含第一半导体层和第二半导体层、第一半导体区和第二半导体区、源极区、漏极区、以及栅极电极。第一导电类型的所述第二半导体层被形成在所述第一半导体层上方。第二导电类型的所述第一半导体区被形成在所述第二半导体层的表面上。所述第一类型的所述源极区形成在所述第一半导体区的表面上。所述第一类型的所述漏极区形成在具有所述第一类型的所述第一半导体层的表面上，并且与所述源极区间隔开。所述第二类型的所述第二半导体区提供在所述漏极区与所述第一半导体层之间。所述栅极电极形成在所述第二半导体层上方，并且提供在所述漏极区与所述源极区之间。
【IPC分类】H01L29/78, H01L29/06
【公开号】CN104916696
【申请号】CN201410452711
【发明人】秋元理恵子, 深居靖史
【申请人】株式会社东芝
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2014年9月5日
【公告号】US20150263163