基板处理方法以及基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及例如对半导体晶片、液晶表示装置用基板、等离子显示器用基板、FED (Field Emiss1n Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等的基板进行处理的基板处理方法以及基板处理装置。
【背景技术】
[0002]在半导体装置或液晶表示装置的制造工序中，进行向半导体晶片或液晶显示面板用玻璃基板等基板的表面供给药液以利用药液对该基板的表面进行清洗的药液处理、对基板进行加热的高温处理等。
[0003]例如对基板一张一张地进行处理的单张式的实施清洗处理的基板处理装置具有:基板保持旋转单元，将基板保持为大致水平，并使该基板旋转；药液喷嘴，用于向由该基板保持旋转单元旋转的基板的表面供给药液。
[0004]作为这种单张式的基板处理装置，已知有例如在基板保持旋转单元的旋转基座内置加热器的基板处理装置(参照日本特开2008-4879号公报)。在该情况下，能够利用旋转基座将由基板保持旋转单元保持的基板加热至高温。
[0005]本发明的发明人正在进行如下研宄，即，与基板保持旋转单元不同地另外单独设置内置有加热器的加热板，并使加热板以及基板保持单元相对升降。具体地说，在高温处理时，在使加热板的上表面与基板的下表面接近的状态下，由加热板对基板进行加热。另一方面，在药液处理时，使加热板退避到基板保持单元的下方，在减少来自加热板的传热量的状态下，向基板供给药液。
[0006]但是，在药液供给工序(药液处理时)中，从基板保持单元所保持的基板排出的药液的液滴有可能降落到从基板保持单元向下方退避的加热板的上表面。
[0007]当向加热板的上表面直接供给药液的液滴时，由处于发热状态的加热板对药液进行加热，在加热板的上表面对药液进行加热干燥。当在加热板的上表面对药液进行加热干燥时，因该干燥药液会变为颗粒而飞散到气体中等，而有可能污染基板。
【发明内容】
[0008]因此，本发明的目的在于提供一种基板处理方法，能够在药液供给工序中确实地避免药液降落到加热板的上表面，由此，防止因在加热板上干燥药液引起的颗粒的产生。
[0009]另外，本发明的另一目的在于提供一种能够以简单的结构实现在从保护液喷出口喷出保护液时能够良好地在加热板的上表面形成保护液的液膜的结构。
[0010]本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置中执行，该基板处理装置具有用于保持基板的基板保持单元和用于对所述基板从下方进行加热的加热板，
[0011]该基板处理方法包括:
[0012]处理液供给工序，在所述加热板配置在从所述基板保持单元向下方退避的退避位置的状态下，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液；
[0013]保护液液膜形成工序，与所述处理液供给工序并行地在所述加热板的上表面形成覆盖该上表面的保护液的液膜；
[0014]基板加热工序，一边使所述加热板与所述基板的下表面接近或接触，一边通过该加热板对所述基板进行加热。
[0015]根据该方法，与处理液供给工序并行地在加热板的上表面上形成覆盖该上表面的保护液的液膜。在处理液供给工序中，加热板从基板保持单元向下方退避。因此，从基板保持单元所保持的基板排出的处理液的液滴有可能降落到加热板的上表面。
[0016]但是，即使在这样的情况下，由于加热板的上表面由保护液的液膜覆盖，所以来自基板的处理液的液滴不会直接供给到加热板的上表面。因此，能够确实地防止在处于发热状态的加热板的上表面上的处理液的干燥。由此，能够防止因在加热板上干燥处理液引起的颗粒的产生。
[0017]在本发明的一实施方式中，所述保护液液膜形成工序包括向所述加热板的上表面连续地供给保护液的工序。
[0018]根据该方法，与处理液供给工序并行地向加热板的上表面连续地供给保护液，由此能用保护液的液膜覆盖加热板的上表面。
[0019]优选所述保护液液膜形成工序包括从在所述加热板的上表面上形成的保护液喷出口喷出保护液的工序。在该情况下，不需要另外设置喷出保护液用的喷嘴，就能够向加热板的上表面供给保护液。
[0020]另外，所述保护液液膜形成工序可以包括从保护液喷嘴向所述加热板的上表面喷出保护液的工序。
[0021]所述处理液供给工序包括:
[0022]向所述基板的上表面供给药液或冲洗液的工序，
[0023]有机溶剂供给工序，向所述基板的上表面供给有机溶剂以将所述基板的上表面上的药液或冲洗液置换为有机溶剂的液膜；
[0024]在所述基板加热工序中，通过所述有机溶剂供给工序形成在所述基板的上表面上的所述有机溶剂的液膜，在所述基板的上表面被加热。
[0025]在该情况下，由于在加热板上不会产生因药液或冲洗液干燥引起的颗粒，所以能够防止在之后进行的、在基板的上表面对有机溶剂的液膜进行加热的工序中，基板被这些颗粒污染。
[0026]另外，本发明提供一种基板处理装置，具有:
[0027]基板保持单元，用于将基板保持为水平姿势；
[0028]处理液供给单元，向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液；
[0029]加热板，用于在所述加热板与所述基板的下表面接近或接触的状态下，对所述基板从下方进行加热；
[0030]保护液供给单元，与通过所述处理液供给单元供给所述处理液并行地，向所述加热板的上表面供给保护液，以在所述加热板的上表面上形成保护液的液膜。
[0031]根据该结构，与供给处理液并行地在加热板上表面上形成保护液的液膜。因此，能够确实地防止在处于发热状态的加热板的上表面上的处理液的干燥。由此，能够防止因在加热板上干燥药液弓I起的颗粒的产生。
[0032]在本发明的一实施方式中，所述加热板具有:
[0033]保护液喷出口，在该加热板的上表面上开口，
[0034]保护液流通路径，与该保护液喷出口相连通，用于使向所述保护液喷出口供给的保护液流通，
[0035]保护液配管，用于划分形成所述保护液喷出口和所述保护液流通路径，并固定地设置在所述加热板上，
[0036]堵塞构件，能够在所述保护液流通路径进行上下移动，且能够对所述保护液喷出口进行堵塞。
[0037]并且，在未从所述保护液喷出口喷出保护液时，所述堵塞构件配置在对所述保护液喷出口进行堵塞的堵塞位置，且在从所述保护液喷出口喷出保护液时，所述堵塞构件配置在比所述加热板的上表面靠上方的浮起位置。
[0038]在所述堵塞构件位于所述浮起位置的状态下，所述堵塞构件将从所述保护液喷出口喷出的保护液向所述加热板的外周部引导。
[0039]根据该结构，在未从保护液喷出口喷出保护液时，堵塞构件对保护液喷出口进行堵塞。另一方面，在从保护液喷出口喷出保护液时，堵塞构件浮起到加热板的上表面的上方。在该状态下，堵塞构件将从保护液喷出口喷出的保护液向加热板的外周部引导，由此，促进在加热板的上表面上形成保护液的液膜。
[0040]通过以上，能够以简单的结构实现如下结构，即，在未从保护液喷出口喷出保护液时，对加热板的保护液喷出口进行堵塞，且在从保护液喷出口喷出保护液时，能够在加热板的上表面良好地形成保护液的液膜。
[0041 ] 在该情况下，所述堵塞构件能够在所述保护液流通路径自由地进行上下移动，
[0042]所述堵塞构件受到来自在所述保护液流通路径流通的保护液的压力，而配置在所述浮起位置。
[0043]根据该结构，在未从保护液喷出口喷出保护液时，保护液不在保护液流通路径流通。此时，堵塞构件对保护液喷出口进行堵塞。另一方面，在从保护液喷出口喷出保护液时，保护液在保护液流通路径内流通，堵塞构件受到来自流通的保护液的压力，浮起到加热板的上表面的上方。由此，无需另外设置用于使堵塞构件上下移动的驱动构件。
[0044]在所述堵塞构件位于所述堵塞位置时，该堵塞构件的上表面可以与所述加热板的所述上表面位于同一平面上，或从所述加热板的上表面向下方退避。
[0045]根据该结构，在未从保护液喷出口喷出保护液时，堵塞构件的上表面与加热板的上表面位于同一平面上或堵塞构件的上表面从加热板的上表面退避到下方。因此，在加热板上载置基板时，能够在加热板的整个上表面良好地对基板进行接触支撑，且能良好地对整个基板进行加热。
[0046]另外，所述处理液供给单元可以具有:
[0047]第一处理液供给单元，将含有药液或冲洗液的第一处理液向所述基板供给，
[0048]第二处理液供给单元，将含有有机溶剂的第二处理液向所述基板供给，以在所述基板的上表面上形成该第二处理液的液膜；
[0049]所述加热板在所述第二处理液的液膜形成在所述基板的上表面上的状态下，对所述基板进行加热。
[0050]根据该结构，能够防止第一以及/或第二处理液的因在加热板上表面上的干燥引起的颗粒的产生。因此，能够在基板的上表面对含有有机溶剂的第二处理液的液膜进行加热的工序中，能够减少基板的颗粒污染。
[0051]本发明的前述或其他目的、特征以及效果，通过参照附图如下叙述的实施方式的说明就更加清楚了。
【附图说明】
[0052]图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的结构的示意性的俯视图。
[0053]图2是图1所示的基板处理装置所具有的腔室的内部的剖视图。
[0054]图3是图2所示的基板保持旋转单元以及加热板的俯视图。
[0055]图4是将图3以剖切线IV-1V剖切时的剖视图。
[0056]图5是将图3以剖切线IV-1V剖切时的剖视图。
[0057]图6是对图2所示的加热板以及板支撑轴的主要部分放大表示的剖视图。
[0058]图7是对图2所示的加热板以及板支撑轴的主要部分放大表示的剖视图。
[0059]图8是示意性地表示固定销的结构的剖视图。
[0060]图9是示意性地表示可动销的结构的剖视图。
[0061]图10是对处理单元的处理对象的基板的表面放大表示的剖视图。
[0062]图11是用于对由处理单元执行的药液处理的处理例进行说明的工序图。
[0063]图12A?12H是用于说明图11的处理例的示意图。
[0064]图13A、13B是用于说明图11的处理例中的基板的上表面的状态的示意性的剖视图。
[0065]图14以及图15是对加热板以及板支撑轴的变形例的主要部分放大表示的剖视图。
[0066]图16是表示本发明的其他实施方式的基板处理装置的结构的示意性的剖视图。
【具体实施方式】
[0067]图1是本发明的一实施方式的基板处理装置I的示意性的俯视图。图2是基板处理装置I所具有的腔室4的内部的剖视图。
[0068]如图1所示，基板处理装置I是对半导体晶片等圆板状的基板W—张一张地进行处理的单张式的装置。基板处理装置I包括:多个处理单元2，利用处理液或处理气体对基板W进行处理；基板搬运机械手CR，相对于各处理单元2的腔室4进行基板W的搬入以及搬出；控制装置3，对基板处理装置I所具有的装置的动作和阀的开闭等进行控制。
[0069]处理单元2是用于对圆形的基板W的表面(图案形成面)实施利用了药液的药液处理的单张式的单元。各处理单元2包括:箱形的腔室4，具有内部空间；基板保持旋转单元(基板保持单元)5，一边在腔室4内将一张基板W保持为水平的姿势，一边使基板W围绕通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线Al旋转；加热板6，具有对基板W从下方进行加热的基板相向面(上表面)6a，与基板W的下表面接触来对基板W从下方进行支撑；处理液供给单元(第一处理液供给单元)7，向基板保持旋转单元5所保持的基板W供给药液、冲洗液等处理液；板升降单元8，用于使加热板6升降；下供给单元(保护液供给单元)60，用于向加热板6的基板相向面6a供给保护液；杯9，能够在密闭状态下容纳基板保持旋转