线4电连接。
[0041]可理解的是，上述在所述第一金属层图案和所述第二金属层图案之间的绝缘层图案可以包括过孔10，每个第一电极7中的每个第一子电极71通过所述绝缘层图案上的过孔10与对应的一条金属桥线4电连接。
[0042]上述阵列基板通过将第一电极7和第二电极6与有机发光二极管的阳极5形成在同一层，并且通过金属桥线4将多个第一子电极71电连接形成第一电极7，以使形成在同一层上的阳极5、第一电极7和第二电极6互不干扰，由此，在阵列基板上形成了由第一电极7构成的触控感应线和第二电极6构成的触控驱动线，实现了触控传感器的功能，具有高性噪比，且可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。
[0043]上述彼此绝缘间隔的第一金属层图案和透明导电层图案，可以理解为第一金属层图案和透明导电层图案之间绝缘设置，例如可以设置一绝缘层等，本实施例不对其进行限定。
[0044]为了实现触控功能且使第一电极7、第二电极6和阳极5之间互不干扰，上述多个第一子电极71通过金属桥线4电连接形成沿第一方向延伸的第一电极7，如图2所示，多个沿第二方向延伸的第二电极6，每个第一电极7构成一条触控感应线，触控感应线用于传输触控感应信号，每个第二电极6构成一条触控驱动线，触控驱动线用于传输触控驱动信号，从而在阵列基板上实现了触控传感器的功能，可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。优选的，第一电极7在列方向上均匀排布，第二电极6在行方向上均匀排布。
[0045]在本实施例的一个优选的实施方式中，如图3所示，每个第二电极6包括多个第二子电极61，在第一方向上(列方向)相邻的两个第一子电极71之间设置有连接相邻的两个第二子电极61的连接线62，第二子电极61和连接线61—体成型。需要说明的是，相邻两个第二子电极61可以理解为在第二方向上(行方向)相邻。
[0046]下面对上述阵列基板的具体结构进行详细描述，该阵列基板包括:衬底基板、形成在衬底基板上的第二金属层图案、第一金属层图案和透明导电层图案，还包括薄膜晶体管，其中，第二金属层图案、第一金属层图案和透明导电层图案各层图案之间彼此绝缘。在所述第一金属层图案和所述第二金属层图案中，其中一个金属层图案包括栅线1，另一个金属层图案包括数据线2、电源线3和金属桥线4 ;栅线I和数据线2相互交叉，金属桥线4和电源线3均与数据线2平行。如图1所示，栅线I在行方向上均匀排布，金属桥线4和数据线2在列方向上均匀排布。
[0047]需要说明的是，上述阵列基板的每一个像素单元中的薄膜晶体管可以为一个也可以为多个，例如2T1C，包括两个薄膜晶体管和一个电容的结构，还可以为6T2C，包括六个薄膜晶体管和两个电容的结构，同时，薄膜晶体管也可以为顶栅型，也可以为底栅型，当然上述结构的不同，并不会影响本实施例中触控驱动线和触控感应线的设置，即本实施例适用于上述指出的一个或多个薄膜晶体管，以及薄膜晶体管为顶栅型或底栅型的薄膜晶体管。
[0048]例如薄膜晶体管为两个时，在上述第一金属层图案和第二金属层图案中，其中一个金属层图案包括薄膜晶体管的栅极，另一个金属层图案包括薄膜晶体管的源极和漏极。第一薄膜晶体管8的栅极81与栅线I电连接，第一薄膜晶体管8的源极82与第二薄膜晶体管9的栅极91电连接，第一薄膜晶体管8的漏极83与数据线2电连接，所述第二薄膜晶体管9的源极92与所述有机发光二极管的阳极5电连接，所述第二薄膜晶体管9的漏极93与所述电源线3电连接。
[0049]在另一个可实现的方式中，上述第一电极7包括多个沿第一方向延伸的第一子电极71，第二电极6包括多个沿第二方向延伸的第二子电极61，第一电极7在列方向均匀排布，第二电极6在行方向均匀排布，每个第二电极6中的每个第二子电极61通过过孔与对应的一条金属桥线4电连接，这时金属桥线4可以与栅线I同层设置且与栅线I平行。相应的相邻第二子电极61之间设置有连接相邻两个第一子电极71的连接线(图中未示出)，第一子电极71和连接线一体成型。每个第一电极7构成一条触控感应线，触控感应线用于传输触控感应信号，每个第二电极6构成一条触控驱动线，触控驱动线用于传输触控驱动信号，从而在阵列基板上实现了触控传感器的功能，可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。该方案中的其他各层图案，比如第二金属层图案和第一金属层图案除上述金属桥线4的形成位置结构不同外，其他比如薄膜晶体管、电源线3、数据线2等均与上述实施例中的结构相同，本实施例不再进行详细说明。
[0050]上述两种实施方案均可以通过将第一电极7和第二电极6与有机发光二极管的阳极5形成在同一层，为了使阳极5、第一电极7和第二电极6互不干扰，通过金属桥线4将多个第一子电极电连接形成第一电极7或将多个第二子电极电连接形成第二电极6，由此，在阵列基板上与有机发光二极管的阳极5的同层形成由第一电极7构成的触控感应线和第二电极6构成的触控驱动线，实现了触控传感器的功能，可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。
[0051 ] 需要说明的是，在上述方案中，为了不影响开口率，在第一方向上相邻的两个有机发光二极管的阳极5之间设置有所述第二子电极61，且所述第二子电极61位于所述薄膜晶体管的上方，在第二方向上相邻的两个有机发光二极管的阳极5之间设置有所述第一子电极71。
[0052]图4示出了本发明一实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的制备方法的流程示意图，如图4所示，该方法包括以下步骤:
[0053]401、在衬底基板上形成包括金属桥线4的第一金属层图案。
[0054]402、在所述第一金属层图案上形成绝缘层图案。
[0055]可理解的是，上述步骤402中可以理解为该绝缘层图案包括过孔，以使每个第一子电极71通过过孔与对应的一条所述金属桥线4电连接。
[0056]403、形成包括有机发光二极管的阳极5、多个沿第一方向延伸的第一电极7和多个沿第二方向延伸的第二电极6的透明导电层图案。
[0057]其中，每个第一电极7包括多个第一子电极71，每个第一子电极71通过过孔与对应的一条所述金属桥线4电连接。
[0058]需要说明的是，上述第一金属层图案和透明导电层图案之间可以包括一层绝缘层也可以包括多层，本实施例不对其进行限定。
[0059]上述方法通过将第一电极7和第二电极6与有机发光二极管的阳极5形成在同一层，并且通过金属桥线4将多个第一子电极71电连接形成第一电极7，以使形成在同一层上的阳极5、第一电极7和第二电极6互不干扰，由此，在阵列基板上形成了由第一电极7构成的触控感应线和第二电极6构成的触控驱动线，实现了触控传感器的功能，具有高性噪比，且可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。
[0060]具体的，上述步骤401可以理解为在衬底基板上通过真空沉积或磁控溅射的方式形成第一金属层，通过一次构图工艺，例如刻蚀的构图工艺形成第一金属层图案，其中该第一金属层图案包括金属桥线4。上述的衬底基板可以为玻璃基板、石英基板或有机树脂基板。
[0061]可理解的是，在上述方法中，在衬底基板上形成第一金属层图案之前，还包括形成薄膜晶体管、第二金属层图案等步骤，下面通过具体的实施例对上述阵列基板的制备方法进行详细说明。
[0062]501、在衬底基板上形成第二金属层，并通过一次构图工艺形成第二金属层图案。
[0063]502、在第二金属层图案上形成第一金属层，其中第一金属层和第二金属层图案之间绝缘设置，例如设置绝缘层。
[0064]503、通过一次构图工艺形成第一金属层图案。
[0065]504、在第一金属层图案上形成透明导电层，其中第一金属层图案和透明导电层之间绝缘设置，例如设置绝缘层。
[0066]505、通过一次构图工艺形成透明导电层图案。
[0067]在上述步骤中501-503中，还包括形成薄膜晶体管的步骤。具体的，在第一金属层图案和第二金属层图案之间的绝缘层，以及第一金属层图案和透明导电层图案之间的绝缘层均形成有多个过孔，第二金属层图案包括薄膜晶体管的栅极、栅线1，第一金属层图案包括薄膜晶体管的源极和漏极、数据线2、电源线3、金属桥线4，数据线2、电源线3和金属桥线4相互平行，透明导电层图案包括有机发光二极管的阳极5、第一子电极71、第二子电极61和连接线62，多个第一子