有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置的制造方法

文档序号:9328689阅读:431来源:国知局
有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置。
【背景技术】
[0002]有源矩阵发光二极管显不器(ActiveMatrix Organic Light Emitting D1de,简称AMOLED)具有响应速度快、亮度高、低功耗、视角好、可实现柔性显示等特点而成为显示器技术发展的主流。具有触控功能的AMOLED显示器是基于功能丰富化的需求所产生的,比较常用的触控技术包括On-cell触控技术和In-cell触控技术,在中小尺寸AMOLED显示器中常采用On-cell触控技术,而In-cell触控技术相比On-cell触控技术能够使显示器更轻薄,因此In-cell触控技术应用于AMOLED显示器更被关注。
[0003]但是现有的In-cell触控技术仅限于玻璃封装工艺中。但是上述方式仅限于应用在玻璃封装工艺中,而无法在薄膜封装工艺中实现,其原因在于薄膜封装工艺是在真空环境下在阵列基板上沉积多次薄膜,防止水氧侵蚀OLED器件的封装方式,此种封装方式在阵列基板上方不需要覆盖玻璃基板,即无封装基板,因此无法实现传感器制作在封装基板上,由此可见,现有的In-cell触控技术应用于AMOLED显示器具有较大的局限性。

【发明内容】

[0004]针对现有技术的缺陷,本发明提出了解决上述技术问题的一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置,以实现不同封装工艺下的AMOLED显示器的In-cell触控技术应用。
[0005]第一方面,本发明公开了一种有机发光二极管阵列基板,包括:第一金属层图案、透明导电层图案和设置在所述第一金属层图案和所述透明导电层图案之间的绝缘层图案,所述第一金属层图案包括金属桥线,所述透明导电层图案包括有机发光二极管的阳极、多个沿第一方向延伸的第一电极和多个沿第二方向延伸的第二电极,每个所述第一电极包括多个第一子电极,每个所述第一电极中的每个所述第一子电极与对应的一条所述金属桥线电连接。
[0006]可选的,每个所述第二电极包括多个第二子电极,在第一方向上相邻的两个第一子电极之间设置有连接相邻的两个第二子电极的连接线。
[0007]可选的,所述阵列基板包括至少一个薄膜晶体管,在第一方向上相邻的两个有机发光二极管的阳极之间设置有所述第二子电极,且所述第二子电极位于所述薄膜晶体管的上方,在第二方向上相邻的两个有机发光二极管的阳极之间设置有所述第一子电极。
[0008]可选的,所述阵列基板还包括:与所述第一金属层图案绝缘间隔的第二金属层图案,在所述第一金属层图案和所述第二金属层图案中,其中一个金属层图案包括栅线,另一个金属层图案包括数据线和金属桥线,所述栅线和所述数据线相互交叉,所述金属桥线与所述数据线平行。
[0009]可选的,所述阵列基板还包括与所述数据线同层且与所述数据线平行的电源线。
[0010]可选的,所述阵列基板还包括至少一个薄膜晶体管,在所述第一金属层图案和所述第二金属层图案中,其中一个金属层图案包括薄膜晶体管的栅极,另一个金属层图案包括薄膜晶体管的源极和漏极。
[0011]可选的,所述薄膜晶体管为两个,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的栅极电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述数据线电连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述有机发光二极管的阳极电连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述电源线电连接。
[0012]第二方面,本发明还提供了一种有机发光二极管阵列基板的制备方法,包括:
[0013]在衬底基板上形成包括金属桥线的第一金属层图案;
[0014]在所述第一金属层图案上形成绝缘层图案;
[0015]形成包括有机发光二极管的阳极、多个沿第一方向延伸的第一电极和多个沿第二方向延伸的第二电极的透明导电层图案;
[0016]其中,每个所述第一电极包括多个第一子电极,每个所述第一子电极与对应的一条所述金属桥线电连接。
[0017]可选的,所述形成包括多个沿第二方向延伸的第二电极图案的透明导电层图案,包括:
[0018]形成沿第二方向延伸的多个第二子电极,以及在第一方向上相邻的两个第一子电极之间形成连接相邻所述第二子电极的连接线。
[0019]可选的,所述方法还包括:形成与所述第一金属层图案绝缘间隔的第二金属层图案,在所述第一金属层图案和所述第二金属层图案中,其中一个金属层图案包括栅线,另一个金属层图案包括数据线和金属桥线,所述栅线和所述数据线相互交叉,所述金属桥线与所述数据线平行。
[0020]可选的,所述方法还包括:
[0021]在形成所述数据线时,形成与所述数据线同层且与所述数据线平行的电源线。
[0022]可选的,在形成的所述第一金属层图案和所述第二金属层图案中,其中一个金属层图案包括薄膜晶体管的栅极,另一个金属层图案包括薄膜晶体管的源极和漏极。
[0023]第三方面,本发明还提供了一种触控显示装置,包括上述的有机发光二极管阵列基板。
[0024]第四方面,本发明还提供了一种驱动上述的阵列基板的驱动方法,包括:
[0025]对所述阵列基板进行显示驱动和对所述阵列基板进行触控驱动;
[0026]其中,所述对所述阵列基板进行显示驱动包括:对所述栅线施加栅扫描信号,对所述数据线施加数据信号;
[0027]对所述阵列基板进行触控驱动包括:对所述第一电极或所述第二电极施加触控扫描信号。
[0028]可选的,对所述阵列基板进行显示驱动和对所述阵列基板进行触控驱动同时进行。
[0029]可选的,对所述阵列基板进行显示驱动和对所述阵列基板进行触控驱动分时进行。
[0030]由上述技术方案可知,本发明公开的一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置,该阵列基板通过将第一电极和第二电极与有机发光二极管的阳极形成在同一层,并且通过金属桥线将多个第一子电极电连接形成第一电极,以使形成在同一层上的阳极、第一电极和第二电极互不干扰,由此,在阵列基板上形成了由第一电极构成的触控感应线和第二电极构成的触控驱动线,实现了触控传感器的功能,可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。
【附图说明】
[0031]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点,附图是示意性的而不理解为对本发明进行任何限制,在附图中:
[0032]图1为本发明一实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的结构示意图;
[0033]图2为本发明一实施例提供的触控感应线的俯视图;
[0034]图3为本发明一实施例提供的触控驱动线的俯视图;
[0035]图4为本发明一实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的制备方法的流程示意图;
[0036]其中附图标记说明:
[0037]1、栅线;2、数据线;3、电源线;4、金属桥线;5、阳极、6、第二电极、7、第一电极;8、第一薄膜晶体管;9、第二薄膜晶体管;10、过孔;61、第二子电极;62、连接线;71、第一子电极;81、第一薄膜晶体管的栅极;82、第一薄膜晶体管的源极;83、第一薄膜晶体管的漏极;91、第二薄膜晶体管的栅极;92、第二薄膜晶体管的源极;93、第二薄膜晶体管的漏极。
【具体实施方式】
[0038]下面将结合附图对本发明的实施例进行详细描述。
[0039]本发明旨在于提供一种有机发光二极管阵列基板,在AMOLED显示器中实现In-cell触控技术,且In-cell触控技术的实施不受限于AMOLED显示器的显示面板制备工艺的限制。
[0040]图1示出了本发明一实施例提供的一种有机发光二极管阵列基板的结构示意图,如图1所示,该阵列基板包括:包括:第一金属层图案、透明导电层图案和设置在所述第一金属层图案和所述第二金属层图案之间的绝缘层图案,其中,第一金属层图案包括金属桥线4,透明导电层图案包括有机发光二极管的阳极5、多个沿第一方向延伸的第一电极7和多个沿第二方向延伸的第二电极6,每个第一电极7包括多个第一子电极71,每个第一电极7中的每个第一子电极71与对应的一条金属桥
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