一种阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示面板系统领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]平板显示器(Flat Panel Display, FPD)或薄膜太阳能电池等近年来所制造的电气产品都在基板上配置有薄膜晶体管，薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的TFT来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕?目息O
[0003]近年来低温多晶硅液晶显示技术因多晶硅迀移率高、TFT尺寸可以做小以提高开口率、可驱动集成等优势，被广泛应用，但HADS背板制造工艺通常需要9-13构图工艺，构图工艺数量多，生产成本高。
[0004]综上所述，现有技术中的阵列基板的构图工艺数量较多，造成阵列基板的生产效率低，且浪费成本，降低了设备利用率。
【发明内容】
[0005]本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少阵列基板的构图工艺数量，从而降低阵列基板的生产成本，提高生产效率和设备利用率。
[0006]本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括:
[0007]在衬底基板上依次形成第一透明导电层和金属层；
[0008]采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极。
[0009]通过本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，首先在衬底基板上依次形成第一透明导电层，然后在所述第一透明导电层上形成金属层，最后采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极，使得在一次构图工艺中形成栅电极，源电极、漏电极和第一透明电极，因此减少了阵列基板中的构图工艺数量，从而降低阵列基板的生产成本，提高生产效率和设备利用率。
[0010]较佳地，所述采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极，包括:
[0011 ] 在所述金属层上形成光刻胶层；
[0012]对所述光刻胶进行曝光工艺，形成光刻胶不保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
[0013]去除不保留区域的光刻胶、金属层和第一透明导电层；
[0014]采用灰化工艺去除部分保留区域的光刻胶；
[0015]去除部分保留区域的金属层；
[0016]去除完全保留区域的光刻胶，形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极。
[0017]较佳地，采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极的同时，还形成了公共电极线。
[0018]较佳地，所述在衬底基板上形成第一透明导电层和金属层之前，该方法还包括:
[0019]在衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层。
[0020]较佳地，所述在形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极之后，该方法还包括:
[0021]形成保护层，其中，所述有源层包括掺杂区域，在所述保护层上与所述有源层掺杂区域、源电极和漏电极对应的位置形成漏出源电极、漏电极和有源层掺杂区域的过孔；
[0022]形成第二透明导电层，采用构图工艺形成第二透明电极、源电极与所述有源层掺杂区域的第一连接电极和漏电极与所述有源层掺杂区域的第二连接电极，所述第一连接电极和第二连接电极位于所述过孔中。
[0023]较佳地，所述有源层为低温多晶硅，所述掺杂区域为N型掺杂。
[0024]较佳地，所述第二透明电极为狭缝状电极。
[0025]较佳地，所述第一透明电极和/或所述第二透明电极的材料为铟锡氧化物、铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、锡锌氧化物、镓锌氧化物、铟镓氧化物。
[0026]本发明实施例提供了一种阵列基板，采用本发明提供的阵列基板的制作方法形成。
[0027]本发明实施例提供了一种显示装置，包括本发明提供的阵列基板。
【附图说明】
[0028]图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；
[0029]图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之一；
[0030]图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之二；
[0031]图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之三；
[0032]图5为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之四；
[0033]图6为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之五；
[0034]图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之六；
[0035]图8为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之七；
[0036]图9为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之八；
[0037]图10为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图之九。
【具体实施方式】
[0038]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039]本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以减少阵列基板的构图工艺数量，从而降低阵列基板的生产成本，提高生产效率和设备利用率。
[0040]下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0041]附图中各膜层的厚度和区域的大小形状不反映阵列基板各部件的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
。
[0042]实施例1
[0043]参见图1，本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法，该方法包括:
[0044]S101、在衬底基板上依次形成第一透明导电层和金属层；
[0045]S102、采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极。
[0046]需要说明的是第一透明电极为公共电极。本发明实施例中的构图工艺包括步骤:曝光、显影。
[0047]其中，在步骤SlOl中，在衬底基板上依次形成第一透明导电层和金属层之前，该方法还包括:
[0048]在衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层。
[0049]也就是说，在衬底基板上依次形成有源层、栅绝缘层、第一透明导电层和金属层。
[0050]其中，在步骤S102中，采用一次构图工艺形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极，具体包括:
[0051]在金属层上形成光刻胶层；
[0052]对该光刻胶层进行曝光工艺，形成光刻胶不保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；
[0053]去除不保留区域的光刻胶、金属层和第一透明导电层；
[0054]采用灰化工艺去除部分保留区域的光刻胶；
[0055]去除部分保留区域的金属层；
[0056]去除完全保留区域的光刻胶，形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极。
[0057]其中，在形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极之后，该方法还包括:
[0058]形成保护层，其中有源层包括掺杂区域，在保护层上与有源层掺杂区域、源电极和漏电极对应的位置分别形成露出有源层掺杂区域、源电极和漏电极过孔；
[0059]形成第二透明导电层，采用构图工艺形成第二透明电极、源电极与有源层掺杂区域的第一连接电极、和漏电极与有源层掺杂区域的第二连接电极，第一连接电极和第二连接电极位于过孔中。
[0060]需要说明的是，在保护层上形成与有源层掺杂区域对应位置露出有源层掺杂区域的第一过孔，同时形成与源电极对应的位置露出源电极的第二过孔，形成漏电极对应的位置露出漏电极的第二过孔；在第二透明导电层中通过第一过孔和第二过孔对应的位置处形成源电极与有源层掺杂区域的第一连接电极，通过第一过孔和第三过孔对应的位置处形成漏电极与有源层掺杂区域的第二连接电极。所以，有源层掺杂区域通过第一连接电极与源极相连，通过第二连接电极与漏极相连。
[0061 ] 其中，有源层为低温多晶硅Ρ-si，掺杂区域为N型掺杂。
[0062]其中，第二透明电极为狭缝状电极。
[0063]其中，去除完全保留区域的光刻胶，形成栅电极、源电极、漏电极和第一透明电极，具体包括:
[0064]在完全保留区域中，首先去除用于形成源电极和漏电极金属层上的的光刻胶，使漏极层、源极层露出，形成漏电极和源电极；
[0065]其次，去除用于形成栅电极金属层上的光刻胶，使栅极层露出，形成栅电极；
[0066]最后去除用于形成第一透明电极的光刻胶，使完全保留区域中的所有金属均露出，形成第一透明电极；或者，
[0067]在完全保留区域中，首先去除用于形成栅电极金属层上的光刻胶，使栅极层露出，形成栅电极；
[0068]其次，去除用于形成源电极和漏电极金属层上的的光刻胶，使漏极层、源极层露出，形成漏电极和源电极；
[0069]最后去除用于形成第一透明电