显示装置和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]作为薄型且轻量的发光源，有机电致发光(organic electro luminescent)元件备受瞩目，具有大量的有机电致发光发光元件和彩色滤光片的有机电致发光显示装置正在被开发。
[0003]作为这种有机电致发光发光元件，例如专利文献I中公开了如下结构，即，在形成有薄膜晶体管的TFT基板上具有:分隔(划分)像素的堤堰(bank);形成于各像素的有机层；遍及多个像素形成的阴极；和在阴极上隔着充填剂配置的相对基板。
[0004]先行技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2008 - 207464号公报
【发明内容】
[0007]发明要解决的课题
[0008]伴随近年来像素的微细化的要求，要求缩短像素彼此的距离。但是，像素彼此的距离越短，越容易受到发光元件与相对基板的距离的影响。因此，在像专利文献I中记载的那样隔着充填剂装载相对基板的结构的情况下，容易发生向相邻的像素漏光。
[0009]特别是在相对基板为彩色滤光片基板的情况下，从发光元件产生的光有可能漏出到与相邻的像素相对的彩色滤光片。因此，在具有彩色滤光片基板的有机电致发光显示装置中，难以防止伴随高微细化的视角的降低。
[0010]本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于实现能够防止视角降低的显示装置和显示装置的制造方法。
[0011 ] 用于解决课题的方法
[0012]本申请中公开的发明之中，对代表性的内容的概要进行简单的说明如下。
[0013](I)本发明的显示装置的特征在于，包括:矩阵状地配置有多个像素电极的第一基板；在上述第一基板的上方，以使上述像素电极的一部分露出、且将上述多个像素电极之间分隔的方式凸状地设置的像素分离膜；设置在所露出的上述像素电极之上的包含发光层的有机层；设置在上述发光层之上和上述像素分离膜之上的相对电极；设置在上述相对电极之上的密封绝缘膜；和以埋入由凸状的上述像素分离膜包围的区域、且与上述像素分离膜的上表面重叠的方式设置的着色层。
[0014](2)可以形成为上述着色层的形成区域在俯视时比上述像素电极大。
[0015](3)可以形成为上述密封绝缘膜包含无机材料。
[0016](4)可以形成为上述密封绝缘膜包含无机材料和有机材料的层叠构造。
[0017](5)本发明的显示装置的制造方法的特征在于，包括:在第一基板的上方矩阵状地形成多个像素电极的工序；形成以使上述像素电极的一部分露出、且将上述多个像素电极之间分隔的方式凸状地设置在上述第一基板的上方的像素分离膜的工序(在上述第一基板的上方，形成以使上述像素电极的一部分露出、且将上述多个像素电极之间分隔的方式凸状地设置的像素分离膜的工序)；在所露出的上述像素电极之上形成包含发光层的有机层的工序；在上述发光层之上和上述像素分离膜之上形成相对电极的工序；在上述相对电极之上形成密封绝缘膜的工序；和以埋入由凸状的上述像素分离膜包围的区域、且与上述像素分离膜的上表面重叠的方式形成着色层的工序。
[0018](6)可以通过印刷法形成上述着色膜。
[0019](7)上述印刷法可以为柔性版印刷法。
[0020]发明效果
[0021]根据本发明，与不具有本结构的有机电致发光显示装置相比，能够抑制从发光区域发出的光反射到像素分离膜而到达相邻的像素的情况。由此，本发明的有机电致发光显示装置，能够实现混色的抑制。
【附图说明】
[0022]图1是本发明的一个实施方式的有机电致发光显示装置的概略俯视图。
[0023]图2是图1所示的有机电致发光显示装置的I1-1I截断线的概略截面图。
[0024]图3是在与图2相同的视野中表示图2所示的有机电致发光显示装置的制造方法的概略截面图。
[0025]图4A是表示图2所示的有机电致发光显示装置的制造方法的概略截面图。
[0026]图4B是表示图2所示的有机电致发光显示装置的制造方法的概略截面图。
[0027]图4C是表示图2所示的有机电致发光显示装置的制造方法的概略截面图。
[0028]图5是在与图4相同的视野中表示图2所示的有机电致发光显示装置的制造方法的概略截面图。
[0029]图6是在与图4相同的视野中表示本实施方式的有机电致发光显示装置的制造方法的变形例的局部放大图。
【具体实施方式】
[0030]下面，基于附图以有机电致发光显示装置I为例对本实施方式的有机电致发光显示装置进行说明。此外，以下说明中参照的附图，有时为了容易理解特征，出于方便将特征部分放大表示，各构成要素的尺寸比率等并不一定与实际相同。另外，以下说明中例示的材料等只是一例，各构成要素可以与它们不同，能够在不改变其主旨的范围内进行变更实施。
[0031]图1是本发明的一个实施方式的有机电致发光显示装置I的概略俯视图，图2是图1所示的有机电致发光显示装置I的I1-1I截断线的概略截面图。此外，本实施方式中为了便于说明，用Y轴(Yl方向、Y2方向)、Z轴(Zl方向、Z2方向)的坐标说明各结构的位置关系。
[0032]如图1所示，有机电致发光显示装置I包括:具有矩形的显示区域D的TFT基板10、和相对基板50。TFT基板10的俯视形状比相对基板50的俯视形状小，其一部分(Y2方向侧的部分)的上表面1a不被相对基板50覆盖而露出。在上表面1a连接有柔性配线基板2和驱动IC (集成电路)3。
[0033]接着，对有机电致发光显示装置I的显示区域D的结构进行详细说明。如图2所示，显示区域D的TFT基板10中，多个像素P配置为矩阵状。
[0034]TFT基板10包括绝缘基板8、形成有薄膜晶体管11和未图示的电配线的电路层12和平坦化膜13。另外，在TFT基板10上设置有有机电致发光发光元件30、密封绝缘膜40、彩色滤光片CF、保护膜45和相对基板50。
[0035]电路层12是用于驱动形成在绝缘基板8上的有机电致发光发光元件30的层。电路层12形成有薄膜晶体管11、钝化膜Ilf和未图示的电配线。
[0036]薄膜晶体管11按每个像素P被设置在基板10上。薄膜晶体管11具体来说包括例如多晶硅半导体层11a、栅极绝缘层11b、栅极电极11c、源极-漏极电极lld、第I绝缘膜Ile而构成。薄膜晶体管11由作为保护薄膜晶体管11的绝缘膜的钝化膜Ilf覆盖。
[0037]平坦化膜13以覆盖电路层12上的方式形成。平坦化膜13是由绝缘材料构成的层，形成在电路层12与有机电致发光发光元件30之间，由此将相邻的薄膜晶体管11之间、薄膜晶体管11与有机电致发光发光元件30之间电绝缘。平坦化膜13由例如Si02、SiN、丙稀酸树脂(acrylic、亚克力)、聚酰亚胺等材料构成。
[0038]在平坦化膜13上的与各像素P对应的区域，也可以形成由金属膜构成的未图示的反射膜。通过设置反射膜，从有机电致发光发光元件30出射的光向相对基板50侧反射。
[0039]在平