坦化膜13上(TFT基板10上)，按每个像素P形成有多个有机电致发光发光元件30。有机电致发光发光元件30具有阳极(像素电极)32、至少具有发光层的有机层33、和以覆盖有机层33上的方式形成的阴极(相对电极)34。这些像素电极32、有机层33和相对电极34重叠的区域，作为发光区域L发挥功能。
[0040]像素电极32是对有机层33注入驱动电流的电极。像素电极32与接触孔32a连接，由此与薄膜晶体管11电连接而被供给驱动电流。
[0041]像素电极32由具有导电性的材料形成。像素电极32的材料，具体来说优选为例如IT0(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)，但也可以为IZO(铟锌复合氧化物)、氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铝复合氧化物等具有透光性和导电性的材料。此外，如果反射膜由银等金属形成，且与像素电极32接触，则像素电极32也可以具有透光性。在这种结构的情况下，反射膜成为像素电极32的一部分。
[0042]在各像素电极32彼此之间，沿像素P彼此的边界B形成有像素分离膜14以将相邻的像素P彼此之间分隔(划分)开。像素分离膜14具有防止相邻的像素电极32彼此的接触和像素电极32与相对电极34之间的漏泄电流的功能。
[0043]本实施方式的像素分离膜14覆盖像素电极32的外端32b，向相对基板50侧(图中的Zl方向侧)突出。由此，由像素分离膜14的上表面(Zl方向侧的面)和像素电极32的上表面构成凹凸形状的面。
[0044]像素分离膜14覆盖像素电极32的外端32b，将像素电极32的与发光区域L对应的区域露出。像素分离膜14由绝缘材料构成，具体而言由例如感光性的树脂组成物构成。
[0045]此外，在本实施方式中，将与所露出的像素电极32对应的区域设为凹区域C，将像素分离膜14上的区域设为凸区域S。此外，凹区域C与发光区域L对应。
[0046]有机层33是至少具有发光层的由有机材料形成的层。有机层33例如从像素电极32侧起依次层叠有未图示的空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层。此夕卜，有机层33的层叠结构并不限定于此，只要至少包含发光层即可，其层叠结构并不做特另IJ限定。
[0047]有机层33(发光层)以覆盖露出的像素电极32上(像素电极32的与发光区域L对应的区域)和像素分离膜14上的方式形成。此外，本实施方式的发光层的发光色为白色，但也可以为其它颜色。
[0048]发光层由例如通过空穴和电子结合而发光的有机电致发光物质构成。作为这样的有机电致发光物质，例如可以为一般作为有机发光材料使用的物质。
[0049]相对电极34以覆盖有机层33上(发光层上)和像素分离膜14上的方式形成。本实施方式的相对电极34不是按每个像素P独立，而是以覆盖显示区域D的配置有像素P的区域整面的方式形成。通过具有这样的结构，相对电极34与多个有机电致发光发光元件30的有机层33共同地接触。
[0050]相对电极34由具有透光性和导电性的材料构成。相对电极34的材料具体来说优选为例如ΙΤ0，但也可以为在ΙΤ0、ΙηΖη0等的导电性金属氧化物中混入了银、镁等的金属的材料、或者将银、镁等金属薄膜与导电性金属氧化物层叠而成的材料。
[0051]在相对电极34的上表面，遍及多个像素P由密封绝缘膜40覆盖。形成于显示区域D的密封绝缘膜40中的覆盖凹区域C的部分的上表面Cl和覆盖凸区域S的部分的上表面SI，以沿着(描绘着)像素分离膜14的上表面(Zl方向侧的面)与像素电极32的上表面所成的面的轮廓的方式构成为凹凸形状的面。
[0052]密封绝缘膜40是防止氧、水分侵入到以有机层33为主的各层的膜。密封绝缘膜40的材料只要为具有绝缘性的透明的材料即可，并不做特别限定。此外，密封绝缘膜40可以由无机材料构成，也可以由有机材料构成，均可。另外，密封绝缘膜40也可以为由有机材料构成的膜和由无机材料构成的膜的多层构造。
[0053]在密封绝缘膜40上形成有彩色滤光片CF。本实施方式的彩色滤光片CF具有着色为例如红色、绿色、蓝色等多个颜色的着色膜R、G、B。着色膜R、G、B是使来自有机电致发光发光元件30的光通过的膜，由例如利用颜料着色后的树脂构成。
[0054]本实施方式的着色膜R、G、B，通过例如柔性版印刷法等的印刷法分别以埋入凹区域C的密封绝缘膜40 (上表面Cl)的方式形成。因此，着色膜R、G、B分别与密封绝缘膜40的各像素P的上表面Cl接触。此外，着色膜R、G、B只要以至少埋入上表面Cl的凹陷的方式形成即可，其一部分也可以形成在凸区域S的上表面SI。着色膜R、G、B的形成区域俯视时比像素电极32大。
[0055]通过具有这样的结构，着色膜R、G、B的上表面CFl与上表面SI中从着色膜R、G、B露出的面S2所成的面，成为比由上表面Cl和上表面SI所成的面的轮廓更接近平坦的形状。
[0056]彩色滤光片CF的上表面例如隔着保护膜45由相对基板50覆盖。保护膜45只要为具有绝缘性的材料即可，其材料并不特别限定。作为保护膜45，能够使用光固化性的树月旨、或通过印刷法配置的绝缘性的片。此外，保护膜45如果具有作为相对基板50的功能，则能够省略配置在保护膜45上的相对基板50。
[0057]本实施方式的有机电致发光显示装置I中，着色膜R、G、B以埋入凹区域C的方式形成，所以仅隔着密封绝缘膜40配置在有机电致发光发光元件30的发光区域L上。因此，与现有结构的有机电致发光显示装置相比，发光区域L与彩色滤光片CF的着色膜R、G、B之间的距离较小。
[0058]因此，本实施方式的有机电致发光显示装置I中，能够防止从有机电致发光发光元件30产生的光向相邻的像素P泄漏。因此，能够实现有机电致发光显示装置I的高微细化和视角的降低。
[0059]另外，本实施方式的有机电致发光显示装置I与不具有本结构的有机电致发光显示装置相比，由着色膜R、G、B的上表面CFl和上表面SI中从着色膜R、G、B露出的面S2所成的面，成为比由上表面Cl和上表面SI所成的面的轮廓更接近平坦的形状，所以能够使覆盖彩色滤光片CF上的保护膜45的厚度较薄。
[0060]另外，保护膜45如果具有作为相对基板的功能，则能够省略配置在保护膜45上的相对基板50，所以能够实现有机电致发光显示装置I的薄型化。
[0061]另外，本实施方式的有机电致发光显示装置I中，密封绝缘膜40由无机材料构成，由此能够使上表面Cl和上表面SI所成的面形成为微细的形状。因此，埋入到上表面Cl的着色膜R、G、B的形状也变得微细，能够实现有机电致发光显示装置I的高微细化。
[0062]另外，本实施方式的有机电致发光显示装置I中，保护膜45为由有机材料构成的膜和由无机材料构成的膜的多层构造，由此能够调整上表面Cl和上表面SI所成的面的形状、以及上表面Cl和上表面SI离TFT基板10的高低差。因此，能够实现有机电致发光显示装置I的高微细化。
[0063]接着，利用附图对本发明的一个实施方式的有机电致发光显示装置I的制造方法进行说明。图3是在与图2相同的视野中表示图2所示的有机电致发光显示装置I的制造方法的概略截面图，图4A、4B、4C是表示图2所示的有机电致发光显示装置I的制造方法的概略