增强片和二次安装半导体装置的制造方法

文档序号:9332849阅读:242来源:国知局
增强片和二次安装半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及增强片和二次安装半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子设备的小型、薄型化,高密度安装的要求、特别是在移动电话等便携式电 子设备用途中急剧增加。因此,半导体封装中适于高密度安装的表面安装型已代替以往的 销插入型成为主流。该表面安装型将对半导体元件进行树脂密封而成的半导体装置经由焊 球等连接用端子直接焊接于二次安装用的印刷基板等。
[0003]在此,在便携式电子设备用途中常常会施加落下冲击,因此,要求耐冲击性。对此, 在上述的二次安装中,为了确保一次安装半导体装置与布线基板之间的连接可靠性,对一 次安装半导体装置与基板之间的空间进行密封树脂的填充。作为这样的密封树脂,广泛使 用液态的密封树脂,但由于其为液态,因此,难以调整密封树脂的注入位置、注入量,或者因 二次安装用的较大的焊球而使焊球与基板之间的间隔变宽,注入量变多。因此,提出了使用 热固化树脂片集中地对焊球与二次安装基板的连接部附近的区域而非半导体装置与基板 之间的整个空间进行增强的技术(专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本专利第4699189号

【发明内容】

[0007] 发明所要解决的问题
[0008]但是,已经阐明,施加于便携式电子设备的落下冲击等使焊球的一次安装基板侧 的根基部分而非焊接连接部产生裂纹,有时引起连接不良等功能障碍,要求应对这样的情 况。另外,上述技术中,在1个或多个半导体装置与热固化树脂片的层叠体的背面磨削、切 割等加工中,需要采用另外的构件或工序,二次安装的半导体装置的制造工序整体的效率 化仍有改善的余地。
[0009]本发明的目的在于提供能够制作耐冲击性优良的二次安装半导体装置、并且能够 实现二次安装工序的效率化的增强片和使用该增强片的二次安装半导体装置的制造方法。
[0010] 用于解决问题的手段
[0011] 因此,本发明人将背面磨削用的背磨带、切割用的切割带等以往的加工用带与规 定的热固化树脂片组合而制成突起电极增强用的片,在对突起电极的一次安装基板侧的根 基部分(以下,也仅称为"根基部分")进行增强的同时尝试了包括各加工在内的制造工序 的效率化。但是发现,对于这样的片而言,突起电极前端的露出不充分而产生连接不良,或 者在加工用带的剥离后产生突起电极的污染。
[0012] 本发明人进行了深入研究,结果发现,通过采用下述构成,能够达到上述目的,从 而完成了本发明。
[0013] S卩,本发明为一种增强片,用于对在第1主面上形成有突起电极的一次安装半导 体装置经由该突起电极与布线基板电连接而成的二次安装半导体装置进行增强,
[0014] 所述增强片依次具备基材层、粘合剂层和热固性树脂层,
[0015] 所述粘合剂层的断裂强度为0.07MPa以上,且60~100 °C下的熔融粘度为 4000Pa?s以下。
[0016] 该增强片中,由于包含具备基材层和粘合剂层的加工用带、以及能够对突起电极 的根基部分进行增强的热固性树脂层,因此能够在对突起电极的根基部分进行增强的同时 连续地进行背面磨削、切割等加工,能够制作耐冲击性优良的二次安装半导体装置,并且能 够容易地实现该制造工序的效率化。另外,由于使粘合剂层的断裂强度为〇. 〇7MPa以上,因 此即使在一次安装半导体装置从加工用带剥离时也能够抑制粘合剂层的断裂,能够防止突 起电极上的胶糊残留。此外,由于使粘合剂层在60~100 °C下的熔融粘度为4000Pa?s以 下,因此在加热下将增强片与一次安装半导体装置贴合时,突起电极能够容易地进入粘合 剂层,能够容易地对从侧面观察突起电极时的热固性树脂层的配置位置进行微调。结果,即 使变更突起电极的形状、尺寸,也能够调整其进入量,因此,能够应对各种突起电极的根基 部分的增强。另外,断裂强度和熔融粘度的测定方法如实施例所记载。
[0017] 该增强片中,上述热固性树脂层的厚度优选为上述突起电极的高度的50%以下。 由此,突起电极能够穿越过热固性树脂层而达到粘合剂层。结果,在之后的加工用带的剥离 时,突起电极由热固性树脂层露出,因此能够与布线基板进行良好的电连接。同时,突起电 极由热固性树脂层露出的量容易进行调整,因此能够简便地调整根基部分的增强程度。
[0018] 该增强片中,上述热固性树脂层与上述粘合剂层之间的剥离力优选为0? 02N/20mm 以上且0. 3N/20mm以下。通过设定为这样的剥离力,能够均衡地兼顾一次安装半导体装置 的加工时的保持力和从加工用带剥离时的剥离性。
[0019] 该增强片优选在上述基材层与上述粘合剂层之间进一步具备包含热塑性树脂的 中间层。突起电极的尺寸增大时,为了实现增强片贴合时的突起电极的进入,需要分别增厚 热固性树脂层和粘合剂层。但是,在使各层增厚的情况下,难以对突起电极的根基区域进行 集中性增强,或者产生粘合剂层的断裂强度的下降。与此相对,通过设置包含热塑性树脂的 中间层,突起电极容易进入因贴合时的加热而软化的中间层,因此,能够降低变更热固性树 脂层和粘合剂层的厚度的必要性。
[0020] 本发明中,还包含一种二次安装半导体装置的制造方法,该二次安装半导体装置 为在第1主面上形成有突起电极的一次安装半导体装置经由该突起电极与布线基板电连 接而成的二次安装半导体装置,所述制造方法包括如下工序:
[0021] (A)在所述一次安装半导体装置的第1主面上贴合该增强片的工序,
[0022] (B)在利用所述增强片的保持下对所述一次安装半导体装置进行加工的工序,
[0023] (C)将所述增强片中的所述热固性树脂层与所述粘合剂层剥离而得到带有所述热 固性树脂层的一次安装半导体装置的工序,以及
[0024] (D)将带有所述热固性树脂层的一次安装半导体装置经由所述突起电极与布线基 板电连接的工序。
[0025] 根据该制造方法,对一次安装半导体装置赋予用于增强突起电极的根基部分的热 固性树脂层,并且在利用增强片的保持下对一次安装半导体装置进行各种加工,因此,能够 效率良好地制造耐冲击性优良的二次安装半导体装置。
[0026] 在该制造方法的工序(A)中,优选以使所述突起电极达到所述粘合剂层的方式贴 合所述增强片。由此,能够确保突起电极与布线基板的电连接,能够提高连接可靠性。
[0027] 该制造方法中,可以使所述粘合剂层为辐射线固化型粘合剂层,在对该辐射线固 化型粘合剂层照射辐射线后进行工序(B)。仅通过对辐射线照射型的粘合剂层照射辐射线, 就能够降低热固性树脂层与粘合剂层之间的剥离力,能够容易地将热固性树脂层剥离。
【附图说明】
[0028] 图1是表示本发明的一个实施方式的增强片的截面示意图。
[0029] 图2A是表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0030] 图2B是表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0031] 图2C是表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0032] 图2D是表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0033] 图2E是表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0034] 图2F是表示本发明的一个实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0035] 图3A是表示本发明的另一实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0036] 图3B是表示本发明的另一实施方式的半导体装置的制造工序的一个工序的截面 示意图。
[0037] 图4是表示本发明的另一实施方式的增强片的截面示意图。
[0038] 图5是表示本发明的另一实施方式的二次安装半导体装置的截面示意图。
【具体实施方式】
[0039] 本发明为一种增强片,用于对在第1主面上形成有突起电极的一次安装半导体装 置经由该突起电极与布线基板电连接而成的二次安装半导体装置进行增强,该增强片依次 具备基材层、粘合剂层和热固性树脂层,上述粘合剂层的断裂强度为〇. 〇7MPa以上,且60~ 100°C下的熔融粘度为4000Pa?s以下。
[0040] 另外,本发明为一种二次安装半导体装置的制造方法,该二次安装半导体装置为 在第1主面上形成有突起电极的一次安装半导体装置经由该突起电极与布线基板电连接 而成的二次安装半导体装置,该制造方法包括如下工序:(A)在上述一次安装半导体装置 的第1主面上贴合该增强片的工序、(B)在利用上述增强片的保持下对上述一次安装半导 体装置进行加工的工序、(C)将上述增强片中的上述热固性树脂层与上述粘合剂层剥离而 得到带有上述热固性树脂层的一次安装半导体装置的工序、以及(D)将带有上述热固性树 脂层的一次安装半导体装置经由上述突起电极与布线基板电连接的工序。以下,沿着二次 安装半导体装置的制造方法对作为本发明的一个实施方式的第1实施方式进行说明。
[0041]〈第1实施方式〉
[0042] 在第1实施方式中,对使用将半导体芯片倒装芯片安装于中介层而成的封装体作 为一次安装半导体装置、进行背面磨削作为一次安装半导体装置的加工的方式进行说明。
[0043] [工序(A)]
[0044] 在工序(A)中,在一次安装半导体装置的第1主面上贴合规定的增强片。以下,首 先对增强片进行说明,然后,对利用该增强片的二次安装半导体装置的制造工序进行说明。
[0045](增强片)
[0046] 如图1所示,增强片8依次具备基材层la、粘合剂层lb和热固性树脂层2。在本 实施方式中,基材层la和粘合剂层lb构成背面磨削用带1。另外,如图1所示,热固性树 脂层2以足够与一次安装半导体装置10 (参照图2A)的树脂密封集合体贴合的尺寸设
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