间形成牺牲栅极电极材料，如框210阐述的。如框212阐述的，可以去除鳍片结构的在牺牲栅极电极材料和间隔体之外的一部分，以形成鳍片结构第一端和相对的鳍片结构第二端。可以形成底层蚀刻停止结构，以邻接鳍片结构第一端和鳍片结构第二端，如框214阐述的。如框216阐述的，可以形成源极结构和漏极结构，以邻接鳍片结构的相对端上的底层蚀刻停止结构。如框218阐述的，可以在源极结构和漏极结构上方形成层间电介质层。可以从间隔体之间去除牺牲栅极电极材料，如框220阐述的。如框222阐述的，可以从沟道材料层之间选择性地去除牺牲材料层，以形成至少一个沟道纳米线。如框224阐述的，可以形成栅极电介质材料，以围绕间隔体之间的沟道纳米线。可以在栅极电介质材料上形成栅极电极材料，如框226阐述的。
[0029]图17示出了根据本描述的一个实施方式的计算设备300。计算设备300容纳板302。板302可以包括若干部件，包括但不限于处理器304和至少一个通信芯片306。处理器304物理地且电地耦合到板302。在一些实施方式中，至少一个通信芯片306也物理地且电地耦合到板302。在进一步的实施方式中，通信芯片306是处理器304的部分。
[0030]取决于其应用，计算设备300可以包括其它部件，其可以或可以不物理地且电地耦合到板302。这些其它部件包括但不限于易失性存储器(例如，DRAM)、非易失性存储器(例如R0M)、闪存、图形处理器、数字信号处理器、加密处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编码解码器、视频编码解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、指南针、加速度计、陀螺仪、扬声器、相机和大容量储存设备(诸如，硬盘驱动器、光盘(⑶)、数字多用途盘(DVD)等等)。
[0031]通信芯片306实现了用于往来于计算设备300传送数据的无线通信。术语“无线”及其派生词可以用于描述可以通过非固态介质通过使用调制电磁辐射传送数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并非暗示相关设备不包含任何导线，尽管在一些实施例中它们可以不包含。通信芯片306可以实施若干无线标准或协议中的任意一个，包括但不限于 W1-Fi (IEEE 802.11 族)、WiMAX (IEEE 802.16 族)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、其派生物，以及被指定为3G、4G、5G及之后的任何其它无线协议。计算设备300可以包括多个通信芯片306。例如，第一通信芯片306可以专用于近距离无线通信，诸如W1-Fi和蓝牙，而第二通信芯片306可以专用于远距离无线通信，诸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。
[0032]计算设备300的处理器304包括封装在处理器304内的集成电路管芯。在本描述的一些实施方式中，处理器的集成电路管芯包括一个或多个器件，诸如根据本描述的实施方式构成的纳米线晶体管。术语“处理器”可以指代任何设备或设备的部分，其处理来自寄存器和/或存储器的电子数据，以将该电子数据转变为可以存储在寄存器和/或存储器中的其它电子数据。
[0033]通信芯片306还包括封装在通信芯片306内的集成电路管芯。根据本描述的另一个实施方式，通信芯片的集成电路管芯包括一个或多个器件，诸如根据本描述的实施方式构成的纳米线晶体管。
[0034]在进一步的实施方式中，容纳在计算设备300中的另一个部件可以包含集成电路管芯，其包括一个或多个器件，诸如根据本描述的实施方式构成的纳米线晶体管。
[0035]在各个实施方式中，计算设备300可以是膝上型计算机、上网本、笔记本、超级本、智能电话、平板计算机、个人数字助理(PDA)、超移动PC、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描器、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数码相机、便携式音乐播放器、或数码摄像机。在进一步的实施方式中，计算设备300可以是处理数据的任何其它电子设备。
[0036]应当理解的是，本描述的主题不必局限于图1-17所示的特定应用。如本领域技术人员将理解的，该主题可以应用于其它微电子器件和组件应用以及任何适当的晶体管应用。
[0037]以下示例涉及进一步的实施例，其中，示例I是一种纳米线晶体管，所述纳米线晶体管包括:至少一个纳米线沟道，所述至少一个纳米线沟道具有第一端和相对的第二端；源极结构，所述源极结构接近至少一个纳米线第一端，其中，第一底层蚀刻停止结构设置在所述源极结构与所述至少一个纳米线第一端之间；以及漏极结构，所述漏极结构接近至少一个纳米线第二端，其中，第二底层蚀刻停止结构设置在漏极结构与至少一个纳米线第二端之间。
[0038]在示例2中，示例I的主题可以可选地包括栅极电介质材料，所述栅极电介质材料邻接纳米线沟道第一端与纳米线沟道第二端之间的纳米线沟道。
[0039]在示例3中，示例2的主题可以可选地包括栅极电极材料，所述栅极电极材料邻接栅极电介质材料。
[0040]在示例4中，示例3的主题可以可选地包括栅极电极材料，所述栅极电极材料邻接第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构。
[0041]在示例5中，示例I至4中的任何示例的主题可以可选地包括纳米线沟道、第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构是相同的材料。
[0042]在示例6中，示例I至4中的任何示例的主题可以可选地包括纳米线沟道、第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构是硅锗。
[0043]在示例7中，示例I至4中的任何示例的主题可以可选地包括纳米线沟道、第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构是硅。
[0044]在示例8中，示例I至7中的任何示例的主题，其中，至少一个纳米线沟道可以包括形成于微电子衬底之上的多个纳米线沟道，其中，纳米线沟道彼此间隔开。
[0045]在不例9中，一种形成微电子结构的方法可以包括在微电子衬底上形成鳍片结构，其中，所述鳍片结构包括与至少一个沟道材料层交替的至少一个牺牲材料层；跨鳍片结构形成至少两个间隔体；在至少两个间隔体之间形成牺牲栅极电极材料；去除在牺牲栅极电极材料与间隔体之外的一部分鳍片结构，以形成鳍片结构第一端和相对的鳍片结构第二端；形成底层蚀刻停止结构，以邻接鳍片结构第一端和鳍片结构第二端；以及形成源极结构和漏极结构，以邻接在鳍片结构的相对端上的底层蚀刻停止结构。
[0046]在示例10中，示例9的主题可以可选地包括在源极结构和漏极结构上方形成层间电介质层；从间隔体之间去除牺牲栅极电极材料；以及选择性地去除在沟道材料层之间的牺牲材料层，以形成至少一个沟道纳米线。
[0047]在示例11中，示例10的主题可以可选地包括形成栅极电介质材料，以围绕间隔体之间的沟道纳米线；以及在栅极电介质材料上形成栅极电极材料。
[0048]在示例12中，示例9至11中的任何一个的主题可以可选地包括通过形成微电子衬底在微电子衬底上形成鳍片结构；形成叠置层，所述叠置层包括与至少一个沟道材料层交替的至少一个牺牲材料层；以及由分层叠置体形成至少一个鳍片结构。
[0049]在示例13中，示例9至12中的任何一个的主题可以可选地包括沟道材料层、第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构是相同的材料。
[0050]在示例14中，示例9至12中的任何一个的主题可以可选地包括沟道材料层、第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构是硅锗。
[0051]在示例15中，示例9至12的任何一个的主题可以可选地包括沟道材料层、第一底层蚀刻停止结构和第二底层蚀刻停止结构是硅。
[0052]在示例16中，一种计算设备可以包括板，所述板包括至少一个部件，其中，所述至少一个部件包括至少一个微电子结构，所述至少一个微电子结构包括纳米线晶体管，所述纳米线晶体管包括:至少一个纳米