150与流体施用器155绘示为置于该研磨垫120的处理表面125上方。 流体施用器155包括一或更多个喷嘴160,用以对该研磨垫120的半径的至少一部分提供 研磨流体或研磨化合物。该流体是化学溶液、清洁溶液、或这些溶液的组合，主要组成为水 (例如，约70%至90%，或更高含量的去离子水（DIW))。举例而言，该流体可为含有研磨剂 或不含研磨剂的研磨化合物，用以帮助材料自基板135的特征侧移除。还原剂和氧化剂（例 如过氧化氢）也可被添加至流体。或者是，该流体是润洗剂，例如DIW，该润洗剂用以润洗或 冲洗来自研磨垫120的研磨材料的研磨副产物。
[0026] 调节装置150 -般包括调节头165。调节头165可包括光学装置170。该光学装 置170是激光发射器、透镜、镜体、或其他适合用于发射、传送或引导光束至该研磨垫120的 处理表面125的装置。调节头165通过支撑臂180而耦接至支撑构件175。支撑构件175 被设置通过处理站100的基部110。轴承（未示）设置于基部110和支撑构件175之间，以 增进支撑构件175关于旋转轴C相对于基部110而旋转。致动器185耦接于基部110和支 撑构件175之间，以控制支撑构件175关于旋转轴C的旋转方向，使调节头165以弧形或扫 掠动作而于研磨垫120的处理表面125上方移动。致动器185也提供支撑构件175的垂直 定位（在Z方向中），以提供调节头165相对于研磨垫120的高度控制。在某些实施例中， 致动器185也可用以于研磨垫120和调节头165之间提供接触，同时以可控制的向下力使 调节头165推抵于研磨垫120的处理表面125。支撑构件175容纳驱动构件，以选择性地 控制调节头165和光学装置170中的其中一个相对于研磨垫120的处理表面125的平面的 垂直位置（在Z轴中）及/或角度a。支撑构件175及/或支撑臂180也可包含耦接于 信号产生器195与该光学装置170之间的信号构件190。该信号产生器195是可控制的电 源，且信号构件190可为导线或光纤。
[0027] 图2A是图1所示的处理站100的俯视平面图。在一实施例中，设置在处理站100 中的研磨垫120包括图案化的处理表面200,该图案化的处理表面200在处理期间增进了自 基板135的材料移除及/或流体传输。该图案化的处理表面200由图1的调节装置150所 提供。该图案化的处理表面200可包括形成于主体122中达一特定深度的沟槽或通道（下 文中称为标记205)。每一个标记205可包括由调节装置150在研磨垫120的主体122中所 形成的流体保留结构。标记205可为线性或弯曲状、锯齿状，且在研磨垫120上可具有放射 状、格栅状、螺旋状、或圆形的取向。标记205可为交错的或非交错的。可替代的、或除此之 外，研磨垫120的处理表面125是浮凸的。
[0028] 在此实施例中，该图案化的处理表面200包括数个同心状标记205。在某些实施例 中，标记205是间断的，以形成由研磨垫120的处理表面125的未调节区域208B(例如，研 磨垫120的处理表面125中未受光学装置170调节的区域）所分隔的分离标记208A。每一 个标记208A都可以是沟槽、通道或孔洞，这些沟槽、通道或孔洞包括由调节装置150在研磨 垫120的主体122中所形成的流体保留结构。标记208A也可为线性或弯曲状、锯齿状，且 在研磨垫120上可具有放射状、格栅状、螺旋状、或圆形的取向。图2A也绘示了设置在研磨 垫120的处理表面125上的基板135 (部分以虚线表示），以代表在研磨期间在图案化的处 理表面200上的基板135的研磨扫描图案215的一个实施例。
[0029] 每一个标记205及/或标记208A可由信号产生器195的连续性或间歇性脉冲所 形成，以自该光学装置170提供连续性或间歇性的光束，该光束被引导向研磨垫120的处理 表面125。标记208A可于研磨垫120的处理表面中限定孔洞、或是短的、线性的或弯曲状的 通道的阵列，如图2A所示。在研磨及/或调节期间，研磨垫120以大约每分钟0. 5转（rpm) 至大约150rpm旋转。支撑构件175可旋转以使设置在支撑臂180上的光学装置170可以 扫描图案210移动于整个研磨垫120的处理表面125上。在一方面，研磨垫120在处理期 间的旋转动作结合来自光学装置170的光学能量的施加及/或扫描图案210而使用，以在 研磨垫120的处理表面125上形成标记205及/或标记208A的图案。研磨垫120的处理 表面125上的标记205及/或标记208A的图案可包括大约50微米至大约1000微米的间 距。
[0030] 在一个实施例中，在研磨垫120的处理表面125中所形成的标记205及/或标记 208A的至少一部分可包括大约50微米至大约500微米的宽度。在研磨垫120的处理表面 125中所形成的标记205及/或标记208A可包括大约为5微米至大约250微米（例如大约 25微米至约125微米）的深度。在研磨垫120的处理表面125中所形成的标记205及/或 标记208A的宽度及/或深度可利用光学装置170而于研磨垫120的整个使用寿命期间都 得以维持。举例而言，光学装置170用以于研磨处理期间、或在研磨处理之间刷新标记205 及/或208A的宽度及/或深度。在一个实施例中，光学装置170用以刷新在研磨垫120上 研磨的每一个基板135之间的标记205及/或标记208A的宽度及/或深度，例如在研磨第 一基板之后、且在研磨第二基板之前。在另一实施例中，光学装置170用以刷新标记205及 /或标记208A的宽度及/或深度，这是视需要而在对多于一个基板135 (例如两个或更多的 基板）进行研磨处理之后进行。
[0031] 图2B是研磨垫120的一部分的截面图，该图绘示了在处理表面125中的分级 (graded)沟槽图案。该分级沟槽图案包括由光学装置170在主体122的不均匀深度处所形 成的第一沟槽220A与第二沟槽220B。举例而言，当光学装置170为激光装置时，功率于低 功率设定间加以脉冲化，以于第一、较浅深度处形成第一沟槽220A，并于第二、较深深度处 形成第二沟槽220B。第一沟槽220A与第二沟槽220B可于处理表面125中形成为连续沟 槽，例如图2A中所示的标记205。虽未绘示，第一沟槽220A和第二沟槽220B也可形成为阵 列，例如图2A中所示的标记208A。
[0032] 图3至图7是图1中所示的调节装置150的各种实施例的侧视截面图。为求简明， 在图1和图3至图7中所示的共同元件的说明即不再加以赘述。
[0033] 图3是调节装置150的示意截面图，该调节装置150具有设置在调节头165中的 光学装置170。在此实施例中的光学装置170是激光发射器305。激光发射器305可固定 于调节头165中，且用以通过致动器310而相对于该调节头165而移动。致动器310可固 定于调节头165和激光发射器305之间。致动器310可以是伺服马达或步进马达、气动式 汽缸、螺线管等，用以使激光发射器305对研磨垫120的处理表面125的平面垂直地、侧向 地、以一角度关系地、或这些情况的组合而移动。
[0034] 激光发射器305用以对研磨垫120发射连续性或脉冲式的主要光束315 (类似于 图1中所示的实施例），以形成如图2A与图2B所示及说明的沟槽图案。在一方面，主要光 束315是提供于可让研磨垫材料优先于研磨处理中所使用的研磨流体而吸收的波长范围， 以形成如图2A与图2B所示及说明的标记及/或沟槽图案。在另一方面，主要光束315提 供于与研磨处理中所使用的研磨流体实质上不反应、但与研磨垫材料反应的波长范围中， 以形成如图2A与图2B所示及说明的沟槽图案。
[0035] "实质上不反应"可定义为该光束在正常操作条件（亦即，光束的波长范围、光束的 输出功率、光束的光斑（spot)尺寸、光束在研磨垫片材料上的停驻时间、以及前述条件的 组合）下无法使研磨流体产生相变化。"实质上不反应"也可定义为该光束在于本文所述的 调节处理中的正常使用下无法使研磨流体加热及/或沸腾。举例而言，在使用脉冲式光束 及/或短停驻时间的正常操作条件下，本文所述的激光发射器305的波长不会使研磨流体 的温度实质上升。
[0036] 激光发射器305的输出功率可约为2瓦（W)至约20W、或更高，且被配置以于研磨 垫120的处理表面125上产生具有约25微米至约250微米的光斑尺寸的光束。窗部320 可于主要光束315的路径中耦接至调节头165,以避免调节处理中所产生的碎片接触激光 发射器305及/或调节头165的内部。窗部320对于主要光束315而言是透明的，或是可 被配置为滤光器，该滤光