6所示，包括:衬底I (N-Sub)、外延层2 (N-Epi)、初氧层9以及位于外延层2内部的体区5，外延层2位于衬底I之上，初氧层9位于外延层2之上，初氧层9上的空白位置为被刻蚀掉的部分。可选的，初氧层9的厚度可以为3000A。可选的，第一离子可以为硼离子。
[0046]502、通过体区注入窗口 11对外延层2进行第二离子的注入和驱入，形成源区6。
[0047]其中，形成源区6后平面VDMOS器件的结构示意图可以如图7所示，源区6具体位于体区5内部。可选的，第二离子可以为磷离子。
[0048]503、去掉外延层2的表面上的初氧层9。
[0049]其中，去掉外延层2的表面上的初氧层9后平面VDMOS器件的结构示意图可以如图8所7K。去掉外延层2的表面上的初氧层9的过程具体可以为:在外延层2的表面上生成牺牲氧层；湿法去掉外延层2的表面上的所有氧化层，即去掉外延层2的表面上的牺牲氧层和初氧层9。
[0050]504、在外延层2的表面上依次生成栅氧层3、多晶娃层4和介质层8。
[0051]其中，生成栅氧层3、多晶硅层4 (Poly)和介质层8后平面VDMOS器件的结构示意图可以如图9所示，栅氧层3位于衬底I之上，多晶硅层4位于栅氧层3之上，介质层8位于多晶硅层4之上。另外，介质层8的材料具体可以为氧化硅。
[0052]505、对介质层8进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过接触孔对外延层2进行第三离子的注入，形成深体区。
[0053]其中，形成深体区(De印body)后平面VDMOS器件的结构示意图可以如图10所示。可选的，第三离子可以为二氟化硼(BF2)。
[0054]506、对源区6进行刻蚀。
[0055]507、在介质层8的表面上生成金属层，并对金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线。
[0056]进一步地，步骤505具体可以包括:对介质层8进行光刻；分别对介质层8、多晶硅层4和栅氧层3进行刻蚀，形成接触孔；通过接触孔对外延层2进行第三离子的注入，形成深体区。
[0057]需要进行说明的是，步骤505中先对介质层8进行光刻，然后分别对介质层8、多晶硅层4和栅氧层3进行刻蚀，形成接触孔的过程，使得步骤505中只需要一个光刻版，就可以完成对介质层8、多晶硅层4和栅氧层3的光刻和刻蚀，因此本发明提供的平面VDMOS器件的制造方法中所需要的光刻版的数量为3个，而现有技术中平面VDMOS器件的制造方法中所需要的光刻版的数量为4个，相对于现有技术而言，本发明提供的平面VDMOS器件的制造方法在一定程度上降低了平面VDMOS器件的制造成本和生产成本。
[0058]更进一步地，步骤506中对源区6进行刻蚀所采用的工艺为spacer自对准工艺。对应的，步骤506采用spacer自对准工艺对源区6进行刻蚀的过程可以包括:在介质层8的表面以及接触孔内生成氮化硅层10 ;对接触孔底部的氮化硅层10进行刻蚀，形成侧墙；对侧墙保护区域以外的源区6进行刻蚀。
[0059]其中，生成氮化硅层10后平面VDMOS器件的结构示意图可以如图11所示；对氮化硅层10进行刻蚀，形成侧墙时平面VDMOS器件的结构示意图可以如图12所示；对侧墙保护区域以外的源区6进行刻蚀后平面VDMOS器件的结构示意图可以如图13所示。
[0060]本实施例中，在外延层2的表面上生成栅氧层3之前，先在外延层2的表面上生成初氧层9，对初氧层9进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口 11，通过体区注入窗口 11进行两种离子的注入和驱入，形成体区5和源区6，然后去掉外延层2的表面上的初氧层9，而在外延层2的表面上生成栅氧层3、多晶娃层4和介质层8之后,再对介质层8进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过接触孔对外延层2进行离子的注入，形成深体区，在介质层8的表面上生成金属层后，得到平面VDMOS器件，从而保证在体区5、源区6和深体区的形成过程中，不会在栅氧中引入大量可动电荷，从而减小栅源间漏电IGSS，延长平面VDMOS器件的寿命且保证平面VDMOS器件能够正常工作，提高平面VDMOS器件的性能。
[0061]本领域普通技术人员可以理解:实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括:R0M、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0062]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种平面VDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括: 在外延层的表面上生成初氧层，对所述初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区； 通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区； 去掉所述外延层的表面上的所述初氧层； 在所述外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层； 对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区； 对所述源区进行刻蚀； 在所述介质层的表面上生成金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区，包括: 对所述介质层进行光刻； 分别对介质层、多晶硅层和栅氧层进行刻蚀，形成接触孔； 通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述源区进行刻蚀所采用的工艺为spacer自对准工艺。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述源区进行刻蚀，包括: 在所述介质层的表面以及接触孔内生成氮化硅层； 对所述接触孔底部的氮化硅层进行刻蚀，形成侧墙； 对所述侧墙保护区域以外的源区进行刻蚀。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去掉所述外延层的表面上的所述初氧层，包括: 在所述外延层的表面上生成牺牲氧层； 湿法去掉所述外延层的表面上的所有氧化层。6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅。7.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述初氧层的厚度为3000A。
【专利摘要】本发明涉及一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：在外延层的表面上生成初氧层，对初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过体区注入窗口对外延层进行两种离子的注入和驱入，形成体区和源区；去掉外延层的表面上的初氧层；在外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层；对介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过接触孔对外延层进行第三离子的注入和驱入，形成深体区；对源区进行刻蚀；在介质层的表面上生成金属层并对其进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，从而保证在体区、源区和深体区的形成过程中，不会在栅氧层中引入大量可动电荷，从而减小栅源间漏电IGSS，提高平面VDMOS器件的性能。
【IPC分类】H01L21/336
【公开号】CN105097540
【申请号】CN201410217049
【发明人】赵圣哲
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月21日