工艺，保留5%?15%的光刻胶图形层41，可以有效改善由于干法刻蚀工艺对金属层材料层3的材料因被氧化而导致的黑点现象，进而消除黑点现象在显示过程中不良影响；同时，由于在进行本次灰化工艺时，还没有进行干法刻蚀工艺，因此，可以有效消除由于灰化工艺导致的玻璃基板下部温度不均所引起的对栅极绝缘层I刻蚀不均而产生的Embossing Mura。
[0054]优选地，步骤S4包括:采用干法刻蚀工艺去除完全去除区域C的有源层材料层2。
[0055]优选地，步骤S5包括:采用灰化工艺去除部分保留区域A的剩余光刻胶图形层41ο
[0056]步骤S6包括:S61，去除部分保留区域A的金属层材料层3，以形成源漏电极6。优选地，步骤S61包括:通过湿法刻蚀工艺去除部分保留区域A的金属层材料层3，以形成源漏电极6(如图3f所示)。
[0057]S62，去除部分部分保留区域A的有源层材料层2，以形成沟道区7。优选地，步骤S62包括:采用干法刻蚀工艺去除部分部分保留区域A的有源层材料层2，以形成沟道区7(如图3g所示)。
[0058]由于在第一次灰化工艺中保留5%?15%的光刻胶图形层41，减小了对于光刻胶图形层41的横向刻蚀，使得源漏电极6上方的光刻胶图形层41的剩余量较多，能够使有源层台阶51明显减小，进而减小寄生电容，提高了显示品质；同时，本次干法刻蚀工艺还可以对栅极绝缘层台阶11进行刻蚀，以减小栅极绝缘层台阶11的尺寸，提高显示品质。
[0059]S63，去除完全保留区域B上覆盖的光刻胶图形层41，以使源漏电极6暴露(如图3h所示)ο
[0060]本实施例的薄膜晶体管的制备方法中，通过在第一次干法刻蚀工艺之前添加一次灰化工艺，保留5%?15%的光刻胶图形层41，可以有效改善由于干法刻蚀工艺对金属层材料层3的材料因被氧化而导致的黑点现象，进而消除黑点现象在显示过程中不良影响；由于在进行第一次灰化工艺时，干法刻蚀工艺还没有进行，可以有效消除由于灰化工艺导致的玻璃基板下部温度不均所引起的对栅极绝缘层I刻蚀不均而产生的Embossing Mura ；源漏电极6上方的光刻胶图形层41的剩余量较多，能够使有源层台阶51明显减小，进而减小寄生电容，提尚了显不品质。
[0061]实施例2:
[0062]本实施例提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用实施例1的方法制备。
[0063]本实施例的薄膜晶体管，采用实施例1的方法制备，通过在第一次干法刻蚀工艺之前添加一次灰化工艺，保留5%?15%的光刻胶图形层41，可以有效改善由于干法刻蚀工艺对金属层材料层3的材料因被氧化而导致的黑点现象，进而消除黑点现象在显示过程中不良影响；由于在进行第一次灰化工艺时，干法刻蚀工艺还没有进行，可以有效消除由于灰化工艺导致的玻璃基板下部温度不均所引起的对栅极绝缘层I刻蚀不均而产生的Embossing Mura ;源漏电极6上方的光刻胶图形层41的剩余量较多，能够使有源层台阶51明显减小，进而减小寄生电容，提尚了显不品质。
[0064]实施例3:
[0065]本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板中包括实施例2中的薄膜晶体管。
[0066]本实施例的阵列基板，包括实施例2中的薄膜晶体管，可以有效改善由于干法刻蚀工艺对金属层材料层3的材料因被氧化而导致的黑点现象，进而消除黑点现象在显示过程中不良影响；可以有效消除由于灰化工艺导致的玻璃基板下部温度不均所引起的对栅极绝缘层I刻蚀不均而产生的Embossing Mura ;能够使有源层台阶51明显减小，进而减小寄生电容，提尚了显不品质。
[0067]实施例4:
[0068]本实施例提供了一种显示装置，其包括上述实施例3中的阵列基板。所述显示装置可以为:液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0069]本实施例的显示装置，包括实施例3中的阵列基板，可以有效改善由于干法刻蚀工艺对金属层材料层3的材料因被氧化而导致的黑点现象，进而消除黑点现象在显示过程中不良影响；可以有效消除由于灰化工艺导致的玻璃基板下部温度不均所引起的对栅极绝缘层I刻蚀不均而产生的Embossing Mura ;能够使有源层台阶51明显减小，进而减小寄生电容，提尚了显不品质。
[0070]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: SI，在衬底上沉积栅极绝缘层、有源层材料层、金属层材料层、光刻胶层材料层，并通过曝光、显影在所述金属层材料层上形成光刻胶图形层，所述光刻胶图形层包括部分保留区域、完全保留区域和完全去除区域； S2，去除所述完全去除区域的所述金属层材料层； S3，去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层； S4，去除所述完全去除区域的所述有源层材料层； S5，去除所述部分保留区域的剩余所述光刻胶图形层； S6，形成源漏电极和沟道区。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S6包括: S61，去除所述部分保留区域的所述金属层材料层，以形成源漏电极； S62，去除部分所述部分保留区域的所述有源层材料层，以形成沟道区； S63，去除所述完全保留区域上覆盖的所述光刻胶图形层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括:通过湿法刻蚀工艺去除所述完全去除区域的所述金属层材料层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括:采用灰化工艺去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括:采用干法刻蚀工艺去除所述完全去除区域的所述有源层材料层。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括:采用灰化工艺去除所述部分保留区域的剩余所述光刻胶图形层。7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S61包括:通过湿法刻蚀工艺去除所述部分保留区域的所述金属层材料层，以形成源漏电极。8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S62包括:采用干法刻蚀工艺去除部分所述部分保留区域的所述有源层材料层，以形成沟道区。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层的去除量为所述部分保留区域的所述光刻胶图形层的总量的85% -95%。10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求1?9任意一项所述的制备方法制成。11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求10所述的薄膜晶体管。12.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的半曝光技术的成功率和阵列基板的良品率低且阵列基板的生产成本高的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：S1，在衬底上沉积栅极绝缘层、有源层材料层、金属层材料层、光刻胶层，并通过曝光、显影在金属层材料层上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层包括部分保留区域、完全保留区域和完全去除区域；S2，去除完全去除区域的金属层材料层；S3，去除部分保留区域的部分光刻胶图形层；S4，去除完全去除区域的有源层材料层；S5，去除部分保留区域的剩余光刻胶图形层；S6，形成源漏电极和沟道区。
【IPC分类】H01L27/12, H01L29/786, H01L21/336, H01L21/77
【公开号】CN105097949
【申请号】CN201510508322
【发明人】史高飞
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月18日