提尚可以提尚LED芯片的内量子效率，从而从根本上提尚LED的发光亮度；
[0079]一-NLED晶体质量的提尚可以提尚LED芯片的抗静电击穿能力，在大尺寸LED芯片(如mm量级LED芯片)方面尤其明显，从而从根本上提高大尺寸LED芯片的成品率；
[0080]二、LED晶体质量的提尚可以提尚小芯片的切割成品率，芯片尺寸在10um量级以下时尤其明显；
[0081]四、LED晶体质量的提高可以提高LED芯片的耐高温高湿能力，使LED在某些特殊应用领域更好地发挥作用；
[0082]五、LED晶体质量的提尚可以提尚LED芯片的使用寿命。
[0083]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【主权项】
1.一种LED衬底，其特征在于，包括: 支撑衬底； 设置于所述支撑衬底上并与LED外延层晶体结构相同的晶格匹配层； 设置于所述晶格匹配层内的图形化结构；以及 设置于所述晶格匹配层上的图形化结构； 其中，所述晶格匹配层内的图形化结构与所述晶格匹配层上的图形化结构相互错开设置。2.如权利要求1所述的LED衬底，其特征在于，所述晶格匹配层内的图形化结构与所述晶格匹配层上的图形化结构在所述支撑衬底上表面的正投影并集至少部分覆盖所述支撑衬底的上表面。3.如权利要求2所述的LED衬底，其特征在于，所述晶格匹配层内的图形化结构与所述晶格匹配层上的图形化结构在所述支撑衬底上表面的正投影并集完全覆盖所述支撑衬底的上表面。4.如权利要求1所述的LED衬底，其特征在于，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构的数量为一层。5.如权利要求1所述的LED衬底，其特征在于，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构的数量为多层，并且所述晶格匹配层内的多层图形化结构相互错开设置。6.如权利要求1至5中任意一项所述的LED衬底，其特征在于，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构为阵列排布的柱状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构为具有阵列排布的柱状空洞的介质层。7.如权利要求6所述的LED衬底，其特征在于，所述柱状凸起为圆柱状凸起、椭圆柱状凸起或多棱柱状凸起，所述柱状空洞为圆柱状空洞、椭圆柱状空洞或多棱柱状空洞。8.如权利要求1至5中任意一项所述的LED衬底，其特征在于，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为阵列排布的柱状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为具有阵列排布的柱状空洞的介质层。9.如权利要求8所述的LED衬底，其特征在于，所述柱状凸起为圆柱状凸起、椭圆柱状凸起或多棱柱状凸起，所述柱状空洞为圆柱状空洞、椭圆柱状空洞或多棱柱状空洞。10.如权利要求1至5中任意一项所述的LED衬底，其特征在于，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为阵列排布的台状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为具有阵列排布的台状空洞的介质层。11.如权利要求10所述的LED衬底，其特征在于，所述台状凸起为圆台状凸起、椭圆台状凸起或多棱台状凸起，所述台状空洞为圆台状空洞、椭圆台状空洞或多棱台状空洞。12.如权利要求1至5中任意一项所述的LED衬底，其特征在于，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为阵列排布的锥状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为具有阵列排布的锥状空洞的介质层。13.如权利要求12所述的LED衬底，其特征在于，所述锥状凸起为圆锥状凸起、椭圆锥状凸起或多棱锥状凸起，所述台状空洞为圆锥状空洞、椭圆锥状空洞或多棱锥状空洞。14.如权利要求1至5中任意一项所述的LED衬底，其特征在于，所述LED外延层为氮化镓，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝。15.如权利要求1至5中任意一项所述的LED衬底，其特征在于，所述晶格匹配层内的图形化结构和晶格匹配层上的图形化结构的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化锌中的至少一种。16.一种LED衬底制作方法，其特征在于，包括: 提供一支撑衬底； 形成图形化结构以及与LED外延层晶体结构相同的晶格匹配层； 其中，所述晶格匹配层位于所述支撑衬底上，所述图形化结构位于所述晶格匹配层内部以及所述晶格匹配层上，所述晶格匹配层内的图形化结构与所述晶格匹配层上的图形化结构相互错开设置。17.如权利要求16所述的LED衬底制作方法，其特征在于，使所述晶格匹配层内的图形化结构与所述晶格匹配层上的图形化结构在所述支撑衬底上表面的正投影并集至少部分覆盖所述支撑衬底的上表面。18.如权利要求17所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述晶格匹配层内的图形化结构与所述晶格匹配层上的图形化结构在所述支撑衬底上表面的正投影并集完全覆盖所述支撑衬底的上表面。19.如权利要求17所述的LED衬底制作方法，其特征在于，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构的数量为一层。20.如权利要求17所述的LED衬底制作方法，其特征在于，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构的数量为多层，并且所述晶格匹配层内的多层图形化结构相互错开设置。21.如权利要求16至20中任意一项所述的LED衬底制作方法，其特征在于，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构为阵列排布的柱状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层内的图形化结构为具有阵列排布的柱状空洞的介质层。22.如权利要求21所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述柱状凸起为圆柱状凸起、椭圆柱状凸起或多棱柱状凸起，所述柱状空洞为圆柱状空洞、椭圆柱状空洞或多棱柱状空洞。23.如权利要求16至20中任意一项所述的LED衬底制作方法，其特征在于，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为阵列排布的柱状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为具有阵列排布的柱状空洞的介质层。24.如权利要求23所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述柱状凸起为圆柱状凸起、椭圆柱状凸起或多棱柱状凸起，所述柱状空洞为圆柱状空洞、椭圆柱状空洞或多棱柱状空洞。25.如权利要求16至20中任意一项所述的LED衬底制作方法，其特征在于，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为阵列排布的台状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为具有阵列排布的台状空洞的介质层。26.如权利要求25所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述台状凸起为圆台状凸起、椭圆台状凸起或多棱台状凸起，所述台状空洞为圆台状空洞、椭圆台状空洞或多棱台状空洞。27.如权利要求16至20中任意一项所述的LED衬底制作方法，其特征在于，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为阵列排布的锥状凸起，或者，设置于所述晶格匹配层上的图形化结构为具有阵列排布的锥状空洞的介质层。28.如权利要求27所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述锥状凸起为圆锥状凸起、椭圆锥状凸起或多棱锥状凸起，所述台状空洞为圆锥状空洞、椭圆锥状空洞或多棱锥状空洞。29.如权利要求16至20中任意一项所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述LED外延层为氮化镓，所述晶格匹配层为氮化镓或者氮化铝。30.如权利要求16至20中任意一项所述的LED衬底制作方法，其特征在于，所述晶格匹配层内的图形化结构和晶格匹配层上的图形化结构的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化娃、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化锌中的至少一种。
【专利摘要】本发明提供一种LED衬底及其制作方法，该LED衬底的支撑衬底上形成有与LED外延层晶体结构相同的晶格匹配层，所述晶格匹配层内部以及上表面形成有图形化结构，所述晶格匹配层内部以及上表面的图形化结构相互错开设置，如此可以阻止缺陷向上生长，有利于提高LED芯片的晶体质量。
【IPC分类】H01L33/12, H01L33/22, H01L33/20
【公开号】CN105206730
【申请号】CN201510519649
【发明人】江忠永, 李东昇, 潘艳萍, 马新刚, 丁海生, 陈善麟, 赵进超, 王洋, 黄捷
【申请人】杭州士兰明芯科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月21日