只能是Cu和Sn。工艺越简单，制造成本越低且系统可以是越容易在高产量中以稳定地生产。
[0077]各种实施例基于所提出的概念，且解决了比其他解决方案更多的技术需求并在铜金属化上维持了技术改进。
[0078]当在计算机或处理器上执行该计算机程序时，示例实施例还提供了具有用于执行上述方法之一的程序代码的计算机程序。本领域技术人员应当容易意识到各种上述方法可通过编程计算机执行的动作。文中，一些示例实施例也意在覆盖程序存储器件，例如数字数据存储介质，其是机器或计算机可读的和编码机器可执行的或计算机可执行的指令程序，其中指令执行一些或全部上述方法的动作。该程序存储装置可以是例如数字存储器、例如磁盘和磁带的磁存储介质、硬盘驱动、或可选可读数字数据存储介质。另外的示例实施例也意在覆盖编程以执行上述方法的动作的计算机，或编程以执行上述方法的动作的(现场)可编程逻辑阵列((F) PLA或(现场)可编程栅阵列((F) PGA))。
[0079]描述和附图仅说明了本公开的原理。因此将意识到，尽管文中没有明确描述或示出，但本领域技术人员将能够想出体现本公开原理并包含在本公开精神和范围之内的各种布置。此外，文中叙述的所有示例都明确地原理性意在只是为了教学的目的以帮助读者理解本公开的原理和由(多个)发明人贡献的用来促进本领域的概念，以及被解释为不受这些具体叙述的示例和条件的限制。此外，文中叙述原理、方面和公开的实施例、以及其特定示例的所有陈述意在包含其等同物。
[0080]表示为“用于......的装置”的功能块(执行特定功能)应当被理解为包括电路的功能块，该电路被配置成分别执行特定功能。因此，“用于什么事物的装置”也可以被理解为“配置为或适合于什么事物的装置”。因此，配置为执行特定功能的装置不暗示这些装置有必要正在执行该功能(在给定时刻)。
[0081]可通过使用专用硬件来提供图中所示的各种元件的功能，其包括标记为“装置”、“用于提供传感器信号的装置”、“用于生成发射信号的装置”等的任何功能块，所述专用硬件诸如是“信号提供器”、“信号处理单元”、“处理器”、“控制器”等，以及能够结合适当软件执行该软件的硬件。此外，文中描述为“装置”的任何实体可以对应于或被实现为“一个或多个模块”、“一个或多个器件”、“一个或多个单元”等。当通过处理器提供时，该功能可通过单个专用处理器、通过单个共享处理器、或通过其中一些可被共享的多个个别处理器来提供。此外，术语“处理器”或“控制器”的明确使用不应被解释成排他地提及能够执行软件的硬件，且可没有限制地隐含包括数字信号处理器(DSP)硬件、网络处理器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、用于存储软件的只读存储器(R0M)、随机存取存储器(RAM)和非易失存储装置。也可包括其他常规的和/或定制的硬件。
[0082]本领域技术人员应当意识到，文中的任何框图代表体现本公开原理的例证性电路的概念视图。类似地，将意识到，任何流程图、流程图解、状态转变图、伪代码等代表实质上可在计算机可读媒介中表示以及因此可通过计算机或处理器执行的各种过程，无论该计算机或处理器是否被明确示出。
[0083]此外，下面权利要求由此并入详细描述中，其中每一个权利要求可以独立自主为分开的实施例。尽管每一个权利要求可以独立自主为分开的实施例，但是应当注意一一尽管从属权利要求在各权利要求中可以指代与一个或多个其他权利要求的特定组合一一其他实施例也可包括具有从属或独立权利要求彼此的主题的从属权利要求的组合。这种组合在文中被提出除非陈述了特定组合是不期望的。此外，意在还包括相对于其他任何独立权利要求的权利要求的特征，即使该权利要求不是直接从属于该独立权利要求。
[0084]还应当注意，说明书中或权利要求中公开的方法可通过具有用于执行这些方法的各自动作的每一个的装置的器件来实现。
[0085]此外，应当理解，说明书中或权利要求中公开的多个动作或功能的公开内容可以不被解释成在特定的次序内。因此，多个动作或功能的公开内容将不限制这些到特定的次序，除非这些动作或功能由于技术原因而是不能互换的。此外，在一些实施例中，单个行为可包括或可分解为多个子动作。这些子动作可被包含在该单个动作的公开内容中且是该单个动作的公开内容的一部分，除非被明确排除。
【主权项】
1.一种形成芯片焊盘的方法，该方法包括: 在芯片正面上方沉积阻挡层； 沉积阻挡层之后沉积铜层； 去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层；以及 去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中该阻挡层是钛钨层，其中钨含量为60%-90%的范围。3.根据权利要求2所述的方法，其中该钛钨层包括20nm至200nm之间的平均厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其中该铜层包括大于50%的平均铜含量。5.根据权利要求1所述的方法，其中该铜层具有范围为0.5 μπι至50 μπι的厚度。6.根据权利要求1所述的方法，其中去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分通过用第一蚀刻剂对铜层蚀刻来实现，其中去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分通过用第二蚀刻剂对阻挡层蚀刻来实现。7.根据权利要求6所述的方法，其中用第一蚀刻剂来蚀刻位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分不覆盖在第一芯片焊盘区域之外的阻挡层，其中阻挡层用作针对第一蚀刻剂的蚀刻停止层。8.根据权利要求6所述的方法，其中该第二蚀刻剂包括过氧化氢。9.根据权利要求1所述的方法，还包括在芯片正面上方沉积阻挡层之前，将非氧化等离子体施加至芯片正面。10.根据权利要求1所述的方法，其中去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分和阻挡层的部分暴露包括主要包含铝的表面层的第二芯片焊盘区域。11.根据权利要求10所述的方法，还包括将氧等离子体施加至第二芯片焊盘区域的表面层。12.根据权利要求11所述的方法，还包括将接合引线接合至第二芯片焊盘区域的表面层。13.根据权利要求1所述的方法，还包括熔化焊接材料和第一芯片焊盘区域内的铜层的部分以将第一芯片焊盘区域焊接至外部结构。14.根据权利要求1所述的方法，其中阻挡层和铜层沉积在整个芯片正面上方。15.—种半导体芯片，包括: 第一芯片焊盘；以及 第二芯片焊盘， 其中该第一芯片焊盘包括主要包含铜的表面层，并且该第二芯片焊盘包括主要包含铝的表面层。16.根据权利要求15所述的半导体芯片，其中第一芯片焊盘还包括在第一芯片焊盘表面层下方的钛钨阻挡层。17.根据权利要求15所述的半导体芯片，其中第一芯片焊盘和第二芯片焊盘形成在芯片正面上。18.根据权利要求15所述的半导体芯片，还包括与第一芯片焊盘的表面层相接触的焊接材料。19.根据权利要求15所述的半导体芯片，还包括接合至第二芯片焊盘的表面层的接合引线。
【专利摘要】本发明涉及半导体芯片及形成芯片焊盘的方法。公开了一种具有不同芯片焊盘的半导体芯片以及形成具有不同芯片焊盘的半导体芯片的方法。在一些实施例中，该方法包括在芯片正面上方沉积阻挡层，在沉积阻挡层之后沉积铜层，以及去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中在第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层。该方法还包括去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。
【IPC分类】H01L23/485, H01L21/60
【公开号】CN105355570
【申请号】CN201510617597
【发明人】M·科伊茨, S·克拉姆普
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年7月28日
【公告号】DE102015111904A1, US20160027746