图案化发光二极管基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种发光二极管基板，尤其是关于一种图案化发光二极管基板。
【背景技术】
[0002]发光二极管已广泛使用于日常生活中的各种产品以及应用，例如照明、指示号志、显示设备及计算机等领域。发光二极管是通过电子与电洞的结合，而将电能转换为光的形式。由于发光二极管属于冷发光，因此具有省电、反应速度快、无暖灯时间、组件寿命长等优点。此外，发光二极管体积小、耐冲击、并可通过半导体制程大量生产，因此容易根据需求制成小型或数组型组件。
[0003]近年来由于能源问题日益严重，节能减碳成为全球趋势，如何提升发光二极管的出光效率成为目前各界致力研究的目标。在理想的发光二极管中，电子与电洞结合所发出的光线能够全部辐射至外界，而达到100%的出光效率。但在实际的情况下，发光二极管内部的结构与材质会造成各种光线传递的损耗，因而使光线无法完全传递至外界、降低出光效率。
[0004]为了提升发光二极管的出光效率，有一现有的技术是使用图案化发光二极管基板，例如图案化蓝宝石基板(patterned sapphire substrate, PSS)。此种基板具有突起结构，能够散射光线、减少基板内全反射的发生，以增加光线辐射至外界的机率，而使出光效率提升。然而，目前图案化发光二极管基板的出光效率仍有相当程度的改善空间。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明的目的在于，提供一种图案化发光二极管基板，其可提供更多的散射表面而提高出光效率。
[0006]—种图案化发光二极管基板，包含一表面，所述表面上具有多个突起结构，其中，每个突起结构具有一个或多个第一孔洞。
[0007]进一步地，所述一个或多个第一孔洞的宽度小于0.2 μπι。
[0008]进一步地，每个突起结构各自所具有的所述一个或多个第一孔洞的开口面积占其总表面积不超过70%。
[0009]进一步地，每个突起结构为圆锥体。
[0010]进一步地，所述表面包含不具有所述突起结构的一曝露面部，所述曝露面部具有一个或多个第二孔洞，所述一个或多个第二孔洞的宽度小于0.2 μπι。
[0011]进一步地，所述一个或多个第二孔洞的开口面积占所述曝露面部的总表面积不超过 70%。
[0012]本发明实施例还提供一种图案化发光二极管基板，包含一表面，所述表面上具有多个突起结构，其中，每个突起结构包括一上方部及一下方部，所述下方部的表面为圆锥面且具有一个或多个第一孔洞。
[0013]进一步地，所述一个或多个第一孔洞的宽度小于0.2 μπι。
[0014]进一步地，所述上方部的表面为三角锥面并具有三个平滑面，所述平滑面不具有孔洞。
[0015]进一步地，每个突起结构还包括介于所述上方部及所述下方部之间的一中间部，所述中间部的表面为六角锥面并具有三个彼此相间隔的平滑面及三个彼此相间隔的孔洞面，每个孔洞面具有一个或多个第三孔洞。
[0016]进一步地，所述一个或多个第三孔洞的宽度小于0.2 μπι，且每个突起结构各自所具有的所述一个或多个第一孔洞的开口面积及所述一个或多个第三孔洞的开口面积的总和占所述突起结构的总表面积不超过70%。
[0017]进一步地，所述上方部的表面为六角锥面并具有三个彼此相间隔的平滑面及三个彼此相间隔的孔洞面，每个孔洞面具有一个或多个第三孔洞。
[0018]进一步地，所述一个或多个第三孔洞的宽度小于0.2 μπι，且每个突起结构各自所具有的所述一个或多个第一孔洞的开口面积及所述一个或多个第三孔洞的开口面积的总和占所述突起结构的总表面积不超过70%。
[0019]进一步地，所述上方部的顶面呈圆弧状，且所述上方部具有一个或多个第三孔洞。
[0020]进一步地，所述一个或多个第三孔洞的宽度小于0.2 μ m，且每个突起结构各自所具有的所述一个或多个第一孔洞的开口面积及所述一个或多个第三孔洞的开口面积的总和占所述突起结构的总表面积不超过70%。
[0021]进一步地，所述上方部的表面为粗糙表面。
[0022]进一步地，所述粗糙表面的表面高低差的范围在20nm至10nm之间，且所述粗糙表面在I μπι的距离内具有3至20个高点。
[0023]进一步地，所述图案化发光二极管基板的所述表面包含不具有所述突起结构的一曝露面部，所述曝露面部具有一个或多个第二孔洞，所述一个或多个第二孔洞的宽度小于
0.2 μ mD
[0024]进一步地，所述一个或多个第二孔洞的开口面积占所述曝露面部的总表面积不超过 70%。
[0025]本发明实施例的上述技术方案的有益效果如下:
[0026]相较于现有的技术，本发明实施例的图案化发光二极管基板可提供更多的散射表面而提尚出光效率。
[0027]本发明的其他实施态样以及优点，可由以下用以显示本发明原理范例的详细说明并结合随附图式而更显明白。此外，本说明书中将不再赘述为人所熟知的组件与原理，以免对本发明造成不必要的混淆。
【附图说明】
[0028]在本发明的图式中，相同的参考符号是代表相同或类似的组件。此外，由于这些图式仅为示例，故其并非按照实际比例绘制。
[0029]图1为本发明一实施例中的图案化发光二极管基板的部分的立体图。
[0030]图2为本发明另一实施例中的图案化发光二极管基板的部分的立体图。
[0031]图3(a)为图1或图2中图案化发光二极管基板的突起结构的示意性立体图。
[0032]图3 (b)为图3 (a)的突起结构的俯视图。
[0033]图4(a)为本发明又另一实施例中的图案化发光二极管基板的突起结构的立体图。
[0034]图4 (b)为图4 (a)的突起结构的俯视图。
[0035]图5(a)为本发明又另一实施例中的图案化发光二极管基板的突起结构的立体图。
[0036]图5 (b)为图5 (a)的突起结构的俯视图。
[0037]图6(a)为本发明又另一实施例中的图案化发光二极管基板的突起结构的立体图。
[0038]图6 (b)为图6 (a)的突起结构的俯视图。
[0039]图7(a)为本发明又另一实施例中的图案化发光二极管基板的突起结构的立体图。
[0040]图7 (b)为图7 (a)的突起结构的俯视图。
[0041]图7(c)为图7(a)的I部分的放大剖面示意图。
[0042]图8(a)为图4(a)的图案化发光二极管基板的部分的侧视扫描式电子显微镜(SEM)影像。
[0043]图8 (b)为图8 (a)的图案化发光二极管基板的突起结构的俯视SEM影像。
[0044]图9 (a)为图5 (a)的图案化发光二极管基板的部分的侧视SEM影像。
[0045]图9 (b)为图9 (a)的图案化发光二极管基板的部分的俯视SEM影像。
[0046]图10为图7 (a)的图案化发光二极管基板的部分的侧视SEM影像。
[0047]附图标记说明:
[0048]I图案化发光二极管基板
[0049]10表面
[0050]2突起结构
[0051]2、2’、2〃突起结构
[0052]20、20’、20" 第一孔洞
[0053]202开口
[0054]21、22下方部
[0055]23、24上方部
[0056]25中间部
[0057]230平滑面
[0058]240平滑面
[0059]242孔洞面
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