0060]244第三孔洞
[0061]250平滑面
[0062]252孔洞面
[0063]254第三孔洞
[0064]3曝露面部
[0065]30第二孔洞
[0066]302开口
[0067]4突起结构
[0068]40第一孔洞
[0069]42下方部
[0070]44上方部
[0071]440顶面
[0072]444第三孔洞
[0073]5突起结构
[0074]50第一孔洞
[0075]52下方部
[0076]54上方部
[0077]540粗糙表面
[0078]542高点
[0079]544低点
[0080]I部分
[0081]L距离
[0082]dl差距
【具体实施方式】
[0083]现将参照数个如随附图式中所描述的较佳实施例来详细说明本发明。在以下叙述中，提出许多特定细节以提供本发明通盘的了解。然而，在本技术领域中具有通常知识者应当理解，在缺少若干或全部这些特定细节的情况下仍可实施本发明。
[0084]图1为本发明一实施例的图案化发光二极管基板I的部分的立体图。如图1所示，图案化发光二极管基板I包含表面10，表面10具有多个通过蚀刻及/或成长处理所形成的突起结构2。图案化发光二极管基板I可为蓝宝石基板或硅基板，但不以此为限。在图案化发光二极管基板I上，突起结构2可均匀分布或视需要以特定方式分布，在本实施例中突起结构2是以交错排列方式均匀分布。
[0085]每个突起结构2具有一个或多个第一孔洞20。一个或多个第一孔洞20的宽度小于0.2 μ m，而深度小于0.2 μ m。应注意的是，本文中所述的孔洞可为任何形状，而本文中孔洞的宽度是指孔洞开口的周缘上相距最远二点之间的距离。举例来说，若一个或多个第一孔洞20的开口 202为圆形，则一个或多个第一孔洞20的宽度是指一个或多个第一孔洞20的开口 202的直径。每个突起结构2各自所具有的一个或多个第一孔洞20的开口 202的面积占其总表面积不超过70 % (也就是，就单一个突起结构2而言，其所具有的一个或多个第一孔洞20的开口 202的面积占此单一个突起结构2的总表面积不超过70% )。一个或多个第一孔洞20可提供更多的散射表面，而有助于使发光二极管组件中所产生的光线更有机会辐射至外界，从而提升出光效率。
[0086]在本实施例中，表面10包含不具有突起结构2的曝露面部3ο曝露面部3具有一个或多个第二孔洞30。替代地，如图2所示，在另一实施例中，表面10不具有突起结构2的曝露面部3可不具有孔洞。在图1的实施例中，一个或多个第二孔洞30的宽度小于0.2 μπι，而深度小于0.2 μπι。一个或多个第二孔洞30的开口 302的面积占曝露面部3的总表面积不超过70%。一个或多个第二孔洞30可提供更多的散射表面，而有助于使发光二极管组件中所产生的光线更有机会辐射至外界，从而提升出光效率。
[0087]图3(a)是图1或图2中的图案化发光二极管基板I的突起结构2的示意性立体图。图3(b)为图3(a)的突起结构2的俯视图。在本实施例中，突起结构2为圆锥体，但也可为角锥体、角柱体、半球体等等。然而，圆锥体的形态在后续的磊晶制程中，能够提供较佳的制程稳定性。在本实施例中，每个突起结构2的宽度约在2 μ m?3 μ m之间，高度则约在Ιμπι?2μπι之间，但不以此为限。然而，过高的高度可能会造成后续磊晶上的困难。此处宽度是指突起结构2的直径，而高度是指突起结构2底部至顶部的距离。
[0088]图4(a)为本发明又另一实施例的图案化发光二极管基板的突起结构2'的立体图。图4(b)为图4(a)的突起结构2'的俯视图。应注意的是，本实施例的图案化发光二极管基板除了突起结构2'之外，其余部分与图1或图2的图案化发光二极管基板I类似。
[0089]如图4(a)及4(b)所示，突起结构W包括下方部21、上方部23及介于下方部21与上方部23之间的中间部25。在本实施例中，下方部21的表面为圆锥面，而有利于后续磊晶的稳定性，且其具有一个或多个第一孔洞20'。一个或多个第一孔洞20'的宽度小于
0.2 μπι,而深度小于0.2 μm。在本实施例中，中间部25的表面为六角锥面，并具有三个彼此相间隔的平滑面250及三个彼此相间隔的孔洞面252，也就是，平滑面250与孔洞面252是交错排列。每个孔洞面252具有一个或多个第三孔洞254，而每个平滑面250则不具有孔洞。一个或多个第三孔洞254的宽度小于0.2 μm，而深度小于0.2 μπι。在本实施例中，上方部23的表面为三角锥面并具有三个平滑面230。每个平滑面230不具有孔洞，且平滑面230与平滑面250相连。在本实施例中，每个突起结构各自所具有的一个或多个第一孔洞20'的开口面积及一个或多个第三孔洞254的开口面积的总和占每个突起结构的总表面积不超过70% (也就是，就单一个突起结构2'而言，其所具有的一个或多个第一孔洞20'的开口面积及一个或多个第三孔洞254的开口面积的总和占此单一个突起结构2'的总表面积不超过70%)。一个或多个第一孔洞20'、一个或多个第三孔洞254、中间部25的六个锥面及上方部23的三个锥面相较于先前技术可提供更多的散射表面，而有助于使发光二极管组件中所产生的光线更有机会辐射至外界，从而提升出光效率。
[0090]图5(a)为本发明又另一实施例的图案化发光二极管基板的突起结构2〃的立体图。图5(b)为图5(a)的突起结构2"的俯视图。应注意的是，本实施例的图案化发光二极管基板除了突起结构2"外，其余部分与图1或图2的图案化发光二极管基板I类似。
[0091]如图5(a)及5(b)所示，突起结构2〃包括下方部22及上方部24。下方部22的表面为圆锥面，而有利于后续磊晶的稳定性，且其具有一个或多个第一孔洞20"。一个或多个第一孔洞20〃的宽度小于0.2 μm，而深度小于0.2 μπι。在本实施例中，上方部24的表面为六角锥面，并具有三个彼此相间隔的平滑面240及三个彼此相间隔的孔洞面242，也就是，平滑面240与孔洞面242是交错排列。每个孔洞面242具有一个或多个第三孔洞244，而每个平滑面240则不具有孔洞。一个或多个第三孔洞244的宽度小于0.2 μπι，而深度小于
0.2 μπι。在本实施例中，每个突起结构各自所具有的一个或多个第一孔洞20〃的开口面积及一个或多个第三孔洞244的开口面积的总和占每个突起结构的总表面积不超过70% (也就是，就单一个突起结构2"而言，其所具有的一个或多个第一孔洞20〃的开口面积及一个或多个第三孔洞244的开口面积的总和占此单一个突起结构2〃的总表面积不超过70% )。一个或多个第一孔洞20〃、一个或多个第三孔洞244及上方部24的六个锥面相较于先前技术可提供更多的散射表面，而有助于使发光二极管组件中所产生的光线更有机会辐射至外界，从而提升出光效率。
[0092]图6(a)为本发明又另一实施例的图案化发光二极管基板的突起结构4的立体图。图6(b)为图6(a)的突起结构4的俯视图。应注意的是，本实施例的图案化发光二极管基板除了突起结构4之外，其余部分与图1或图2的图案化发光二极管基板I类似。
[0093]如图6 (a)及6 (b)所示，突起结构4包括下方部42及上方部44。下方部42的表面为圆锥面，而有利于后续磊晶的稳定性，且其具有一个或多个第一孔洞40。上方部44的顶面440呈圆弧状而非尖锥状，且上方部44具有一个或多个第三孔洞444。一个或多个第一孔洞40及一个或多个第三孔洞444的宽度小于0.2 μπι，而深度小于0.2 μπι。每个突起结构4