一种检修电源输出装置的制作方法

文档序号:11408286阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种检修电源输出装置,其特征在于,包括:

供电电路,用于提供12V直流电压作为初始电压;

推挽式升压电路,用于将供电电路输出的12V直流电压变换为110V直流电压并输出;

升压斩波电路,用于将推挽式升压电路输出的110V直流电压变换为345V直流电压;

逆变电路,用于将由升压斩波电路升压后的345V直流电压变换为380V交流电压并输出。

2.根据权利要求1所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述供电电路包括并联的两组磷酸铁锂蓄电池,每组由4节额定电压为3V的磷酸铁锂蓄电池串联而成。

3.根据权利要求2所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述供电电路前后串联100A熔断器(R1-R4),用于在输出电流超出100A时熔断以保护蓄电池。

4.根据权利要求2所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述12V直流电压被引接至KM1接触器输出。

5.根据权利要求1所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述推挽式升压电路包括:

推挽式升压变换电路,其进一步包括第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、高频变压器(T1)及第一PWM调制电路,所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)的栅极均与所述第一PWM调制电路相连,漏极分别与高频变压器(T1)的初级绕组相连,所述推挽式升压变换电路用于通过所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)在不同时段交替从所述第一MOS管(Q1)导通、所述第二MOS管(Q2)截止,到所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)均截止,到所述第一MOS管(Q1)截止、所述第二MOS管(Q2)导通,再到所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)均截止,将所述供电电路输出的12V直流电压变换为高频方波交流电压;

单相桥式全控整流电路,用于将所述高频方波交流电压整流为110V直流方形波电压。

6.根据权利要求5所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述推挽式升压电路还包括:

电感(L1)与电容(C6)组成的LC吸收网络,用以抑制MOS管集电极电压尖峰,并通过所述电容(C6)输出所述110V直流方形波电压。

7.根据权利要求1所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述升压斩波电路包括电感(L2)、MOS管(V3)、二极管(D1)和电容器(C7),所述MOS管(V3)的漏极连接在所述电感(L2)与所述二极管(D1)的正极之间,所述电容器(C7)连接在所述MOS管的源极与所述二极管(D1)的负极之间。

8.根据权利要求1所述的检修电源输出装置,其特征在于,所述逆变电路包括:

三相电压型逆变电路,其进一步包括六个IGBT管、六个二极管及第二PWM调制电路,用于将所述升压斩波电路输出的345V直流电压升压逆变至380V交流电压,并引接至隔离变压器(T2),第一二极管(Q5)正向连接在第一IGBT管(BG1)的发射极和集电极之间,第二二极管(Q6)正向连接在第二IGBT管(BG2)的发射极和集电极之间,第三二极管(Q7)正向连接在第三IGBT管(BG3)的发射极和集电极之间,第四二极管(Q8)正向连接在第四IGBT管(BG4)的发射极和集电极之间,第五二极管(Q9)正向连接在第五IGBT管(BG5)的发射极和集电极之间,第六二极管(Q10)正向连接在第六IGBT管(BG6)的发射极和集电极之间,六个IGBT管的门极均连接至所述第二PWM调制电路,隔离变压器(T2)的三相分别连接在第一IGBT管(BG1)发射极与第二IGBT管(BG2)的集电极之间、第三IGBT管(BG3)发射极与第四IGBT管(BG4)的集电极之间、第五IGBT管(BG5)发射极与第六IGBT管(BG6)的集电极之间。

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