一种适用于smd石英晶体谐振器1612的石英晶片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及石英晶片【技术领域】，具体涉及一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，包括呈双凸形的晶片本体，所述晶片本体的长度为I.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm，所述晶片本体的上表面和下表面均设置有呈长方形的镀银电极，晶片本体的中线和镀银电极的中线之间的距离为0.2-0.8mn，所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极上表面的镀银层，所述基础电极和镀银层之间还镀有一层厚度为60-80ym的镀铬层。本实用新型所述的石英晶片能够满足石2英晶体谐振器2016的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
【专利说明】 —种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及石英晶片【技术领域】，具体涉及一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片。
【背景技术】
[0002]石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，由于石英晶体谐振器具有频率稳定度高的特点，在电子领域一直占有比较重要的地位。信息技术产业的高速发展，更是促使了这种晶振器的蓬勃发展。它在远程通信、移动电话系统、全球定位系统、导航、遥控、航空航天、高速计算机、精密计测器以及消费类民用电子产品中占有重要的地位。
[0003]同时为了节能减耗，国际上的电路板的尺寸越做越小，所需要的电子元器件在保证性能的情况下的尺寸也越来越小，国际上SMD表面贴装石英晶体谐振器不断地向小型化、高精度的趋势发展。根据SMD石英晶体谐振器1612的基座内部空间结构尺寸，目前的晶片尺寸不仅不能满足谐振器型号1612的要求，还造成了该小型晶片的产出率低，原材料和辅助材料消耗高，相应生产成本也较高。
【发明内容】
[0004]为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，该石英晶片能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
[0005]本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，包括呈双凸形的晶片本体，所述晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为
0.8-0.65mm，所述晶片本体的上表面和下表面均设置有呈长方形的镀银电极，晶片本体的中线和镀银电极的中线之间的距离为0.2-0.8_，所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极上表面的镀银层，所述基础电极和镀银层之间还镀有一层厚度为60-80 μ m的镀铬层。
[0006]其中，所述晶片本体的长度为1.08-1.02mm,宽度为0.78-0.68mm。
[0007]其中，所述晶片本体的长度为1.08mm,宽度为0.78mm。
[0008]其中，所述晶片本体的长度为1.05mm,宽度为0.70mm。
[0009]其中，所述晶片本体的长度为1.02mm,宽度为0.68mm。
[0010]其中，所述晶片本体的四周设置有弧形倒边。
[0011]其中，所述晶片本体边缘的厚度是中央的厚度的一半。
[0012]本实用新型的有益效果在于:本实用新型所述的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的结构示意图。
[0014]图2是本实用新型所述镀银电极的局部剖视图。
[0015]图3是本实用新型所述晶片本体的主视图。
[0016]图4是本实用新型所述晶片本体的俯视图。
[0017]图5是本实用新型所述晶片本体的右视图。
[0018]附图标记为:1 一晶片本体、2—弧形倒边、3—锻银电极、31—基础电极、32—锻络层、33锻银层。
【具体实施方式】
[0019]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-5对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。
[0020]见图1-5，一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，包括呈双凸形的晶片本体I，所述晶片本体I的长度A为1.1-1.0mm,宽度B为0.8-0.65mm。
[0021]所述晶片本体I的上表面和下表面均设置有呈长方形的镀银电极3，晶片本体I的中线Hl和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.2-0.8mm。优选的，晶片本体I的中线Hl和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.3-0.7mm ;更为优选的，晶片本体I的中线Hl和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.3mm ;另一优选的，晶片本体I的中线Hl和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.5mm ;另一优选的，晶片本体I的中线Hl和镀银电极3的中线H2之间的距离H为0.7mm。本实用新型可以针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点，产品品质稳定。
[0022]所述镀银电极3包括基础电极31和镀在所述基础电极31上表面的镀银层33。在晶振的制造工艺中，需要对石英晶片贴装电极，石英晶片的上、下两个端面上贴装不同极性的电极，并分别向石英晶片外侧引出电引脚；基础电极31的设置用于通过电引脚焊接在电路板中，镀银层33的设置用于形成镀银电极3，镀银层33能增强晶片本体I的导电性能。
[0023]所述基础电极31和镀银层33之间还镀有一层厚度为60-80 μ m的镀铬层32。优选的，镀铬层32的厚度为65-75 μ m ;更为优选的，镀铬层32的厚度为65 μ m ;另一优选的，镀铬层32的厚度为70 μ m ;另一优选的，镀铬层32的厚度为75 μ m。镀铬层32的设置使石英晶片与银电极附着更牢固，不易脱落，且镀铬层32厚度为60-80 μ m，使得该石英晶振的电极附着更牢靠、产品老化率良好、并能够改善现有技术中存在的DLD不良现象。
[0024]本实用新型所述的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
[0025]本实施例中，将一片大小为35mmX30mm的石英晶片分别加工成型号为2016的石英晶片和型号为1612的石英晶片进行比较，两种方案均按照最小的预留研磨量为0.07mm，切割磨损量为0.21mm计算,能够产出型号为2016晶片尺寸为1.4mmxl.05mm石英晶片469片，能够产出型号为1612晶片尺寸为1.05mmx0.75mm的石英晶片766片；与产出型号为2016的石英晶片相比，产出型号为1612的石英晶片，产品产出率提高了 63.10%。
[0026]本实施例中，所述晶片本体I的长度A为1.08-1.02mm，宽度B为0.78-0.68mm。该范围内的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
[0027]本实施例中，所述晶片本体I的长度A为1.08mm，宽度B为0.78mm。该范围内的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
[0028]本实施例中，所述晶片本体I的长度A为1.05mm，宽度B为0.70mm。该范围内的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
[0029]本实施例中，所述晶片本体I的长度A为1.02mm，宽度B为0.68mm。该范围内的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。
[0030]本实施例中，所述晶片本体I的四周设置有弧形倒边2。弧形倒边2的设置可以有效地改善晶片组装时所产生的边缘效应，从而提高产品质量。
[0031]本实施例中，所述晶片本体I边缘的厚度是中央的厚度的一半。通过将晶片本体I边缘的厚度设置成中央的厚度的一半，得到的石英晶片对振荡器电路的稳频效果好。
[0032]上述实施例为本实用新型较佳的实现方案，除此之外，本实用新型还可以其它方式实现，在不脱离本实用新型构思的前提下任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，包括呈双凸形的晶片本体，其特征在于:所述晶片本体的长度为1.1-1.0mm,宽度为0.8-0.65mm，所述晶片本体的上表面和下表面均设置有呈长方形的镀银电极，晶片本体的中线和镀银电极的中线之间的距离为0.2-0.8_，所述镀银电极包括基础电极和镀在所述基础电极上表面的镀银层，所述基础电极和镀银层之间还镀有一层厚度为60-80 μ m的镀铬层。
2.根据权利要求1所述的一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本体的长度为1.08-1.02mm,宽度为0.78-0.68mm。
3.根据权利要求1所述的一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本体的长度为1.08mm,宽度为0.78mm。
4.根据权利要求1所述的一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本体的长度为1.05mm,宽度为0.70_。
5.根据权利要求1所述的一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本体的长度为1.02mm,宽度为0.68mm。
6.根据权利要求1所述的一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本体的四周设置有弧形倒边。
7.根据权利要求1所述的一种适用于SMD石英晶体谐振器1612的石英晶片，其特征在于:所述晶片本体边缘的厚度是中央的厚度的一半。
【文档编号】H03H9/02GK204031089SQ201420419408
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】符清铭 申请人:广东惠伦晶体科技股份有限公司