1.一种电路基板的制造方法，包括：
准备至少在表面含有硅的基板的工序；
在所述基板上涂敷包含铝粒子的膏剂的工序；
通过对涂敷了所述膏剂的所述基板进行烧成而在所述基板上形成导体层的工序；
在所述导体层上形成特定图案的抗蚀膜的工序；以及
通过蚀刻液来除去未形成所述抗蚀膜的部分的所述导体层的工序，
其中，所述蚀刻液包含标准电极电位取比铝的标准电极电位大的值的金属M的金属离子和氟化物离子。
2.根据权利要求1所述的电路基板的制造方法，其中，
所述金属M的金属离子是铁离子或铜离子，所述氟化物离子源自于从由氟化氢、四氟化硅、六氟硅酸、六氟硅酸盐、三氟化硼、氟硼酸、氟硼酸盐、氟化磷、氟化铵、氟化银、氟化铝、氟化铯、氟化钾、氟化钠以及氟化锂构成的群中选择的至少1种化合物。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法，其中，
所述蚀刻液包含0.01～10质量％的所述氟化物离子。
4.一种电路基板，包含：
基板，其至少在表面含有硅；
形成在所述基板上的含铝的导体层；以及
形成于所述基板与所述导体层的界面的铝和硅混合存在的混合层，
所述基板具有所述导体层被部分地除去的部分，使得所述导体层在所述基板上形成特定的布线图案，
在针对所述基板的垂直方向的剖面中，所述导体层被部分地除去的部分的所述基板的表面区域中的源自所述导体层的铝元素的峰值强度/硅元素的峰值强度为十分之一以下，该铝元素的峰值强度是铝元素的通过能量分散型X射线分析所得到的峰值强度，该硅元素的峰值强度是硅元素的通过能量分散型X射线分析所得到的峰值强度。