线路板及其制作方法与流程

文档序号:14392367阅读:373来源:国知局
线路板及其制作方法与流程

本发明涉及一种线路板及其制作方法,且尤其涉及一种具有较佳结构强度的线路板及其制作方法。



背景技术:

堆叠式半导体元件封装通常会在硅或玻璃基材内制作穿孔,如穿硅导孔(throughsiliconvias,tsv),并且在硅或玻璃基材表面制作重布线层(redistributionlayer)以完成中介板(interposer)的制作,并使中介板以贴装(mount)方式接合至封装载板,或嵌埋(embed)方式整合至封装载板。然而,以硅或玻璃为基底的中介板,其材料有易碎的问题,相对影响结构可靠度。此外,由于封胶制程所使用的封装胶体与中介板的热膨胀系数不同,因此在封装后的硬化(curing)制程中,中介板与封装胶体之间会随温度变化而产生不同的膨胀或收缩量,进而导致中介板产生翘曲(warpage)。



技术实现要素:

本发明提供一种线路板,可作为中介板或封装载板,具有较佳的结构强度。

本发明还提供一种线路板的制作方法,用以制作上述的线路板。

本发明的线路板,其包括一非导体无机材料与有机材料的复合层、多个导电结构、一第一增层结构以及一第二增层结构。非导体无机材料与有机材料的复合层具有彼此相对的一第一表面与一第二表面以及多个开口。导电结构分别配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的开口内。第一增层结构配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第一表面上,且与导电结构电性连接。第二增层结构配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第二表面上,且与导电结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述非导体无机材料与有机材料的复合层的材质包括由一陶瓷材料与一高分子材料所组成的一复合材料。

在本发明的一实施例中,上述陶瓷材料包括氧化锆、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化硅或前述的组合,而高分子材料包括环氧树脂、聚亚酰胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂、聚硅氧烷型树脂或前述的组合。

在本发明的一实施例中,上述非导体无机材料与有机材料的复合层为一仿珍珠层。

在本发明的一实施例中,上述非导体无机材料与有机材料的复合层的杨氏系数为介于20gpa至100gpa之间。

在本发明的一实施例中,上述线路板还包括多个接垫,配置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第二表面上,且与导电结构电性连接,其中开口为多个盲孔,而部分第一增层结构嵌埋于非导体无机材料与有机材料的复合层的第一表面,接垫通过导电结构与第一增层结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述开口为多个贯孔,连接非导体无机材料与有机材料的复合层的第一表面与第二表面,而导电结构为多个导电柱,第一增层结构通过导电柱与第二增层结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述第一增层结构包括至少一第一介电层、至少一第一图案化导电层以及至少一贯穿第一介电层的第一导电通孔结构。第一介电层与第一图案化导电层依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第一表面上,且第一图案化导电层通过第一导电通孔结构与导电结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述第二增层结构包括至少一第二介电层、至少一第二图案化导电层以及至少一贯穿第二介电层的第二导电通孔结构。第二介电层与第二图案化导电层依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层的第二表面上,且第二图案化导电层通过第二导电通孔结构与导电结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述线路板还包括一防焊层以及一表面处理层。防焊层配置于第二增层结构上,其中防焊层暴露出部分第二增层结构。表面处理层配置于防焊层所暴露出的第二增层结构上。

本发明的线路板的制作方法,包括以下步骤。提供一支撑板,支撑板上配置有一暂时性粘着层以及一位于暂时性粘着层上的图案化线路层。形成一第一增层结构于暂时性粘着层上且与图案化线路层电性连接。配置一非导体无机材料与有机材料的复合层与多个导电结构于第一增层结构上,其中非导体无机材料与有机材料的复合层包覆导电结构,且导电结构与第一增层结构电性连接。形成一第二增层结构于非导体无机材料与有机材料的复合层上,其中第二增层结构通过导电结构与第一增层结构电性连接。移除支撑板以及暂时性粘着层,而暴露出第一增层结构的一表面以及图案化线路层。

在本发明的一实施例中,上述非导体无机材料与有机材料的复合层的材质包括由一陶瓷材料与一高分子材料所组成的一复合材料。

在本发明的一实施例中,上述陶瓷材料包括氧化锆、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化硅或前述的组合,而高分子材料包括环氧树脂、聚亚酰胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂、聚硅氧烷型树脂或前述的组合。

在本发明的一实施例中,上述非导体无机材料与有机材料的复合层为一仿珍珠层。

在本发明的一实施例中,上述非导体无机材料与有机材料的复合层的杨氏系数介于20gpa至100gpa之间。

在本发明的一实施例中,上述配置非导体无机材料与有机材料的复合层与导电结构于第一增层结构上的步骤包括:配置非导体无机材料与有机材料的复合层于第一增层结构上,非导体无机材料与有机材料的复合层具有多个盲孔,而盲孔暴露出部分第一增层结构;以及形成导电结构于第一增层结构上且位于盲孔内,其中导电结构与盲孔所暴露出的第一增层结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述于形成导电结构的同时,形成多个接垫于非导体无机材料与有机材料的复合层上,接垫通过导电结构与第一增层结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述配置非导体无机材料与有机材料的复合层与导电结构于第一增层结构上的步骤包括:形成导电结构于第一增层结构上,其中导电结构为多个导电柱;以及形成非导体无机材料与有机材料的复合层于第一增层结构上且包覆导电柱,其中非导体无机材料与有机材料的复合层彼此相对的一第一表面与一第二表面分别与每一导电柱的一第三表面与一第四表面切齐。

在本发明的一实施例中,上述配置非导体无机材料与有机材料的复合层与导电结构于第一增层结构上的步骤包括:提供一非导体无机材料与有机材料的复合层,非导体无机材料与有机材料的复合层具有彼此相对的一上表面与一下表面;于非导体无机材料与有机材料的复合层的上表面形成多个盲孔;形成一导电材料层于非导体无机材料与有机材料的复合层的上表面上以及盲孔内,其中导电材料填满盲孔;移除部分导电材料层与部分非导体无机材料与有机材料的复合层,而形成薄化的非导体无机材料与有机材料的复合层与导电结构,其中导电结构为多个导电柱,且非导体无机材料与有机材料的复合层彼此相对的一第一表面与一第二表面分别与每一导电柱的一第三表面与一第四表面切齐;以及将非导体无机材料与有机材料的复合层与导电结构配置于第一增层结构上。

在本发明的一实施例中,上述第一增层结构包括至少一第一介电层、至少一第一图案化导电层以及至少一贯穿第一介电层的第一导电通孔结构。第一介电层与第一图案化导电层依序叠置于暂时性粘着层上,且第一图案化导电层通过第一导电通孔结构与图案化线路层电性连接。

在本发明的一实施例中,上述第二增层结构包括至少一第二介电层、至少一第二图案化导电层以及至少一贯穿第二介电层的第二导电通孔结构。第二介电层与第二图案化导电层依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层上,且第二图案化导电层通过第二导电通孔结构与导电结构电性连接。

在本发明的一实施例中,上述的于形成第二增层结构于非导体无机材料与有机材料的复合层上之后,且于移除支撑板以及暂时性粘着层之前,还包括:形成一防焊层于第二增层结构上,其中防焊层暴露出部分第二增层结构;以及形成一表面处理层于防焊层所暴露出的第二增层结构上。

基于上述,由于本发明的线路板是在非导体无机材料与有机材料的复合层的相对两表面上分别配置增层结构,意即可将非导体无机材料与有机材料的复合层视为一强化层,其相较于一般的介电层及封装材料具有较高的硬度。因此,本发明的线路板可通过非导体无机材料与有机材料的复合层来强化整体的结构强度,以防止载板产生翘曲(warpage)现象,借此可以提升制程良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1a示出为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。

图1b示出为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。

图2a至图2g示出为本发明的一实施例的一种线路板的制作方法的剖面示意图。

图2h示出为图2g的线路板承载至少一芯片的剖面示意图。

图3a至图3f示出为本发明的另一实施例的一种线路板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。

图3g示出为图3f的线路板承载至少一芯片的剖面示意图。

图4a至图4d示出为本发明的另一实施例的一种线路板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。

附图标号说明:

10:支撑板;

20:暂时性粘着层;

30:图案化线路层;

40、50:芯片;

100a、100b:线路板;

110、110a、110b、110c:非导体无机材料与有机材料的复合层;

111:上表面;

112:第一表面;

113:下表面;

114:第二表面;

115:盲孔;

116a、116b:开口;

117:电镀种子层;

120:导电材料层;

120a、120b、120c:导电结构;

122:第三表面;

124:第四表面;

125:接垫;

130a、130b:第一增层结构;

131:表面;

132:第一介电层;

134:第一图案化导电层;

136:第一导电通孔结构;

140a、140b:第二增层结构;

142:第二介电层;

144:第二图案化导电层;

146:第二导电通孔结构;

150:防焊层;

160:表面处理层;

200a、200b:封装结构。

具体实施方式

图1a示出为本发明的一实施例的一种线路板的剖面示意图。请参考图1a,在本实施例中,线路板100a包括一非导体无机材料与有机材料的复合层110a、多个导电结构120a、一第一增层结构130a以及一第二增层结构140a。非导体无机材料与有机材料的复合层110a具有彼此相对的一第一表面112与一第二表面114以及多个开口116a。导电结构120a分别配置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的开口116a内。第一增层结构130a配置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第一表面112上,且与导电结构120a电性连接。第二增层结构140a配置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第二表面114上,且与导电结构120a电性连接。

详细来说,本实施例的非导体无机材料与有机材料的复合层110a的材质例如是由一陶瓷材料与一高分子材料所组成的一复合材料,其中陶瓷材料包括氧化锆、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化硅或前述的组合,而高分子材料包括环氧树脂、聚亚酰胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂、聚硅氧烷型树脂或前述的组合。陶瓷材料可以是陶瓷层片或陶瓷粉末,但本实施例的陶瓷材料并不以此为限。非导体无机材料与有机材料的复合层110a可为一仿珍珠层。此处,非导体无机材料与有机材料的复合层110a的杨氏系数例如为介于20gpa至100gpa之间。相较于现有的常用的介电层(其杨氏系数不大于10gpa)以及封装材料(其杨氏系数不大于20gpa)而言,本实施例的非导体无机材料与有机材料的复合层110a具有极好的硬度,可有效强化线路板100a的结构强度。

再者,本实施例的线路板100a还包括多个接垫125,其中接垫125配置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第二表面114上,且与导电结构120a电性连接。此处,非导体无机材料与有机材料的复合层110a的开口116a可为多个盲孔,而部分第一增层结构130a嵌埋于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第一表面112,且接垫125通过导电结构120a与第一增层结构130a电性连接。

更进一步来说,请再参考图1a,本实施例的第一增层结构130a包括至少一第一介电层132(图1a中示意地示出三层第一介电层)、至少一第一图案化导电层134(图1a中示意地示出三层第一图案化导电层)以及至少一贯穿第一介电层132的第一导电通孔结构136(图1a中示意地示出多个第一导电通孔结构)。第一介电层132与第一图案化导电层134依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第一表面112上,且第一图案化导电层134通过第一导电通孔结构136与导电结构120a电性连接。

另一方面,本实施例的第二增层结构140a包括至少一第二介电层142(图1a中示意地示出一层第二介电层)、至少一第二图案化导电层144(图1a中示意地示出一层第二图案化导电层)以及至少一贯穿第二介电层142的第二导电通孔结构146(图1a中示意地示出多个第二导电通孔结构)。第二介电层142与第二图案化导电层144依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第二表面114上,且第二图案化导电层144通过第二导电通孔结构146与导电结构120a电性连接。

此外,本实施例的线路板100a还包括一防焊层150以及一表面处理层160。防焊层150配置于第二增层结构140a上,其中防焊层150暴露出部分第二增层结构140a。表面处理层160配置于防焊层150所暴露出的第二增层结构140a上。

由于本实施例的线路板100a是在非导体无机材料与有机材料的复合层110a的第一表面112与第二表面114上分别配置第一增层结构130a与第二增层结构140a,意即可将非导体无机材料与有机材料的复合层110a视为一强化层,其110a相较于一般的介电层及封装材料具有较高的硬度。因此,本实施例的线路板100a可通过非导体无机材料与有机材料的复合层110a来强化整体的结构强度,以防止载板产生翘曲(warpage)现象,借此可以提升制程良率。

在此必须说明的是,下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,下述实施例不再重复赘述。

图1b示出为本发明的另一实施例的一种线路板的剖面示意图。请同时参考图1a与图1b,本实施例的线路板100b与图1a的线路板100a相似,两者的差异在于:本实施例的非导体无机材料与有机材料的复合层110b的开口116b可为多个贯孔,连接非导体无机材料与有机材料的复合层110b的第一表面112与第二表面114。导电结构120b可为多个导电柱,而第一增层结构130b的第一导电通孔结构136通过导电结构(即导电柱)120b与第二增层结构140b的第二导电通孔结构146电性连接。

以下将以二实施例来分别说明的线路板100a、线路板100b的制作方法,并配合图2a至图2g以及图3a与图3f对线路板100a、线路板100b的制作方法进行详细的说明。

图2a至图2g示出为本发明的一实施例的一种线路板的制作方法的剖面示意图。请先参考图2a,依照本实施例的线路板100a的制作方法,首先,提供一支撑板10,其中支撑板10上配置有一暂时性粘着层20。此处,支撑板10例如是一玻璃基板、一硅基板或一铜箔基板,但并不以此为限。

接着,请参考图2b,于暂时性粘着层20上形成一图案化线路层30,其中图案化线路层30暴露出部分暂时性粘着层20。此处,形成图案化线路层30的方法包括通过溅镀钛/铜以及微影黄光制程。

接着,请参考图2c,形成第一增层结构130a于暂时性粘着层20上,且与图案化线路层30电性连接。此处,第一增层结构130a包括三层第一介电层132、三层第一图案化导电层134以及多个贯穿第一介电层132的第一导电通孔结构136。第一介电层132与第一图案化导电层134依序叠置于暂时性粘着层20上,且第一图案化导电层134通过第一导电通孔结构136与图案化线路层30电性连接。

接着,请参考图2d,配置一非导体无机材料与有机材料的复合层110a与多个导电结构120a于第一增层结构130a上,其中非导体无机材料与有机材料的复合层110a包覆导电结构120a,且导电结构120a与第一增层结构130a电性连接。

详细来说,配置非导体无机材料与有机材料的复合层110a与导电结构120a于第一增层结构130上的步骤包括:先配置非导体无机材料与有机材料的复合层110a于第一增层结构130上,其中非导体无机材料与有机材料的复合层110a具有多个盲孔(即开口116a),而盲孔(即开口116a)暴露出部分第一增层结构130a,即暴露出第一增层结构130a的第一图案化导电层134。

接着,再形成导电结构120a于第一增层结构130上且位于盲孔(即开口116a)内,其中导电结构120a与盲孔(即开口116a)所暴露出的第一增层结构130a电性连接。此处,于形成导电结构120a的同时,还形成多个接垫125于非导体无机材料与有机材料的复合层110a上,其中接垫125通过导电结构120a与第一增层结构130电性连接。

进一步来说,本实施例的非导体无机材料与有机材料的复合层110a的材质例如是由一陶瓷材料与一高分子材料所组成的一复合材料,其中陶瓷材料包括氧化锆、氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化硅或前述的组合,而高分子材料包括环氧树脂、聚亚酰胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型树脂、乙烯苯基型树脂、烯丙基型树脂、聚丙烯酸酯型树脂、聚醚型树脂、聚烯烃型树脂、聚胺型树脂、聚硅氧烷型树脂或前述的组合。陶瓷材料可以是陶瓷层片或陶瓷粉末,但本实施例的陶瓷材料并不以此为限。在陶瓷粉末实施例中,非导体无机材料与有机材料的复合层110a的制作方法可运用真空浸渍技术将高分子材料浸渗于陶瓷粉末中,以制备出由陶瓷粉末与高分子材料组成的复合材料所构成的非导体无机材料与有机材料的复合层110a。然后通过热压合或者真空浸渍后照射紫外光及加热的方式将非导体无机材料与有机材料的复合层110a配置于第一增层结构130上,将于后续图3c中补充说明,但并不以此为限。在陶瓷层片实施例中,非导体无机材料与有机材料的复合层110a的制作方法可运用真空浸渍技术将高分子材料浸渗于陶瓷层片中,以制备出由陶瓷层片与高分子材料组成的复合材料所构成的非导体无机材料与有机材料的复合层110a。然而,本实施例的非导体无机材料与有机材料的复合层110a的制造方法并不以此为限,也可采用其他能够使高分子材料与陶瓷材料形成复合材料的方法。在陶瓷层片实施例中,更详细而言,非导体无机材料与有机材料的复合层110a包含有机质与无机物的复合组成(例如高分子材料与陶瓷层片的复合组成),基于有机质对无机物的粘附作用,非导体无机材料与有机材料的复合层110a的陶瓷层片具有片状、砖状或其组合排列的微观层叠结构,这种排列抑制了横向破裂力量的传导,进而显著地增加其坚硬度。如此一来,使得材质坚固而具有弹性,能够提高陶瓷强度并改善陶瓷脆性,同时具有极好的韧性。非导体无机材料与有机材料的复合层110a可为一仿珍珠层。此处,非导体无机材料与有机材料的复合层110a的杨氏系数例如为介于20gpa至100gpa之间。

本发明的一实施例中,盲孔116a是采用激光方式形成。本发明的另ㄧ实施例中,盲孔116a的孔底直径例如是10um,就单一片状、砖状的陶瓷层片的长度相对于孔底直径而言,可选择前者比后者为0.1以下比例,因此陶瓷层片的长度相对可为0.3~1um(300nm~1000nm)、厚度相对可为0.03~0.1um(30nm~100nm),高分子材料例如是环氧系(epoxy-based)树脂和酰亚胺系(imide-based)树脂的感光性树脂组合物(photosensitiveresincomposition)的。采用可透感光性树脂组合物曝光能量的紫外光波长的片状、砖状的陶瓷层片,例如石英材质具紫外光波段高穿透特性,可大幅减低紫外光能量耗损。将层叠结构的片状、砖状的陶瓷层片以感光性树脂组合物浸渍后,要形成盲孔116a的位置予以曝光后,以超声波显影液水泡或脉冲显影液水柱等方式、兼具洗去盲孔116a位置的树脂,以及清除盲孔116a位置的层叠结构的片状、砖状的陶瓷层片的效果,以形成盲孔116a。

接着,请参考图2e,形成第二增层结构140a于非导体无机材料与有机材料的复合层110a上,其中第二增层结构140a通过导电结构120a与第一增层结构130a电性连接。此处,第二增层结构140a包括一层第二介电层142、一层第二图案化导电层144以及多个贯穿第二介电层142的第二导电通孔结构146。第二介电层142与第二图案化导电层144依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层110a上,且第二图案化导电层144通过第二导电通孔结构146与导电结构120a电性连接。

接着,请参考图2f,形成防焊层150于第二增层结构140a上,其中防焊层150暴露出部分第二增层结构140a。意即,防焊层150暴露出第二增层结构140a的部分第二图案化导电层144。

之后,请同时参考图2f与2g,形成表面处理层160于防焊层150所暴露出的第二增层结构140a上。意即,表面处理层160是形成在防焊层150所暴露的第二增层结构140a的部分第二图案化导电层144上。最后,移除支撑板10以及暂时性粘着层20,而暴露出第一增层结构130a的一表面131以及图案化线路层30。至此,已完成线路板100a的制作。

图2h示出为图2g的线路板承载至少一芯片的剖面示意图。请同时参考图2g与图2h,图2g的线路板100a适于承载至少一芯片(图2h中仅示意地示出二个芯片40、芯片50),其中芯片40、芯片50适于配置于第一增层结构130a的表面131上且与图案化线路层30电性连接。之后,通过单体化程序,即可形成图2h的封装结构200a。此处,芯片40、芯片50例如是应用处理(applicationprocessor,ap)芯片、加宽总线(widei/o)芯片或上述的组合,但并不以此为限。

由于本实施例的封装结构200a是将芯片40、芯片50配置于具有非导体无机材料与有机材料的复合层110a的线路板100a上,其110a相较于一般的介电层及封装材料具有较高的硬度。因此,本实施例的封装结构200a可通过非导体无机材料与有机材料的复合层110a来强化整体的结构强度,以防止载板产生翘曲(warpage)现象,借此可以提升结构可靠度。

图3a至图3f示出为本发明的另一实施例的一种线路板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的线路板100b的制作方法与上述的线路板100a的制作方法相似,两者的差异在于:于图2b的步骤之后,即形成图案化线路层30之后,请参考图3a,形成第一增层结构130b于暂时性粘着层20上,且与图案化线路层30电性连接。此处,第一增层结构130b包括三层第一介电层132、二层第一图案化导电层134以及多个贯穿第一介电层132的第一导电通孔结构136。第一介电层132与第一图案化导电层134依序叠置于暂时性粘着层20上,且第一图案化导电层134通过第一导电通孔结构136与图案化线路层30电性连接。

接着,请参考图3b,形成导电结构120b于第一增层结构130b上,其中导电结构120b可多个导电柱,且导电结构120b与第一增层结构130b的第一导电通孔结构136电性连接。

接着,请参考图3c,形成非导体无机材料与有机材料的复合层110b于第一增层结构130a上且包覆导电柱(即导电结构120b),其中非导体无机材料与有机材料的复合层110b彼此相对的第一表面112与第二表面114分别与每一导电柱(即导电结构120b)的一第三表面122与一第四表面124切齐。

本实施例的非导体无机材料与有机材料的复合层110a的材质例如是由一陶瓷材料与一高分子材料所组成的一复合材料,在陶瓷材料为陶瓷粉末的实施例中,可运用真空浸渍技术将高分子材料浸渗于陶瓷粉末中,以制备出由陶瓷粉末与高分子材料组成的复合材料所构成的非导体无机材料与有机材料的复合层110a。高分子材料例如是环氧系树脂和酰亚胺系树脂的感光性树脂组合物的实施例中,通过例如热压合或者真空浸渍后照射紫外光及加热的方式将非导体无机材料与有机材料的复合层110a配置于第一增层结构130上。

接着,请参考图3d,形成第二增层结构140b于非导体无机材料与有机材料的复合层110b上,其中第二增层结构140b通过导电结构120b与第一增层结构130b电性连接。此处,第二增层结构140b包括二层第二介电层142、二层第二图案化导电层144以及多个贯穿第二介电层142的第二导电通孔结构146。第二介电层142与第二图案化导电层144依序叠置于非导体无机材料与有机材料的复合层110b上,且第二图案化导电层144通过第二导电通孔结构146与导电结构120b电性连接。

接着,请参考图3e,形成防焊层150于第二增层结构140b上,其中防焊层150暴露出部分第二增层结构140b。意即,防焊层150暴露出第二增层结构140b的部分第二图案化导电层144

之后,请同时参考图3e与3f,形成表面处理层160于防焊层150所暴露出的第二增层结构140a上。意即,表面处理层160是形成在防焊层150所暴露的第二增层结构140b的部分第二图案化导电层144上。最后,移除支撑板10以及暂时性粘着层20,而暴露出第一增层结构130b的表面131以及图案化线路层30。至此,已完成线路板100b的制作。

图3g示出为图3f的线路板承载至少一芯片的剖面示意图。请同时参考图3f与图3g,图3f的线路板100b适于承载至少一芯片(图3f中仅示意地示出二个芯片40、芯片50),其中芯片40、芯片50适于配置于第一增层结构130b的表面131上且与图案化线路层30电性连接。之后,通过单体化程序,即可形成图3g的封装结构200b。此处,芯片40、芯片50例如是应用处理(applicationprocessor,ap)芯片、加宽总线(widei/o)芯片或上述的组合,但并不以此为限。(请发明人协助确认及补充)

由于本实施例的封装结构200b是将芯片40、芯片50配置于具有非导体无机材料与有机材料的复合层110b的线路板100b上,其110b相较于一般的介电层及封装材料具有较高的硬度。因此,本实施例的封装结构200b可通过非导体无机材料与有机材料的复合层110b来强化整体的结构强度,以防止载板产生翘曲(warpage)现象,借此可以提升结构可靠度。

图4a至图4d示出为本发明的另一实施例的一种线路板的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的线路板的制作方法与上述的线路板100b的制作方法相似,两者的差异在于:配置非导体无机材料与有机材料的复合层110c(请参考图4d)与导电结构120c(请参考图4d)于第一增层结构130b上的步骤。

详细来说,首先,请参考图4a,提供一非导体无机材料与有机材料的复合层110,其中非导体无机材料与有机材料的复合层110具有彼此相对的一上表面111与一下表面113。接着,请参考图4b,于非导体无机材料与有机材料的复合层110的上表面111形成多个盲孔115。接着,形成一电镀种子层117于非导体无机材料与有机材料的复合层110的上表面111上以及盲孔115的孔壁上。

接着,请参考图4c,通过电镀种子层117而形成一导电材料层120于非导体无机材料与有机材料的复合层110的上表面111上以及盲孔115内,其中导电材料120完全填满盲孔115。之后,请参考图4d,移除部分导电材料层120与部分非导体无机材料与有机材料的复合层110,而形成薄化的非导体无机材料与有机材料的复合层110c与导电结构120c,其中导电结构120c可为多个导电柱,且非导体无机材料与有机材料的复合层110c彼此相对的第一表面112与第二表面114分别与每一导电柱(即导电结构120c)的第三表面122与第四表面124切齐。最后,将形成好的非导体无机材料与有机材料的复合层110c与导电结构120c配置于图3a的第一增层结构130b上,且接续图3d至图3f的步骤即可完成线路板的制作。

综上所述,由于本发明的线路板是在非导体无机材料与有机材料的复合层的相对两表面上分别配置增层结构,意即可将非导体无机材料与有机材料的复合层视为一强化层,其相较于一般的介电层及封装材料具有较高的硬度。因此,本发明的线路板可通过非导体无机材料与有机材料的复合层来强化整体的结构强度,以防止载板产生翘曲(warpage)现象,借此可以提升制程良率。

最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1