一种熔炼专用设备电子器件的制作方法

本实用新型涉及一种半导体混合集成电路器件，尤其涉及一种熔炼专用设备电子器件。

背景技术：

大部分高压大功率驱动器是通过多个半导体元器件组合使用来实现电路功能，虽然可以实现高压大功率应用，但是占用空间大，可靠性差，组装繁琐。尤其是在空间要求小，可靠性要求高的条件下，用多个半导体分立器件实现大功率驱动电路具有一定困难。

技术实现要素：

针对现有技术的上述缺陷，本实用新型提供的一种熔炼专用设备电子器件，可靠性强，结构紧凑，占用空间小，组装方便，可实现高压大功率，能保证逆变器安全可靠的运行。

为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种熔炼专用设备电子器件包括：控制电路、逆变电路、负偏压电路、驱动板的控制保护电路、RC阻容吸收电路，所述逆变电路由大功率MOSFET模块、快恢复二极管并联组成的单相H桥，所述MOSFET模块电路中设有负偏压电路和驱动板的控制保护电路，每个MOSFET模块两端都并接有RC阻容吸收电路。

其中，所述负偏压电路由7个4007二极管构成了-5V的负偏压电路。

其中，所述负偏压电路防止MOSFET的误导通、加快关断过程。

其中，所述MOSFET为1000V/38A。

其中，所述快恢复二极管为1000V/61A。

其中，所述单相H桥的额定设计功率为100kW，采用逆变桥模块叠加结构。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的一种熔炼专用设备电子器件，可靠性强，结构紧凑，占用空间小，组装方便，采用逆变桥模块叠加结构可实现高压大功率，驱动板的控制保护电路能保证逆变器安全可靠的运行。

为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是本实用新型一种熔炼专用设备电子器件的控制电路；

图2是本实用新型一种熔炼专用设备电子器件的负偏压电路；

图3是本实用新型一种熔炼专用设备电子器件的驱动板的控制保护电路。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1-3，一种熔炼专用设备电子器件包括：控制电路、逆变电路、负偏压电路、驱动板的控制保护电路、RC阻容吸收电路，所述逆变电路由大功率MOSFET模块、快恢复二极管并联组成的单相H桥，所述MOSFET模块电路中设有负偏压电路和驱动板的控制保护电路，每个MOSFET模块两端都并接有RC阻容吸收电路。

进一步，所述负偏压电路由7个4007二极管构成了-5V的负偏压电路。

进一步，所述负偏压电路防止MOSFET的误导通、加快关断过程。

进一步，所述MOSFET为1000V/38A。

进一步，所述快恢复二极管为1000V/61A。

进一步，所述单相H桥的额定设计功率为100kW，采用逆变桥模块叠加结构。

在感应加热的过程中，串联逆变器总是工作在小感性准谐振状态下，即工作频率总是略高于负载的谐振频率。由于工作温度的变化，负载线圈的电参数将随时间而变，这将使逆变器偏离最佳工作点，因而不仅使逆变桥上MOSFET的关断电流值增加，引起关断损耗增大，逆变器的功率容量不能充分利用。因此需要设置锁相控制电路，以实现频率的自动跟踪。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。