多层基板的制作方法

本实用新型涉及多层基板，尤其涉及具备层叠以树脂为主要材料的多个绝缘基材层来形成的层叠体以及形成于该层叠体的线圈的多层基板。

背景技术：

以往，已知有多种具备层叠以树脂为主要材料的多个绝缘基材层来形成的层叠体以及形成于层叠体的线圈的多层基板。

例如，在专利文献1中公开了一种多层基板，包括：具有厚壁部(以下，第一区域)和薄壁部(以下，第二区域)的层叠体以及形成于第一区域的线圈。上述多层基板中，线圈包含分别形成于2个以上的绝缘基材层的多个线圈导体图案以及连接多个线圈导体图案的层间连接导体来构成。从多个绝缘基材层的层叠方向观察时，上述多个线圈导体图案配置成彼此重叠。

在上述多层基板中，第二区域的绝缘基材层的层叠数小于第一区域的绝缘基材层的层叠数，因此第二区域具有可挠性，在第一区域和第二区域的边界附近存在层叠数不同的高低差部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/083525号

技术实现要素：

实用新型所要解决的技术问题

一般，专利文献1所公开的多层基板(层叠体)是通过使用与高低差部的形状相对应的模具，对层叠后的多个绝缘基材层进行加热加压来得到的。

图6是示出具有高低差部的多层基板的制造工序的一部分的剖视图。如图6所示，多层基板(层叠体)是通过使用模具1a、2a在层叠方向上(Z轴方向)对层叠后的多个绝缘基材层11a、12a、13a、14a、15a进行加热加压来得到的。在模具2a的表面形成有与层叠体的高低差部SP1a的形状相对应的高低差部SP2a。然而，模具2a的形状与层叠体的高低差部SP1a不易完全一致，为了抑制加热加压时的接合不良，一般使模具2a的高低差部SP2a的高度H2形成得比高低差部SP1a的高度H1更小。

然而，在上述的制造方法中，由于下述理由，线圈的特性有可能会产生偏差。

(a)在绝缘基材层的层叠数较多的第一区域，相比绝缘基材层的层叠数较少的第二区域，在加热加压时施加有更高的压力。因此，在加热加压时，以树脂为主要材料的绝缘基材层从第一区域向第二区域流动。此时，在高低差部SP1a附近的绝缘基材层的流动特别大(参照图6中的箭头)，伴随绝缘基材层的流动，位于高低差部SP1a附近的线圈导体图案容易产生位置偏移。

(b)加热加压时压力集中地施加于配置成在多个绝缘基材层的层叠方向上多个线圈导体图案重叠的部分，因此线圈导体图案的位置偏移容易变大。

(c)此外，高低差部SP1a附近与模具2a接触的面积较大(例如，图6中的绝缘基材层13a、14a、15a的右端面以及绝缘基材层15a的下表面)，因此在加热加压时容易受到冲压机的热量影响。因此，在加热加压时高低差部SP1a附近的绝缘基材层容易流动，位于高低差部SP1a附近的线圈导体图案容易产生位置偏移。

本实用新型的目的是提供一种多层基板，构成为利用绝缘基材层的层叠数的不同在第一区域和第二区域的边界形成有高低差部，抑制伴随位于高低差部附近的线圈导体图案的位置偏移而产生的线圈特性的变动。

解决技术问题的技术方案

(1)本实用新型的多层基板包括：

层叠体，该层叠体层叠以树脂为主要材料的多个绝缘基材层来形成，并且具有第一区域和第二区域，该第二区域的所述绝缘基材层的层叠数小于所述第一区域；

高低差部，由于多个所述绝缘基材层的层叠数的不同，而在所述第一区域与所述第二区域的边界形成有该高低差部；以及

线圈，该线圈形成在所述第一区域，

所述线圈包含多个线圈导体图案和第一层间连接导体来构成，该多个线圈导体图案形成在多个所述绝缘基材层中2个以上的绝缘基材层，该第一层间连接导体形成在所述绝缘基材层并将多个所述线圈导体图案彼此连接，

从多个所述绝缘基材层的层叠方向观察时，多个所述线圈导体图案配置成至少一部分彼此重叠，

从所述层叠方向观察时，所述第一层间连接导体配置在多个所述线圈导体图案中、沿着所述高低差部并靠近所述高低差部的部分。

一般，在加热加压时施加有较高的压力，高低差部附近容易受到冲压机的热量影响，因此加热加压时的绝缘基材层的流动较大。另一方面，在上述结构中，在线圈导体图案中、沿着高低差部并靠近高低差部的部分,配置有在加热加压时相比线圈导体图案不易产生位置偏移的第一层间连接导体，因此加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动被第一层间连接导体抑制。从而，根据该结构，能抑制在加热加压时，位于高低差部附近的线圈导体图案的位置偏移、变形等，能抑制伴随线圈导体图案的位置偏移、变形等产生的线圈的特性变化。

(2)在上述(1)中，优选为包括形成于所述绝缘基材层的虚拟导体图案，从所述层叠方向观察时，所述虚拟导体图案配置在靠近所述高低差部的位置。在该结构下，利用存在于高低差部和线圈之间的虚拟导体图案，能进一步抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。

(3)在上述(2)中，优选为从所述层叠方向观察时，所述虚拟导体图案沿着所述高低差部配置。利用该结构，能更有效地抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。

(4)在上述(2)中，优选为从所述层叠方向观察时，所述虚拟导体图案配置成跨过所述高低差部。根据该结构，与虚拟导体图案不配置成跨过高低差部的情况相比，能更有效地抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。此外，利用该结构，能提高形成了层叠体后的高低差部附近的机械强度。而且，利用该结构，能实现一种可容易地对高低差部附近的第二区域进行塑性变形(折弯加工)的多层基板。

(5)在上述(3)中，优选为从所述层叠方向观察时，所述虚拟导体图案配置成跨过所述高低差部。根据该结构，与虚拟导体图案不配置成跨过高低差部的情况相比，能进一步抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。此外，利用该结构，能提高形成了层叠体后的高低差部附近的机械强度。而且，利用该结构，能实现一种可容易地对高低差部附近的第二区域进行塑性变形(折弯加工)的多层基板。

(6)在上述(2)中，优选为所述虚拟导体图案是形成在多个所述绝缘基材层中2个以上绝缘基材层的多个虚拟导体图案，包括第二层间连接导体，该第二层间连接导体形成于所述第一区域并将多个所述虚拟导体图案彼此连接，从所述层叠方向观察时，所述第二层间连接导体配置在靠近所述高低差部的位置。在该结构中，在线圈和高低差部之间配置有与线圈导体图案相比在加热加压时不易产生位置偏移的第二层间连接导体。因此，利用第二层间连接导体，能进一步抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。

(7)在上述(3)中，优选为所述虚拟导体图案是形成在多个所述绝缘基材层中2个以上绝缘基材层的多个虚拟导体图案，包括第二层间连接导体，该第二层间连接导体形成于所述第一区域并将多个所述虚拟导体图案彼此连接，从所述层叠方向观察时，所述第二层间连接导体配置在靠近所述高低差部的位置。在该结构中，在线圈和高低差部之间配置有与线圈导体图案相比在加热加压时不易产生位置偏移的第二层间连接导体。因此，利用第二层间连接导体，能进一步抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。

(8)在上述(4)中，优选为所述虚拟导体图案是形成在多个所述绝缘基材层中2个以上绝缘基材层的多个虚拟导体图案，包括第二层间连接导体，该第二层间连接导体形成于所述第一区域并将多个所述虚拟导体图案彼此连接，从所述层叠方向观察时，所述第二层间连接导体配置在靠近所述高低差部的位置。在该结构中，在线圈和高低差部之间配置有与线圈导体图案相比在加热加压时不易产生位置偏移的第二层间连接导体。因此，利用第二层间连接导体，能进一步抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。

(9)在上述(5)中，所述虚拟导体图案是形成在多个所述绝缘基材层中2个以上绝缘基材层的多个虚拟导体图案，包括第二层间连接导体，该第二层间连接导体形成于所述第一区域并将多个所述虚拟导体图案彼此连接，从所述层叠方向观察时，所述第二层间连接导体配置在靠近所述高低差部的位置。在该结构中，在线圈和高低差部之间配置有与线圈导体图案相比在加热加压时不易产生位置偏移的第二层间连接导体。因此，利用第二层间连接导体，能进一步抑制加热加压时的高低差部附近的绝缘基材层的流动。

(10)上述(1)至(9)的任一项中，优选为多个所述绝缘基材层由热塑性树脂形成。根据该结构，通过一并冲压层叠后的多个绝缘基材层，能容易地形成层叠体，因此能减少多层基板的制造工序，并将成本抑制得较低。

实用新型效果

根据本实用新型，能实现一种多层基板，构成为利用绝缘基材层的层叠数的不同在第一区域和第二区域的边界形成有高低差部，抑制伴随位于高低差部附近的线圈导体图案的位置偏移而产生的线圈特性的变动。

附图说明

图1(A)是第1实施方式所涉及的多层基板101的剖视图，图1(B)是多层基板101的俯视图。

图2是多层基板101的展开俯视图。

图3是具备多层基板101的通信模块201的电路图。

图4(A)是第2实施方式所涉及的多层基板102的剖视图，图4(B)是多层基板102的俯视图。

图5是多层基板102的展开俯视图。

图6是示出具有高低差部的多层基板的制造工序的一部分的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图例举了几个具体的示例，表示用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对于相同部位标注相同标号。考虑到要点的说明或者理解的容易性，为便于说明而分开表示实施方式，但能对不同实施方式所示的结构进行部分替换或者组合。对于第2实施方式之后与第1实施方式相同的内容，省略描述，对于不同点进行说明。特别是，对于由相同的结构导致相同的作用效果，不再对每个实施方式依次提及。

《第1实施方式》

图1(A)是第1实施方式所涉及的多层基板101的剖视图，图1(B)是多层基板101的俯视图。图2是多层基板101的展开俯视图。另外，在图2中，为了容易理解结构，用点状图案表示线圈导体图案31、32、33。此外，在图1中，夸张地图示各部分的厚度。这点在以下所示的各剖视图中也相同。

多层基板101包括层叠体10、高低差部SP、线圈3、外部连接电极P1、P2等。

层叠体10具有第一区域F1和第二区域F2，线圈3形成于第一区域F1。此外，层叠体10具有第一主面VS1、与第一主面VS1相对的第二主面VS2A、VS2B。第二主面VS2A是位于第一区域F1的面，第二主面VS2B是位于第二区域F2的面。外部连接电极P1形成于第二区域F2的第二主面VS2B，外部连接电极P2形成于第一区域F1的第二主面VS2A。

层叠体10是长边方向与X轴方向一致的矩形的绝缘体平板。层叠体10是将以树脂(热塑性树脂)为主要材料的多个绝缘基材层14、13、12、11按照该顺序层叠形成的。层叠体10的第一区域F1是按照绝缘基材层14、13、12、11的顺序层叠形成的。第二区域F2是按照绝缘基材层12、11的顺序层叠形成的。如图2等所示，绝缘基材层11、12是形成于整个第一区域F1和第二区域F2的绝缘基材层。绝缘基材层11、12、13、14是例如以聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)等为主要材料的树脂片。

第二区域F2的绝缘基材层的层叠数(2层)小于第一区域F1的绝缘基材层的层叠数(4层)。因此，层叠体10的第二区域F2比第一区域F1更容易弯曲，具有可挠性。第一区域F1比第二区域F2更硬，比第二区域F2更难弯曲。此外，由于多个绝缘基材层的层叠数的不同，从而在第一区域F1与第二区域F2的边界形成高低差部SP。本实施方式的高低差部SP与YZ平面平行。

绝缘基材层11、12、13、14分别是长边方向与X轴方向一致的矩形的平板。绝缘基材层11、12的X轴方向的长度比绝缘基材层13、14的X轴方向的长度更长。绝缘基材层11、12的平面形状大致相同，绝缘基材层13、14的平面形状大致相同。

在绝缘基材层11的背面形成有线圈导体图案31和导体21。线圈导体图案31是配置在比绝缘基材层11的中央更靠近第一边(图2中的绝缘基材层11的左边)附近的位置且呈大致1匝的矩形环状的导体图案。导体21是大致沿着X轴方向延伸的曲柄状的导体图案。线圈导体图案31和导体21是例如Cu箔等的导体图案。

在绝缘基材层12的背面形成有线圈导体图案32和外部连接电极P1。线圈导体图案32是配置在绝缘基材层12的中央更靠近第一边(图2中的绝缘基材层12的左边)附近的位置且呈大致1匝的矩形环状的导体图案。外部连接电极P1是配置在绝缘基材层12的第二边(图2中的绝缘基材层12的右边)中央附近的矩形导体图案。线圈导体图案32和外部连接电极P1是例如Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层12形成有层间连接导体V1、V11。本实施方式的层间连接导体V11相当于本实用新型的“第一层间连接导体”。

在绝缘基材层13的背面形成有线圈导体图案33。线圈导体图案33是沿着绝缘基材层13的外形卷绕的大致1匝的矩形环状的导体图案。线圈导体图案33是例如Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层13形成有层间连接导体V12。本实施方式的层间连接导体V12相当于本实用新型的“第一层间连接导体”。

在绝缘基材层14的背面形成有外部连接电极P2。外部连接电极P2是配置在绝缘基材层14的中央更靠近第三边(图2中的绝缘基材层14的下边)附近的位置的矩形导体图案。外部连接电极P2是例如Cu箔等的导体图案。

此外，在绝缘基材层14形成有层间连接导体V2。

外部连接电极P1经由层间连接导体V1连接至导体21的第一端。导体21的第二端连接至线圈导体图案31的第一端。线圈导体图案31的第二端经由层间连接导体V11连接至线圈导体图案32的第一端。线圈导体图案32的第二端经由层间连接导体V12连接至线圈导体图案33的第一端。线圈导体图案33的第二端经由层间连接导体V2连接至外部连接电极P2。

由此，通过线圈导体图案31、32、33和层间连接导体V11、V12，构成在Z轴方向具有卷绕轴AX的大致3匝的矩形螺旋状的线圈3。

如图1(A)和图1(B)等所示，从多个绝缘基材层的层叠方向(Z轴方向)观察时，线圈导体图案31、32、33配置成相互大致重叠。此外，如图1(A)和图1(B)等所示，从Z轴方向观察时，层间连接导体V11、V12(第一层间连接导体)配置在线圈导体图案31、32、33中沿着高低差部SP并靠近高低差部SP的部分ADP(图2中的线圈导体图案31、32、33中沿着Y轴方向延伸的右边部分)。

这里，本实用新型中的“沿着高低差部并靠近高低差部的部分”是指线圈导体图案31、32、33中沿着高低差部SP延伸且比其他部分更靠近高低差部SP配置的部分。此外，本实用新型中的“沿着高低差部的部分”是指例如线圈导体图案中线圈导体图案的延伸方向和高低差部SP构成的角度在－30°到+30°的范围内的部分。°

根据本实施方式的多层基板101，能起到以下的效果。

(a)一般，在加热加压时施加较高的压力，高低差部SP附近容易受到冲压机的热量影响，因此加热加压时的绝缘基材层的流动较大。另一方面，在本实施方式中，在沿着高低差部SP并靠近高低差部SP的部分ADP,配置有在加热加压时相比线圈导体图案不易产生位置偏移的层间连接导体(第一层间连接导体)，因此加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动被第一层间连接导体抑制。从而，根据该结构，能抑制在加热加压时，位于高低差部SP附近的线圈导体图案的位置偏移、变形等，能抑制伴随线圈导体图案的位置偏移、变形等产生的线圈的特性变化。

另外，在本实施方式中，多个绝缘基材层11、12、13、14由热塑性树脂形成。因此，与使用接合层(例如半固化状态的预浸料树脂片)形成层叠体的情况相比，加热加压时的绝缘基材层的流动容易变大，容易伴随线圈导体图案的位置偏移、变形等而线圈的特性发生变化。从而，上述结构在不使用接合层而形成层叠体的情况下尤其有效。

另外，如本实施方式所示，第一层间连接导体的数量优选为多个。通过将多个第一层间连接导体配置于沿着高低差部并靠近高低差部的部分ADP，从而能有效地抑制加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动。

(b)，在本实施方式中，多个绝缘基材层11、12、13、14由热塑性树脂形成。根据该结构，如后详细描述的那样，通过一并冲压层叠后的多个绝缘基材层11、12、13、14，能容易地形成层叠体10，因此能减少多层基板101的制造工序，并将成本抑制得较低。

本实施方式所涉及的多层基板101例如通过如下所示的制造方法制造。

(1)首先，准备多个绝缘基材层11、12、13、14。之后，在多个绝缘基材层11、12、13、14形成线圈导体图案31、32、33、导体21以及外部连接电极P1、P2。具体而言，在集合基板(AGGREGATE SUBSTRATE)状态的绝缘基材层11、12、13、14、15的单侧主面(背面)层叠金属箔(例如Cu箔)，通过光刻对该金属箔形成图案。由此，在绝缘基材层11的背面形成线圈导体图案31和导体21，在绝缘基材层12的背面形成线圈导体图案32和外部连接电极P1，在绝缘基材层13的背面形成线圈导体图案33，在绝缘基材层14的背面形成外部连接电极P2。

绝缘基材层11、12、13、14是例如以聚酰亚胺(PI)、液晶聚合物(LCP)等为主要材料的树脂(热塑性树脂)片。

此外，在多个绝缘基材层12、13、14形成有层间连接导体V1、V2、V11、V12。层间连接导体V1、V2、V11、V12是通过利用激光器等在绝缘基材层12、13、14设置贯通孔后，配置包含Cu、Sn等中1种以上或它们的合金的导电性糊料，并利用之后的加热加压使其固化来设置的。

(2)接着，使用上部模具和下部模具(参照图6中的模具1a、2a)，朝向层叠方向(Z轴方向)对层叠后的多个绝缘基材层11、12、13、14进行加热加压。具体而言，在下部模具上，按照多个绝缘基材层14、13、12、11的顺序层叠后，使用上部模具和下部模具，对层叠后的多个绝缘基材层11、12、13、14进行加热加压来形成层叠体。

(3)之后，通过从上部模具和下部模具中取出集合基板状态的层叠体，对集合基板状态的层叠体进行分割，来获得单独的多层基板101。

根据该制造方法，通过一并冲压层叠后的多个绝缘基材层11、12、13、14，能容易地形成层叠体10。因此，能减少多层基板101的制造工序，将成本抑制得较低。

本实施方式所涉及的多层基板101例如如下述那样使用。图3是具备多层基板101的通信模块201的电路图。在图3中，用线圈天线ANT表示多层基板101所具备的线圈3。

通信模块201具备线圈天线ANT(多层基板101)、电容器C1和IC4。如图3所示，线圈天线ANT与IC4连接，电容器C1与线圈天线ANT并联连接。IC4、电容器C1以及多层基板101安装于未图示的电路基板，利用形成于电路基板的导体图案电连接。经由焊料等导电性接合材料将外部连接电极(图1(A)中的外部连接电极P1、P2)与电路基板接合，从而将多层基板101连接至电路基板。

利用图3所示的线圈天线ANT、电容器C1以及IC4自身所具有的电容分量，构成LC谐振电路。IC4是例如封装后的RFIC芯片(裸芯片)。电容器C1例如是贴片型电容器等。

另外，在图3中，虽然示出了电容器C1是安装于电路基板的贴片型电容器的示例，但并不限于此。电容器C1例如也可以安装于多层基板101。此外，电容器C1并不限定于贴片元器件。电容器C1例如也可以是形成于多个绝缘基材层且形成于彼此相对的导体图案间的层间电容器。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，示出具备虚拟导体图案的多层基板的示例。

图4(A)是第2实施方式所涉及的多层基板102的剖视图，图4(B)是多层基板102的俯视图。图5是多层基板102的展开俯视图。另外，在图5中，为了容易理解结构，用点状图案表示线圈导体图案31、32、33。

多层基板102与第1实施方式的多层基板101的不同之处在于：具备虚拟导体图案41、42以及层间连接导体V21、V22等。多层基板102的其他结构与多层基板101实质上相同。

以下，对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。

虚拟导体图案41是配置在绝缘基材层12的中央附近的矩形导体图案。虚拟导体图案42是配置在绝缘基材层13的第二边(图4中的绝缘基材层13的右边)附近的矩形导体图案。

此外，在绝缘基材层13形成有层间连接导体V21、V22。此外，如图4(A)和图4(B)所示，层间连接导体V21、V22形成于层叠体10的第一区域F1。虚拟导体图案41、42经由层间连接导体V21、V22进行连接。

本实施方式的层间连接导体V21、V22相当于本实用新型的“第二层间连接导体”。

本实施方式中，如图4(A)和图4(B)等所示，从Z轴方向观察时，虚拟导体图案41、42配置在沿着高低差部SP并靠近高低差部SP的位置。本实施方式中，从Z轴方向观察时，虚拟导体图案41配置成跨过高低差部SP。如图4(B)所示，从线圈3的卷绕轴AX方向(Z轴方向)观察时，虚拟导体图案41、42与线圈开口OP不重叠。

这里，“虚拟导体图案配置在靠近高低差部的位置”是指虚拟导体图案的至少一部分配置在部分ADP和高低差部SP之间。此外，“虚拟导体图案沿着高低差部配置”是指虚拟导体图案配置成虚拟导体图案的外缘的沿着高低差部SP的部分为高低差部SP的全长的1/2以上。

本实施方式中，从Z轴方向观察时，层间连接导体V21、V22(第二层间连接导体)配置在靠近高低差部SP的位置。

这里，“第二层间导体图案配置在靠近高低差部的位置”是第二层间连接导体配置在部分ADP和高低差部SP之间。

根据本实施方式的多层基板102，能起到除了第1实施方式中所述的效果以外，还起到如下的效果。

(c)本实施方式中，从Z轴方向观察时，虚拟导体图案41、42靠近高低差部SP地配置。在该结构下，利用存在于高低差部SP和线圈3之间的虚拟导体图案41、42，能进一步抑制加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动。因此，根据该结构，能进一步抑制在加热加压时，位于高低差部SP附近的线圈导体图案的位置偏移、变形等，能进一步抑制伴随线圈导体图案位置偏移、变形等产生的线圈的特性变化。

(d)如本实施方式所示的那样，优选为从Z轴方向观察时，虚拟导体图案41、42配置在沿着高低差部SP靠近的位置。利用该结构，能更有效地抑制加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动。

(e)本实施方式中，从Z轴方向观察时，层间连接导体V21、V22(第二层间连接导体)配置在沿着高低差部SP靠近的位置。该结构下，在线圈3和高低差部SP之间配置有与线圈导体图案相比在加热加压时不易产生位置偏移的层间连接导体(第二层间连接导体)。因此，利用层间连接导体V21、V22，能进一步抑制加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动。

另外，第二层间连接导体的数量优选为多个。通过将多个第二层间连接导体配置于沿着高低差部SP靠近的位置，从而能有效地抑制加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动。

(f)此外，本实施方式中，从Z轴方向观察时，虚拟导体图案41配置成跨过高低差部SP。利用该结构，与虚拟导体图案不配置成跨过高低差部SP的情况相比，能进一步抑制加热加压时的高低差部SP附近的绝缘基材层的流动(例如，在加热加压时，从第一区域F1向第二区域F2移动的绝缘基材层的流动)。此外，利用该结构，能提高形成了层叠体10后的高低差部SP附近的机械强度。而且，利用该结构，能实现一种可容易地对高低差部SP附近的第二区域F2进行塑性变形(折弯加工)的多层基板。

另外，如本实施方式所示的那样，优选为从Z轴方向观察时，虚拟导体图案41、42不与线圈3的线圈开口OP重叠。利用该结构，能抑制虚拟导体图案阻碍由线圈3形成磁场的情况。

《其他实施方式》

在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了层叠体为矩形的平板的示例，但并不限于此结构。层叠体的平面形状能在起到本实用新型的作用效果的范围内适当变更，例如也可以是多边形、圆形、椭圆形、曲柄形、T字形、Y字形等。

此外，在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了层叠4个绝缘基材层11、12、13、14来形成的层叠体的示例，但并不限于此结构。形成层叠体的绝缘基材层的层叠数能在起到本实用新型的作用效果的范围内适当变更。形成层叠体的绝缘基材层的层叠数可以是例如2个或3个，也可以是5个以上。而且，第一区域F1的绝缘基材层的层叠数和第二区域的绝缘基材层F2的层叠数能在起到本实用新型的作用效果的范围内适当变更。

在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了通过层叠由热塑性树脂形成的多个绝缘基材层并加压加热来形成层叠体的示例，但并不限于此结构。例如，也可以通过在由热固化性树脂形成的多个绝缘基材层之间，夹入接合层(例如半固化状态的预浸料树脂)进行层叠并进行加热加压，从而形成层叠体。

此外，在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了在Z轴方向构成具有卷绕轴AX呈约3匝的矩形螺旋状的线圈3的示例，但线圈的形状、匝数等并不限于此。线圈的外形、结构以及匝数能在起到本实用新型的作用效果的范围内适当变更。线圈也可以是利用层间连接导体来连接螺旋状的多个线圈导体图案的结构。线圈的外形(从卷绕轴AX方向(Z轴方向)观察到的线圈的外形)并不限于矩形，例如也可以是圆形、椭圆形等。此外，线圈的卷绕轴AX不需要与Z轴方向完全一致。

在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了所有的线圈导体图案31、32、33配置成从Z轴方向观察，彼此大致重叠的示例，但并不限于此结构。多个线圈导体图案也可以是配置成从Z轴方向观察，至少一部分彼此重叠的结构。

而且，在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了线圈是包含在3个绝缘基材层分别形成的3个线圈导体图案来构成的示例，但并不限于此结构。线圈包含在2个以上绝缘基材层分别形成的2个以上线圈导体图案来构成即可。即，构成线圈的线圈导体图案的数量是2个以上即可。

在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了具有1个第一区域F1和1个第二区域的层叠体的示例，但并不限于此结构。第一区域F1和第二区域F2的形状、个数、位置等能在起到本实用新型的作用效果的范围内适当变更。例如，第一区域F1的个数可以是多个，第二区域F2的个数也可以是多个。即，高低差部SP的数量也可以是多个。

此外，在高低差部SP的个数为多个的情况下，优选为：在线圈导体图案中沿着各个高低差部靠近的部分，配置有第一层间连接导体。

在以上所示出的各实施方式中，虽然示出了仅具备线圈的多层基板的示例，但形成在多层基板(层叠体)的电路结构并不限于此结构。形成在层叠体的电路能在起到本实用新型的作用效果的范围内适当变更。例如，由导体图案形成的电容器、各种传输线路(带状线、微带线、弯曲状线路、共面线路等)等也可以形成在层叠体。此外，例如贴片型电感器、贴片型电容器等贴片元器件也可以安装在层叠体。

此外，外部连接电极的个数、配置以及形状等并不限定于第1/第2实施方式所示的结构。外部连接电极的个数和配置能根据形成在层叠体的电路适当变更。此外，外部连接电极的平面形状并不限于矩形，例如也可以是正方形、多边形、圆形、椭圆形、T字形、L字形等。

另外，在第1实施方式中，虽然示出了经由焊料等导电性接合材料，将多层基板的外部连接电极连接至电路基板等的示例，但并不限于该结构。多层基板例如也可以使用连接器来连接至电路基板等。

最后，上述的实施方式的说明的所有内容均为例示，而不是限制性的。本领域的技术人员能进行适当的变形和变更。本实用新型的范围由权利要求的范围来表示，而并非由上述实施方式来表示。而且，本实用新型的范围包括与权利要求的范围等同的范围内对实施方式进行的变更。

标号说明

ANT 线圈天线

C1 电容器

AX 线圈的卷绕轴

F1 第一区域

F2 第二区域

OP 线圈开口

P1、P2 外部连接电极

SP、SP1a、SP2a 高低差部

ADP 线圈导体图案中沿着高低差部靠近的部分

V1、V2 层间连接导体

V11、V12 层间连接导体(第一层间连接导体)

V21、V22 层间连接导体(第二层间连接导体)

VS1 层叠体的第一主面

VS2A、VS2B 层叠体的第二主面

1a、2a 模具

3 线圈

4 IC

10 层叠体

11、11a、11b、12、12a、13、13a、14、14a、15、15a 绝缘基材层

21 导体

31、32、33 线圈导体图案

41、42 虚拟导体图案

101、102 多层基板

201 通信模块。