专利名称：有机电致发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有有机层的有机电致发光装置(有机EL装置)，其包含设置在阳极和阴极之间的发光区。
背景技术：
已经研究和开发了用于计算机和电视的图像显示的轻便并且高效的平板显示器。
目前，阴极射线管(CRT)因其具有高亮度和良好的色彩再现性而最常用于显示器。但是，CRT体积大、重量大且电能消耗量大。
目前在市场上可以买到作为轻便并高效的平板显示器，液晶显示器，即，有源矩阵(active matrix)驱动型液晶显示器。但是，液晶显示器的视角窄、在黑暗环境下背景光的电能消耗量大，这是因为它不是自发发光，对于预期将在近期实际应用的高精度的高速视频信号不具有充分响应特性。特别是大尺寸显示器很难生产，并且其成本高。
作为其替代物，可以使用发光二极管显示器。但是，其生产成本同样很高，并且难以在一种基片上形成发光二极管矩阵结构。因此，如果使用发光二极管作为低成本的替代显示器代替CRT，仍然有许多问题需要解决。
作为可以解决上述问题的平板显示器，带有有机发光材料的有机电致发光装置(有机EL装置)已经引起关注。换句话说，使用有机化合物作为发光材料，预计可以提供能够自发发光、具有高响应速度并且对视角没有依赖的平板显示器。
有机电致发光装置所具有的结构应当是这样的在半透明阳极和金属阴极之间形成含有通过电流注入而发光的发光材料的有机薄膜。如C.W.Tang，S.A.VanSlyke等人在Applied Physics Letters，第51卷，No.12，913-915页(1987)的研究报告中，提出的一种具有有机薄膜的双层结构的装置，该装置包括空穴迁移材料薄膜以及电子迁移材料薄膜，通过将空穴和由相应电极向有机膜注入的电子再结合而发光(具有单异质结构(hetero structure)的有机EL装置)。
在该装置结构中，空穴迁移材料或电子迁移材料也起发光材料的作用。光是以相应于发光材料的基态和激发态之间的能隙(energy gap)的波长发射的。该双层结构明显降低了驱动电压，并改善了发光效率。
在此之后，如C.Adachi，S.Tokita，T.Tsutsui，S.Saito等在Japanese Journalof Applied Physics，第27卷，No.2，L269-L271页(1988)的研究报告中所述，一种具有空穴迁移材料、发光材料和电子迁移材料的三层结构(具有双异质结构的有机EL装置)。此外，如C.W.Tang，S.A.VanSlyke，C.H.Chen等在Journal ofApplied Physics，第65卷，No.9，3610-3616页(1989)的研究报告中所述，一种含发光材料的电子迁移材料的装置。这些研究已经证实了在低电压下发出高亮度的光的可能性。近年来，研究开发的速度大大提高。
从理论上说，用于发光材料的有机化合物具有的优点是通过改变分子结构可以任意地改变发光的颜色。因此，与使用无机物质的薄膜EL装置相比，通过分子设计，可以很容易地得到具有全色显示器(full color display)所需的良好色彩纯度的R(红色)、G(绿色)和B(蓝)三色。
实际上，有机电致发光装置仍然存在需要解决的问题。难以研制出能够以稳定的高亮度发射红光的装置。目前可获得的电子迁移材料的一个例子是通过将DCM[4-二氰基亚甲基-6-(对-二甲基氨基苯乙烯基)-2-甲基-4H-吡喃]掺杂到三(8-羟基喹啉)铝(以下称为Alq3)中而得到的(Chem.Funct.Dyes，Proc.Int.Symp.，2nd，P536(1993))。作为显示器材料，所述材料不能提供令人满意的最大亮度和可靠性。
T.Tsutsui和D.U.Kim在无机和有机电致发光会议(1996年在柏林举行)上提出的BSB-BCN能够提供高至1000cd/m2的亮度，但不能向全色显示器提供完全的红色。
因此，仍然需要一种能够发出高亮度、稳定和高色纯度的红光的装置。
日本未审查专利申请公报No.7-188649(日本专利申请号No.6-148798)提出了将特定的二苯乙烯基化合物用作有机电致发光材料。但其发射的光是蓝色的而并非红色。另一方面，已经有这样的报道，通过在有机电致发光装置的层状结构中制造空穴和电子的能量抑制(energy containment)结构，将空穴和电子在发光层中高效结合，以提供从发光材料中自发发出的高亮度的纯色光(日本专利申请No.10-79297、11-204258，11-204264、11-204259等)。但其发出的光也是蓝色而并非红色的。
本发明的目的是提供一种能够以高亮度发射稳定的红光或类红光的有机电致发光装置。
本发明的另一目的是提供一种有机电致发光装置，该装置含有本发明化合物的混合物，该混合物本质上具有高荧光产率和优异的热稳定性，其促进了空穴和电子在光发射层中的再结合，并以高亮度和高效率发光。
发明内容
为了解决上述问题而进行深入研究的结果发现，使用特定的苯乙烯基化合物作为发光材料和一种能够有效迁移能量的材料的混合物，能够提供一种非常可靠的发射红光的装置，该装置非常适用于实现稳定和高亮度的全色显示。本发明由此得以实现。
即，本发明涉及一种有机电致发光装置，该装置包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中，至少部分有机层由至少一种以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物组成，通式[I]Y1-CH＝CH-X1-CH＝CH-Y2通式[II]Y3-CH＝CH-X2[其中，在通式[I]中，X1是以下列通式(1)-(4)中任一式所示的基团， (其中，通式(1)-(4)中的各个R1-R9、R9-R16、R17-R24以及R25-R32中至少一个是卤素原子(例如氟、氯等；以下含义相同)、硝基、氰基、三氟甲基，而其它是选自氢原子、烷基、芳基、烷氧基、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基团，它们可以相同或不同)，其中，在通式[II]中，X2是以下列通式(5)-(17)中任一式所示的基团，
(其中，在通式(5)-(17)中，R33-R141是选自氢原子、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基团，它们可以相同或不同)，其中，在通式[I]和[II]中，Y1、Y2和Y3选自氢原子、可带有取代基的烷基或可带有取代基的芳基，它们可以相同或不同， (其中，在通式(18)中，Z1和Z2选自氢原子、可带有取代基的烷基或可带有取代基的芳基，所述取代基由下列通式(18)-(20)的任一式所示，其可以相同或不同，并且在通式(19)和(20)中，R142-R158是选自氢原子、可带有取代基的烷基、可带有取代基的芳基、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基，其可以相同或不同)]。
上述的“混合物”在这里是指至少一种由上述通式[I]所示的氨基苯乙烯基化合物和具有能够实现本发明目的的有利特性的其它化合物的混合物；至少一种以上述通式[III]所示的氨基苯乙烯基化合物和具有能够达到本发明目的的有利特性的其它化合物的混合物；至少一种以上述通式[I]所示的氨基苯乙烯基化合物和至少一种以上述通式[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物；或者至少一种以通式[I]所示的氨基苯乙烯基化合物、至少一种以上述通式[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和具有能够达到本发明目的的有利特性的其它化合物的混合物。
本发明使用含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物作为发光材料，由此可以提供一种发射稳定红光的具有高亮度并具有优异的电、热或化学稳定性的装置。
对用于形成含有本发明的以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物的材料未作特别限制。本发明的上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物之外的例子包括空穴迁移材料(例如芳胺等)、电子迁移材料(例如Alq3、吡唑啉等)，或者通常用于发射红光的掺杂物的一系列化合物(DCM及其类似物、卟啉、酞菁染料、苝类化合物、尼罗红、角鲨鎓(squalylium)化合物)等。
上述例举性的化合物被用于形成含本发明的以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物的材料，从而使得空穴迁移特性、电荷迁移特性或发光特性得以改善，由此可以提供一种以高亮度发射稳定红光并具有优异的电、热或化学稳定性的装置。
在本发明中使用的以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物中，X1(在上述通式(1)-(4)中)和X2(在上述通式(5)-(17)中)对于本发明中使用的发红光的发光材料而言是重要的。例如，苯环的数量增加得越多，有机发光材料的光发射波长向更长的波长一侧移动的倾向越大。
在有机电致发光装置中，作为发光材料的上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物中的至少一个分子结构，例如以下列结构式(21)-1至(21)-20表示
本发明人为了解决上述问题而进行深入研究的结果是，应当这样制备有机电致发光装置至少一部分带有发光区的有机层由含有特定的氨基苯乙烯基化合物和特定的发射红光染料的混合物组成。因此，本发明达到了提供更高的亮度和可靠性的目的。
换句话说，本发明涉及一种有机电致发光装置，其在阳极和阴极之间存在带有发光区的有机层，其中至少部分有机层由以下混合物组成，所述混合物含有至少一种以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物和在600nm-700nm范围内具有最大光发射的发射红光染料。
可以使用任何在600nm-700nm范围内具有最大光发射的发射红光染料，并且对其没有任何限制。如上所述，其例子包括通常用作发射红光的掺杂物的一系列化合物(DCM及其类似物、卟啉、酞菁染料、苝类化合物、尼罗红、角鲨鎓化合物)等。
使用上述发射红光的染料可以增强光发射特性，并能够以更高的亮度发射稳定的红色光。
在本发明中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，其中，有机层的电子迁移层至少可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，其中，有机层的空穴迁移层至少可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，其中，有机层的空穴迁移层至少可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，而有机层的电子迁移层至少可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
有机层具有带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，其中，有机层的发光层至少可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物和以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
在本发明中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比优选为10-100重量％。
根据本发明，空穴(正空穴)阻断层配置在有机电致发光装置中发光层的阴极侧上，所述发光层含有具有相当高荧光产率和优异的热稳定性的本发明混合物。因此，空穴和电子在发光层中高效再结合，从而提供了有机电致发光装置，其中发光材料以高亮度和高效率自发地发出纯光。
换句话说，本发明提供了一种含有有机层的有机电致发光装置，所述有机层含有分布在阳极和阴极之间的发光区，其中，至少部分有机层由含至少一种以通式[I]或[II](下文中含义相同)，或者以上述结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物构成(混合物可含有在600nm-700nm的范围内具有最大光发射的上述发红光的染料)，并且，其中空穴阻断层(hole blocking layer)配置在含混合物的层的阴极侧上。
例如，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，其中有机层的电子迁移层可以至少是含至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且空穴阻断层可以配置在含混合物的层的阴极侧上。
有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，其中有机层的空穴迁移层可以是含至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一种混合物层，并且空穴阻断层配置在含混合物的层的阴极侧上。
有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，其中有机层的空穴迁移层可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一种混合物层，有机层的电子迁移层可以是含至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一种混合物层，并且空穴阻断层可以配置在含混合物的层的阴极侧上。
有机层具有带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，其中有机层的发光层可以是含有至少一种以上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的至少一种混合物层，并且空穴阻断层配置在含混合物的层的阴极侧上。
在本发明中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比优选是10-100重量％。
适用于空穴阻断层的材料具有以下能态与用于形成空穴阻断层阳极侧上的层的材料的最高占据分子轨道所具有的能级相比，用于形成空穴阻断层的材料的最高占据分子轨道所具有的能级较低，和/或与用于形成空穴阻断层阳极侧上的层的材料的最低未占据分子轨道所具有的能级相比，用于形成空穴阻断层的材料的最低未占据分子轨道所具有的能级较高，并且与用于形成空穴阻断层阴极侧上的层的材料的最低未占据分子轨道所具有的能级相比，所具有的能级较低。
所述材料包括如日本未审查专利申请No.10-79297、11-204258，11-204264、11-204259等所述的菲咯啉衍生物。但并不限于此，只要能够满足上述条件即可。
图1是本发明有机电致发光装置的一个实施例的主要剖面简图。
图2是本发明有机电致发光装置的另一实施例的主要剖面简图。
图3是本发明有机电致发光装置的另一实施例的主要剖面简图。
图4是本发明有机电致发光装置的另一实施例的主要剖面简图。
图5是本发明有机电致发光装置的另一实施例的主要剖面简图。
图6是本发明有机电致发光装置的另一实施例的主要剖面简图。
图7是本发明有机电致发光装置的再一实施例的主要剖面简图。
图8是本发明有机电致发光装置的又一实施例的主要剖面简图。
图9是使用本发明有机电致发光装置的全色平板显示器的示意图。
具体实施例方式
图1-4和5-8分别给出了本发明有机电致发光装置的实施例。
图1显示了透射型有机电致发光装置A，其中发射光20穿过阴极3。在保护层4的一侧可观察到发射光20。图2显示了反射型有机电致发光装置B，其中阴极3处反射的光作为发射光20得到。
在该图中，标号1是用于形成有机电致发光装置的基片。可以使用玻璃、塑料或其它适合的材料。如果将有机电致发光装置与其它显示装置结合使用，那么该基片可共用。标号2是透明电极(阳极)，可使用ITO(氧化铟锡)、SnO2等。
标号5是有机发光层，其中含有包括作为发光材料的上述氨基苯乙烯基化合物的混合物。发光层可具有常规已知的用于提供有机电致光20的各种结构。正如下文所述，如果构成空穴迁移层或电子迁移层的材料具有例如发光特性，这些薄膜可以是层状的。为了实现本发明的目的范围内的增强电荷迁移特性，空穴迁移层或电子迁移层或二者均可具有层压多种材料薄膜的结构，或者可以使用由多种材料的混合组合物组成的薄膜。为了增强发光特性，可以使用至少一种或多种荧光材料，使薄膜夹在空穴迁移层和电子迁移层之间，或者使至少一种或多种荧光材料含在空穴迁移层或电子迁移层或二者之中。在这些情况下，为了提高发光效率，可以引入薄膜，用于控制空穴或电子的迁移。
例如，以上述结构式(21)所示的氨基苯乙烯基化合物具有电子迁移特性和空穴迁移特性。因此，在装置中，由含上述氨基苯乙烯基化合物的混合物组成的发光层也可以用作电子迁移层或空穴迁移层。也可以将含上述氨基苯乙烯基化合物的混合物夹在作为发光层的电子迁移层和空穴迁移层之间。在图5和6中，除上述结构外，由菲咯啉衍生物组成的空穴阻断层21配置在发光层5的阴极侧上。
在图1、2、5和6中，3是阴极。作为用于电极的材料，可以使用例如Li、Mg、Ca等的活性金属；例如Ag、Al、In等金属的合金；或其层状结构。在透射型有机电致发光装置中，适于本申请的透光率可以通过控制阴极的厚度而得到。在这些图中，保护膜4是用于密封和保护的层。当保护膜4覆盖整个有机电致发光装置时，效果得以增强。只要保持气密性，就可以使用任何适合的原料。8是用于供给电流的驱动电源。
在本发明的有机电致发光装置中，有机层具有有机层状结构(单异质结构)，其中层压空穴迁移层和电子迁移层，并且含有氨基苯乙烯基化合物的混合物可以用作形成空穴迁移层或电子迁移层的材料。或者，有机层具有有机层状结构(双异质结构)，其中空穴迁移层、发光层和电子迁移层依次层叠，并且含有氨基苯乙烯基化合物的混合物可以用作形成发光层的材料。
下面阐述具有所述结构的有机电致发光装置的例子。图3是具有单异质结构的有机电致发光装置C，包括层状结构，其中半透明阳极2、由空穴迁移层6和电子迁移层7组成的有机层5a、以及阴极3依次层叠在半透明基片1上，并且层状结构被保护膜4密封。在图7中，空穴阻断层21配置在电子迁移层7和/或空穴迁移层6的阴极侧上。
在图3和7所示的省略发光层的情况下，具有预定波长的发射光20从空穴迁移层6和电子迁移层7之间的界面产生。在基片1可观察到发射光。
图4是具有双异质结构D的有机电致发光装置，包括层状结构，其中半透明阳极2、由空穴迁移层10、发光层11和电子迁移层12组成的有机层5a、以及阴极3依次层叠在半透明基片1上，并且层状结构用保护膜4密封。在图8中，空穴阻断层21配置在发光层11的阴极侧上。
在图4所示的有机电致发光装置中，在阳极2和阴极3之间施加直流电压，那么由阳极2注入的空穴以及由阴极3注入的电子分别通过空穴迁移层10和电子迁移层12，达到发光层11。结果是，在发光层11中，电子/空穴再结合，产生单线态激子(singlet excitons)，由此发出具有给定波长的光。
在上述有机电致发光装置C和D中，基片1可以根据需要，由诸如玻璃、塑料等透光材料制造。如果其它显示装置与其结合使用，或者如果将图3、4、7和8所示的层状结构以矩阵形式配置，那么该基片可以共用。装置C或D可以是透射型或反射型。
阳极2是透明电极(阳极)。可以使用ITO(氧化铟锡)、SnO2等。为了提高电荷注入效率，可以在阳极2和空穴迁移层6(或空穴迁移层10)之间形成由有机材料或有机金属化合物构成的薄膜。当用诸如金属的导电材料形成保护膜4时，绝缘膜可以配置在阳极2侧上。
有机电致发光装置C中的有机层5a是空穴迁移层6和电子迁移层7层叠的有机层。其二者之一或二者含有包括上述氨基苯乙烯基化合物的混合物，由此提供了发光空穴迁移层6或电子迁移层7。有机电致发光装置D中的有机层5b是其中空穴迁移层10、含有包括上述氨基苯乙烯基化合物11的混合物的发光层11和电子迁移层12进行层叠的有机层。可以使用任何其它的各种层状结构。例如，空穴迁移层和电子迁移层之一或二者可具有发光特性。
在正性空穴迁移层中，为了增强空穴迁移特性，在空穴迁移层上可以层叠多种空穴迁移材料。
在有机电致发光装置C中，发光层可以是电子迁移层7。但是，根据电源8提供的电压，光可以由空穴迁移层6或其界面处发出。同样地，在有机电致发光装置D中，发光层可以是电子迁移层12，或者空穴迁移层10而不是发光层11。为了增强发光特性，由至少一种荧光材料制造的发光层11可以夹在空穴迁移层和电子迁移层之间。或者，荧光材料也可以包含在空穴迁移层或电子迁移层之一或者二者之中。此时，为了提高发光效率，可以在该层中包含薄膜(空穴阻断层或激子生成层)，以控制空穴和电子的迁移。
用于阴极3的材料可以是诸如Li、Mg、Ca等活性金属；与金属例如Ag、Al、In等形成的合金或其层状结构。根据需要通过选择阴极的厚度或材料，可以制造出适合特定用途的有机电致发光装置。
保护膜4用作密封膜。保护膜4覆盖了整个有机电致发光装置，使得电荷注入效率和发光效率得以提高。只要保持气密性，可以使用任何适合的材料，诸如包括铝、金、铬等的单一金属或合金。
施加于上述各有机电致发光装置的电流通常是直流电，但也可以是脉冲电流或交流电。对电流值和电压值未作特殊的限制，只要不损坏该装置即可。但考虑到功率消耗和有机电致发光装置的寿命，使用尽可能低的电能有效发光是理想的。
图9示出使用本发明有机电致发光装置的平板显示器。如该图所示，在全色平板显示器的情况下，能够发射三原色，即红(R)、绿(G)和蓝(B)的发光层5(有机层5a、有机层5b)配置在阴极3和阳极2之间。阴极3和阳极2可以是条状的，这样它们可彼此交叉排列。通过发光信号电路14和含有移位寄存器的控制电路15，选择各阴极3和阳极2并施加信号电压，从而使得有机层在所选的阴极3和阳极2的交叉点(象素)处发光。
也就是说，图9示出一种8×3RGB的单一矩阵的例子，其中，分别由空穴迁移层与发光层和电子迁移层的任一个或至少一层组成的发光层5配置在阴极3和阳极2之间(参照图3和7，或4和8)。阴极和阳极被制成条形，在矩阵中相互交叉。通过带有移位寄存器(shift resistor)的控制电路15和发光信号电路14，按照时间序列在其上施加信号电压，在交叉点上发光。具有这种结构的EL装置不仅可用作字符、符号等的显示器，而且，也可用作图象再现装置。或者，阴极3和阳极2的条形图案可分别根据各个颜色，即红(R)、绿(G)和蓝(B)形成。由此，可以制得多色或全色型全固态平板显示器。
接下来，参照实施例对本发明进行详细说明，但本发明又不受以下实施例的局限。
实施例1在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和α-NPD(α-萘基苯基二胺)的混合物作为空穴迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。
结构式(21)-1
将一个表面上含有厚度为100nm的ITO组成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置作为蒸汽淀积掩膜。使用蒸汽淀积法，在10-4Pa或更低的真空下，以1∶1的重量比使用上述结构式(21)-1和用于空穴迁移层的材料的α-NPD，形成厚度为例如50nm的空穴迁移层(也作为发光层)。各自的蒸汽淀积速率是0.1nm/秒。
此外，将具有以下结构式的Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)蒸汽淀积在空穴迁移层上作为电子迁移层材料。Alq3构成的电子迁移层具有例如50nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例1，制出如图3所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例1的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在约650nm处具有发光峰的光谱。在光谱中，使用由Otsuka Denshi KK制造的光电二极管阵列作为检测器的分光计。进行电压-亮度测定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是250小时。
实施例2在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。
将一个表面上含有厚度为100nm的ITO构成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将作为蒸汽淀积掩膜的具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置。使用蒸汽淀积法，在10-4Pa或更低的真空下，使用上述结构式的α-NPD，形成厚度为例如50nm的空穴迁移层。蒸汽淀积速率是0.1nm/秒。
此外，将上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和作为电子迁移物质的Alq3以1∶1的重量比蒸汽淀积在空穴迁移层上。由上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物组成的电子迁移层(也作为发光层)具有例如50nm的厚度，且各自的蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例2，制出如图3所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例2的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约690nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下600cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是200小时。
实施例3在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中由上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。
将一个表面上含有厚度为100nm的ITO组成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将作为蒸汽淀积掩膜的具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置。使用蒸汽淀积法，在10-4Pa或更低的真空下，使用上述结构式的α-NPD，形成厚度为例如30nm的空穴迁移层。蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
将具有上述结构式的Alq3蒸汽淀积在发光层上，作为电子迁移物质。Alq3具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例3，制出如图4所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例3的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在约690nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下800cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是500小时。
实施例4在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。结构式(21)-8
将一个表面上含有厚度为100nm的ITO组成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置，作为蒸汽淀积掩膜。使用蒸汽淀积法，在10-4Pa或更低的真空下，使用上述结构式的α-NPD，形成厚度为例如30nm的空穴迁移层。蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
此外，将作为发光材料的上述结构式(21)-8和上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物以1∶3的重量比蒸汽淀积在空穴迁移层上。由上述结构式(21)-8和上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物组成的发光层具有例如30nm的厚度。上述结构式(21)-8所示化合物的蒸汽淀积速率是0.1nm/秒，且上述结构式(21)-1所示化合物的蒸汽淀积速率是0.3nm/秒。
将具有上述结构式的Alq3蒸汽淀积在发光层上作为电子迁移物质。Alq3具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例4，制出如图4所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例4的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在约710nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下300cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是200小时。
实施例5在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-9所示的氨基苯乙烯基化合物和以下结构式(21)-2所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-2
结构式(21)-9 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例5的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在750nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下20cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在20cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是100小时。
实施例6在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-10所示的氨基苯乙烯基化合物和以下结构式(21)-3所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-3
结构式(21)-10 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例6的有机电致发光装置的发光特性。发出的光是桔红色的。光谱测定的结果是，得到在约620nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是250小时。
实施例7在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-11所示的氨基苯乙烯基化合物和以下结构式(21)-4所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-4 结构式(21)-11
通过在真空下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例7的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在660nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是100小时。
实施例8在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-13所示的氨基苯乙烯基化合物和以下结构式(21)-5所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-5 结构式(21)-13 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例8的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在615nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下320cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是150小时。
实施例9在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下结构式(21)-14所示的氨基苯乙烯基化合物和以下结构式(21)-6所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-6 结构式(21)-14 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例9的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在670nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下230cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是170小时。
实施例10在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-15所示的氨基苯乙烯基化合物和以下列结构式(21)-7所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-7 结构式(21)-15 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例10的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在630nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下700cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是300小时。
实施例11在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-18所示的氨基苯乙烯基化合物和以下结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为发光层，制备具有双异质结构的有机电致发光装置。根据实施例4的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-18 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例11的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在640nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下450cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是170小时。
实施例12在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-2所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-2 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例12的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约720nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下300cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是220小时。
实施例13在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-3所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-3 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例13的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约660nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是300小时。
实施例14在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-4所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-4
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例14的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约650nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下850cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是200小时。
实施例15在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-5所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-5 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例15的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约630nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下750cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是300小时。
实施例16在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-6所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-6 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例16的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约700nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是200小时。
实施例17在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-7所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-7
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例17的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约665nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下800cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是450小时。
实施例18在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-8 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例18的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约690nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下700cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是500小时。
实施例19在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-9所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-9 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例19的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约660nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下500cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是450小时。
实施例20在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-10所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-10 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例20的有机电致发光装置的发光特性。发出的光是橙色的。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约610nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下750cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是500小时。
实施例21在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-11所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-11 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例21的有机电致发光装置的发光特性。发出的光是橙色的。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约620nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下1200cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是660小时。
实施例22在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-13所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-13 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例22的有机电致发光装置的发光特性。发出的光是橙色的。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约590nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下1500cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是500小时。
实施例23在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-14所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-14 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例23的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约630nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下1100cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是500小时。
实施例24在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-15所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-15 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例24的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约630nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下700cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是600小时。
实施例25在本实施例中，使用通式[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以下列结构式(21)-18所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3的混合物作为电子迁移发光层，制备具有单异质结构的有机电致发光装置。根据实施例2的层结构和膜形成方法，制备有机电致发光装置。
结构式(21)-18 通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例25的有机电致发光装置的发光特性。发出的光是橙色的。与实施例1相同的光谱测定的结果是，得到在约580nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下900cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是450小时。
实施例26在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式所示的α-NPD(α-萘基苯二胺)的混合物作为空穴迁移发光层，制备图7所示的有机电致发光装置。
将一个表面上含有厚度100nm的ITO组成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置，作为蒸汽淀积掩膜。使用蒸汽淀积法，在10-4Pa或更低的真空下，以1∶1的重量比使用上述结构式(21)-1和作为空穴迁移层材料的α-NPD，形成厚度为例如50nm的空穴迁移层(也作为发光层)。各自的蒸汽淀积速率是0.1nm/秒。
将具有以下结构式的浴铜灵作为空穴阻断层材料蒸汽淀积在空穴迁移层上。由浴铜灵组成的空穴阻断层具有，例如15nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.1nm/秒。
此外，将具有上述结构式的Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)作为电子迁移层材料蒸汽淀积在空穴迁移层上。由Alq3组成的电子迁移层具有例如50nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
浴铜灵 使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例26，制出如图7所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例26的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。光谱测定的结果是，得到在约720nm处具有发光峰的光谱。在光谱中，使用由Otsuka Denshi KK制造的光电二极管阵列作为检测器的分光计。进行电压-亮度测定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是200小时。
实施例27在本实施例中，使用通式[I]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式的α-NPD(α-萘基苯二胺)的混合物作为电子迁移发光层，制出图8所示的有机电致发光装置。
将一个表面上含有厚度100nm的ITO组成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将作为蒸汽淀积掩膜的具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置。使用蒸汽淀积法，在10-4Pa或更低的真空下，使用α-NPD形成厚度为30nm的空穴迁移层。蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
将具有上述结构式(21)-1的氨基苯乙烯基化合物与作为电子迁移材料的Alq3以1∶1的重量比，作为发光材料蒸汽淀积在空穴迁移层上。由上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物和Alq3组成的发光层具有，例如30nm的厚度，且各自的蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
将具有上述结构式的浴铜灵作为空穴阻断层材料蒸汽淀积在空穴迁移层上。由浴铜灵组成的空穴阻断层具有例如15nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.1nm/秒。
此外，将具有上述结构式的Alq3作为电子迁移层材料，蒸汽淀积在空穴迁移层上。由Alq3组成的电子迁移层具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例27，制出如图8所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例27的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约720nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下220cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是350小时。
实施例28在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物作为发光层，制成图8所示的有机电致发光装置。
将一个表面上含厚度100nm的ITO组成的阳极的尺寸为30mm×30mm的玻璃基片放置在真空淀积装置中。将作为蒸汽淀积掩膜的具有多个尺寸为2.0mm×2.0mm的单元开口的金属掩膜邻近基片放置。使用蒸汽淀积法，在10-4pa或更低的真空下，使用α-NPD形成厚度为例如30nm的空穴迁移层。蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
将上述结构式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物以1∶3的重量比，作为发光材料蒸汽淀积在空穴迁移层上。由上述结构式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物组成的发光层具有例如30nm的厚度。上述结构式(21)-8所示的氨基苯乙烯基化合物的蒸汽淀积速率是0.1nm/秒，上述结构式(21)-1所示的氨基苯乙烯基化合物的蒸汽淀积速率是0.3nm/秒。
将具有上述结构式的浴铜灵作为空穴阻断层，蒸汽淀积在空穴迁移层上。由浴铜灵组成的空穴阻断层具有例如15nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.1nm/秒。
此外，将具有上述结构式的Alq3作为电子迁移层材料，蒸汽淀积在空穴迁移层上。由Alq3组成的电子迁移层具有例如30nm的厚度，且蒸汽淀积速率是0.2nm/秒。
使用Mg和Ag的层状薄膜作为阳极材料。以1nm/秒的蒸汽淀积速率，通过蒸汽淀积形成厚度为例如50nm(Mg膜)和150nm(Ag膜)的层状膜。根据实施例28，制出如图8所示的有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例28的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约710nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下250cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在50cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是330小时。
实施例29在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-9所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-2所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为电子迁移发光层，制备有机电致发光装置。按照实施例28的层结构和膜形成法，制成有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例29的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约750nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下15cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在20cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是1 50小时。
实施例30在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中上述结构式(21)-10所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-3所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为电子迁移发光层，制备有机电致发光装置。按照实施例28的层结构和膜形成法，制备有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例30的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为橙色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约620nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下450cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是350小时。
实施例31在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-11所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-4所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为电子迁移发光层，制备有机电致发光装置。按照实施例28的层结构和膜形成法，制成有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例3 1的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约660nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下200cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是150小时。
实施例32在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-13所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-5所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为电子迁移发光层，制成有机电致发光装置。按照实施例28的层结构和膜形成法，制成有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例32的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约615nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下280cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是250小时。
实施例33在本实施例中，使用通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物中以上述结构式(21)-14所示的氨基苯乙烯基化合物和上述结构式(21)-6所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物(重量比1∶3)作为电子迁移发光层，制成有机电致发光装置。按照实施例28的层结构和膜形成法，制成有机电致发光装置。
通过在真空气氛下施加正向偏置电压直流电，评价由此制备的实施例33的有机电致发光装置的发光特性。发出的光为红色。与实施例26相同的光谱测定的结果是，得到在约670nm处具有发光峰的光谱。进行电压-亮度测定，得到在8V下210cd/m2的亮度。
在制造有机电致发光装置后，在氮气氛下将其静置1个月。未观察到装置老化。在100cd/m2的起始亮度下用均匀的电流值给有机电致发光装置通电，使其连续发光，强制老化。亮度减半的时间是220小时。
根据本发明的有机电致发光装置，含有设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层的有机电致发光装置中，至少部分有机层由含至少一种上述通式[I]或[II]所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物组成，由此可以提供以高亮度发出稳定的红光或类红光的有机电致发光装置。
权利要求
1.一种有机电致发光装置，包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中至少部分有机层由至少一种以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物组成，通式[I]Y1-CH＝CH-X1-CH＝CH-Y2通式[II]Y3-CH＝CH-X2[其中，在通式[I]中，X1是以下通式(1)-(4)中任一式表示的基团， (其中，通式(1)-(4)中各个R1-R8、R9-R16、R17-R24以及R25-R32中至少一个是选自卤素原子、硝基、氰基、三氟甲基的基团，而其它是选自氢原子、烷基、芳基、烷氧基、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基团，它们可以相同或不同)，其中，在通式[II]中，X2是以下列通式(5)-(17)中任一式表示的基团， (其中，在通式(5)-(17)中，R33-R141是选自氢原子、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基团，其可以相同或不同)，其中，在通式[I]和[II]中，Y1、Y2和Y3是选自氢原子、可带有取代基的烷基或可带有以下列通式(18)-(20)任一式表示的取代基的芳基的基团，其可以相同或不同， (其中，在通式(18)中，Z1和Z2是选自氢原子、可带有取代基的烷基或可带有取代基的芳基的基团，其可以相同或不同，并且在通式(19)和(20)中，R142-R158是选自氢原子、可带有取代基的烷基、可带有取代基的芳基、可带有取代基的烷氧基、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基，其可以相同或不同)]。
2.按照权利要求1的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的电子迁移层是含有至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
3.按照权利要求1的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的空穴迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
4.按照权利要求1的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，空穴迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，以及电子迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
5.按照权利要求1的有机电致发光装置，其中，有机层是带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的发光层是含至少一种以通式[I]或[II]所示氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
6.按照权利要求1的有机电致发光装置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
7.一种有机电致发光装置，其中包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中，至少部分有机层由含有至少一种以下列结构式(21)-1至(21)-20所示的氨基苯乙烯基化合物的混合物组成
8.按照权利要求7的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
9.按照权利要求7的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
10.按照权利要求7的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，以及其中电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
11.按照权利要求7的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的发光层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
12.按照权利要求7的有机电致发光装置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
13.一种有机电致发光装置，包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中至少部分有机层由含有至少一种以下列结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物和在600nm-700nm范围内具有最大光发射的发红光的染料的混合物组成
14.按照权利要求13的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
15.按照权利要求13的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
16.按照权利要求13的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，以及其中电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
17.按照权利要求13的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的发光层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层。
18.按照权利要求13的有机电致发光装置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
19.一种有机电致发光装置，包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中，至少部分有机层由至少一种以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物组成，且其中空穴阻断层设置在含混合物的层的阴极侧上，通式[I]Y1-CH＝CH-X1-CH＝CH-Y2通式[II]Y3-CH＝CH-X2[其中，在通式[I]中，X1是以下列通式(1)-(4)中任一式表示的基团， (其中，通式(1)-(4)中各个R1-R8、R9-R16、R17-R24以及R25-R32中至少一个是选自卤素原子、硝基、氰基、三氟甲基的基团，而其它是选自氢原子、烷基、芳基、烷氧基、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基团，它们可以相同或不同)，其中，在通式[II]中，X2是以下列通式(5)-(17)中任一式表示的基团， (其中，在通式(5)-(17)中，R33-R141是选自氢原子、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基的基团，其可以相同或不同)，其中，在通式[I]和[II]中，Y1、Y2和Y3是选自氢原子、可带有取代基的烷基或可带有以下列通式(18)-(20)的任一式表示的取代基的芳基的基团，其可以相同或不同， (其中，在通式(18)中，Z1和Z2是选自氢原子、可带有取代基的烷基或可带有取代基的芳基的基团，其可以相同或不同，并且在通式(19)和(20)中，R142-R158选自氢原子、可带有取代基的烷基、可带有取代基的芳基、可带有取代基的烷氧基、卤素原子、硝基、氰基和三氟甲基，其可以相同或不同)]。
20.按照权利要求19的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的电子迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，且其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
21.按照权利要求19的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的空穴迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，且其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
22.按照权利要求19的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，空穴迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，以及电子迁移层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，且其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
23.按照权利要求19的有机电致发光装置，其中，有机层是带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的发光层是含至少一种以通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，且其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
24.按照权利要求19的有机电致发光装置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
25.一种有机电致发光装置，包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中，至少部分有机层由含有至少一种以下述结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物组成，并且，其中空穴阻断层设置在含混合物的层的阴极侧上
26.按照权利要求25的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且，其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
27.按照权利要求25的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且，其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
28.按照权利要求25的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，其中电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且其中空穴阻断层设置在迁移发光层的阴极侧上。
29.按照权利要求25的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的发光层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且，其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
30.按照权利要求25的有机电致发光装置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
31.一种有机电致发光装置，包括设在阳极和阴极之间的具有发光区的有机层，其中，至少部分有机层由含有至少一种以下列结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物和最大光发射在600nm-700nm范围内的发红光的染料的混合物组成，并且，其中空穴阻断层设置在含混合物的层的阴极侧上
32.按照权利要求31的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且，其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
33.按照权利要求31的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且，其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
34.按照权利要求31的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，空穴迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，其中电子迁移层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，且其中空穴阻断层设置在含电子迁移发光层的阴极侧上。
35.按照权利要求31的有机电致发光装置，其中，有机层具有带空穴迁移层、发光层和电子迁移层的有机层状结构，且其中，至少有机层的发光层是含至少一种以结构式(21)-1至(21)-20表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物层，并且，其中空穴阻断层设置在混合物层的阴极侧上。
36.按照权利要求31的有机电致发光装置，其中，混合物中氨基苯乙烯基化合物的百分比是10-100重量％。
全文摘要
一种以高亮度发射稳定红光的有机电致发光装置。在有机电致发光装置中，具有发光区的至少部分有机层(5)、(5a)或(5b)包括含至少一种以下列通式[I]或[II]表示的氨基苯乙烯基化合物的混合物，通式[I]Y
文档编号H05B33/12GK1505448SQ0216113
公开日2004年6月16日 申请日期2002年11月30日 优先权日2002年11月30日
发明者石桥义, 市村真理, 田村真一郎, 植田尚之, 一郎, 之, 理 申请人:索尼公司