专利名称：有机电致发光显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种平板显示器，尤其涉及一种有机电致发光显示器，其具有选择形成在每个红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素的像素电极下的绝缘层。
背景技术：
有机电致发光显示器包括多个以矩阵或阵列形式设置在基板上的像素，其中每个像素包括R、G和B子像素。每个R、G和B子像素包括电致发光(EL)单元，每个电致发光(EL)单元包含阳极、阴极、设置在阳极和阴极之间的发光层以及驱动EL单元的薄膜晶体管(TFT)。当对阳极电极和阴极电极施加电压时，从发射层向基板或远离基板发光，由此显示图象。
在从有机发光层朝基板发光的常规后发射型有机EL显示器，从有机发光层发出的光经由绝缘层通过基板，所述绝缘层诸如位于有机发光层下方的保护层、层间绝缘层、栅极电介质层以及缓冲层。因此，从有机发光层发出通过基板的不同彩色的光束具有不一致的色度坐标。
在将TFT用作开关装置的有源矩阵的有机EL显示器中，多个像素以矩阵形式设置在基板上，其中每个像素包括R、G和B子像素。每个R、G和B子像素包括一个电容器、EL单元以及至少两个TFT，如开关TFT和驱动TFT。
附图1为包含薄膜晶体管的常规有机EL显示器的截面图。在附图1中，为方便起见，仅示出了包含有机EL显示器的每个像素的R、G和B子像素中的有机EL单元和驱动TFT。
参照附图1，基板100包括R像素区域100R、G像素区域100G和B像素区域100B。R子像素10R形成在基板100的R像素区域100R内，G子像素10G形成在基板100的G像素区域100G内，以及B子像素10B形成在基板100的B像素区域100B内。
R子像素10R包括R EL单元以及驱动R EL单元的TFT。TFT包括形成在缓冲层105上并具有源极/漏极区域112和113的半导体层111，形成在栅极电介质层120上的栅极121，以及形成在层间绝缘层130上并通过接触孔132和133分别与源极/漏极区域112和113相连的源极/漏极142和143。
R EL单元包括作为形成在保护层150上的像素电极并通过孔151与漏极143相连的阳极161，在通过像素隔离层170中形成的开口171所暴露的阳极161上形成的有机层181，以及形成在基板顶表面上的阴极190。
类似地，G子像素10G包括G EL单元以及驱动G EL单元的TFT。TFT包括形成在缓冲层105上并具有源极/漏极区域115和116的半导体层114，形成在栅极电介质层120上的栅极124，以及形成在层间绝缘层130上并通过接触孔135和136分别与源极/漏极区域115和116相连的源极/漏极145和146。
G EL单元包括作为形成在保护层150上的像素电极并通过通孔154与漏极146相连的阳极164，在通过像素隔离层170中形成的开口174所暴露的阳极164上形成的有机层184，以及形成在基板顶表面上的阴极190。
类似地，B子像素10B包括B EL单元以及驱动B EL单元的TFT。TFT包括形成在缓冲层105上并具有源极/漏极区域118和119的半导体层117，形成在栅极电介质层120上的栅极127，以及形成在层间绝缘层130上并通过接触孔138和139分别与源极/漏极区域118和119相连的源极/漏极148和149。
B EL单元包括作为形成在保护层150上的像素电极并通过通孔157与漏极149相连的阳极167，在通过像素隔离层170中形成的开口177所暴露的阳极167上形成的有机层187，以及形成在基板顶表面之上的阴极190。
在具有上述结构或类似结构的常规有机EL显示器中，在基板上具有均匀厚度的保护层150，位于R、G和B子像素10R、10G和10B的各自像素电极161、164和167下方，例如置于其下面。
可是，在上述有机EL显示器中，当具有均匀厚度的保护层150形成在基板上时，B光的色度坐标移动，进而导致更窄的B色度区域，这的不适合的。相反，当不形成保护层150时，B光的色度坐标合适，可是G光的色度坐标移动，进而使G色度坐标区域不适合地变窄，这是不合适的。
美国专利No.6674106披露了一种有机EL显示器，其提高了有机发光层发出的光的光学特性。有机EL显示器包括以矩阵形式形成在基板上的多个像素。基板包括其中设有用作显示单元的EL单元的开口区域，以及其中设有用于驱动EL单元的薄膜晶体管的非开口区域。通过选择性地去除像素电极下面的绝缘层，即对应作为发光区域的开口区域的栅极电介质层和层间绝缘层的区域，开口区域中的折射率被调整与基板的折射率近似相同，进而提高了开口区域的光学特性。
在上述常规有机EL显示器中，可通过去除与开口区域对齐的栅极电介质层和层间绝缘层的区域来提高开口区域中的光学特性。可是，由于与开口区域对齐并位于每个R、G和B子像素的像素电极下方的栅极电介质层和层间绝缘层的区域被去除而使得有机层发出的光通过基板，故对于单独的R、G和B子像素不能控制光路。
韩国未决的专利No.2003-70726披露了一种后发射型有机EL显示器，其中控制阳极(像素)电极下方的绝缘层，如缓冲层、栅极电介质层、层间绝缘层、保护层等的总厚度，以便提高色度坐标或有机发光层发出的光，例如色度坐标是可选择的。
在有机EL显示器中，例如，当阳极下面的绝缘层的总厚度大约为2500-3500时，有机发光层发出的光的色度坐标是最佳的。可是，由于设置在阳极下方的绝缘层的厚度在基板上是均匀的，故所有R、G和B子像素的有机层所发出的光经由普通光路传播通过基板。因此，对单独的R、G和B子像素不能控制光路。
发明内容
本发明提供一种有机EL显示器，其中在每个子像素中选择地形成位于R、G和B子像素的像素电极下方的绝缘层，进而防止色度坐标移动。本发明提供一种有机EL显示器，其中控制R、G和B子像素的像素电极下方的绝缘层的厚度，以便增加色度区域并减少功耗。根据本发明的实施例，提供一种有机电致发光显示器，其中在每个R、G和B子像素中选择地形成位于底部电极的下方的绝缘层，以防止色度坐标的移动以及减少功耗，并提供制造该显示器的方法。有机电致发光显示器包括含有多个子像素区域的基板，每个子像素区域包含发光区域和非发光区域并发射预定颜色的光，设置在每个子像素区域的非发光区域内的多个驱动单元，设置在每个子像素区域的发光区域内并与相应驱动单元之一相连的多个像素电极，以及设置在像素电极下方的绝缘层，其中绝缘层设置在基板上除子像素区域中的至少一个发光区域以外的整个表面上。
根据本发明的一个实施例，提供一种包含具有R、G和B子像素区域的基板的平板显示器，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域，设置在R、G和B子像素区域的相应发光区域内的R、G和B像素电极，设置在R、G和B子像素区域的相应非发光区域内并且驱动相应的R、G和B像素电极的R、G和B驱动单元，以及设置在R、G和B驱动单元和R、G和B像素电极之间的绝缘层，其中绝缘层设置在基板的除R、G和B子像素区域中至少一个发光区域以外的整个表面上。
根据本发明的一个实施例，提供一种包含具有R、G和B子像素区域的基板的平板显示器，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域，设置在R、G和B子像素区域的相应发光区域内的R、G和B像素电极，设置在R、G和B子像素区域的相应非发光区域内的R、G和B驱动单元，每个R、G和B子像素区域包括用于驱动每个R、G和B像素电极的驱动电极，以及设置在基板上并具有形成在其上的驱动电极的绝缘层，其中R、G和B像素电极设置在绝缘层上并与每个驱动电极相连，其中绝缘层设置在基板的除R、G和B子像素区域中至少一个发光区域以外的整个表面上。
根据本发明的一个实施例，提供一种包含具有R、G和B子像素区域的基板的平板显示器，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域，设置在R、G和B子像素区域的相应非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极以及源极/漏极，包含暴露每个R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一的R、G和B通孔的绝缘层，以及形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并包含通过每个R、G和B通孔与每个R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一分别相连的R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，其中绝缘层设置在基板上除R、G和B子像素区域中至少一个发光区域以外的整个表面上。
根据本发明的一个实施例，提供一种包含具有R、G和B子像素区域的基板的有机电致发光显示器，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域，设置在R、G和B子像素区域的相应非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极以及源极/漏极，形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并包含与每个R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一分别相连的R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，以及选择形成在R、G和B像素电极的至少一个下方的绝缘层。
根据本发明的一个实施例，提供一种包含具有R、G和B子像素区域的基板的有机电致发光显示器，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域，设置在R、G和B子像素区域的相应非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极以及源极/漏极，形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并包含与每个R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一分别相连的R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，以及形成在源极/漏极下方的绝缘层，其中R、G和B像素电极设置在绝缘层上并与每个R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一相连，并且其中绝缘层设置在基板上除R、G和B子像素区域中至少一个发光区域以外的整个表面上。
根据本发明的一个实施例，提供一种包含具有R、G和B子像素区域的基板的有机电致发光显示器，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域，设置在R、G和B子像素区域的相应非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极以及源极/漏极，形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并分别包含R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，以及设置在R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极下方的绝缘层，其中R、G和B像素电极从相应R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一延伸，并且其中绝缘层设置在基板上除R、G和B子像素区域中至少一个发光区域以外的整个表面上。
根据本发明的一个实施例，提供一种形成平板显示器的方法，其包括在基板上形成多个子像素区域，每个子像素区域包括发光区域和非发光区域并发射预定颜色的光，在每个子像素区域内的非发光区域形成多个驱动单元，在每个子像素区域的发射区域中形成多个像素电极并使得多个像素电极中的每个电极与一个相应的单元相连，以及在像素电极下方的基板上除子像素区域中至少一个发光区域外的全部表面上形成绝缘层。
应当理解，上述常规描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，而倾向于提供所要求的本发明的进一步说明。
以下的附图包含在本说明书中且构成其一部分，提供对本发明进一步的理解，示出了本发明的实施例并与描述一起用作解释本发明的原理。
附图1为常规有机电致发光(EL)显示器的截面图。
附图2A为根据本发明一个实施例的有机EL显示器的截面图。
附图2B为附图2A中有机EL显示器的另一截面图。
附图3A为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。
附图3B为附图3A中有机EL显示器的另一截面图。
附图4A为根据本发明一个实施例的有机EL显示器的截面图。
附图4B为附图4A中有机EL显示器的另一截面图。
附图5A为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。
附图5B为附图5A中有机EL显示器的另一截面图。
附图6为具有保护层的有机EL显示器以及没有保护层的有机EL显示器的色度坐标的图表。
具体实施例方式
以下参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。可是，本发明可以以一些不同的形式实施而不应认为限制于在此阐述的实施例。而且，提供这些实施例是为了使得披露更完全，向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，层和区域的大小和相对大小为清楚起见都被放大。
应当理解，当一个元件或层被称作置于另一元件或层“之上”或“连接到”其上或与其“相连”时，其可直接置于另一元件或层上或直接连接到其上或与其相连，或者可存在中间元件或层。
附图2A为根据本发明一个实施例的有机电致发光(EL)显示器的截面图。在附图2A中，为简便起见，仅在形成一个像素的每个R、G和B子像素中示出了一个EL单元和驱动EL单元的TFT。
参照附图2A，有机EL显示器包括以矩阵或阵列形式设置在基板200上的多个像素。像素分别包括红色(R)子像素20R、绿色(G)子像素20G和蓝色(B)子像素20B。基板200包括其中形成有R子像素20R的R子像素区域200R、其中形成有G子像素20G的G子像素区域200G和其中形成有B子像素20B的B子像素区域200B。
R、G和B子像素区域200R、200G和200B分别包括发光区域和非发光区域。R子像素区域200R的发光区域为其中形成有R EL单元并发射R EL单元所产生的光的区域。R子像素区域200R的非发光区域为其中形成有驱动R EL单元的TFT的区域。类似地，G子像素区域200G的发光区域为其中形成有G EL单元并发射G EL单元所产生的光的区域。G子像素区域200G的非发光区域为其中形成有驱动G EL单元的TFT的区域。类似地，B子像素区域200B的发光区域为其中形成有B EL单元并发射B EL单元所产生的光的区域。B子像素区域200B的非发光区域为其中形成有驱动B EL单元的TFT的区域。
缓冲层205形成在或直接形成在基板200上，并且半导体层211、214和217分别形成在R、G和B子像素区域200R、200G和200B的非发光区域上。R子像素20R的TFT的半导体层211具有预定的导电类型，包括例如P型源极/漏极区域212和213。G子像素20G的TFT的半导体层214包括例如p型源极/漏极区域215和216。B子像素20B的TFT的半导体层217包括例如p型源极/漏极区域218和219。
栅极电介质层220形成在半导体层211、214和217以及基板200上和/或其附近。R、G和B子像素20R、20G和20B的每个薄膜晶体管的栅极221、224和227形成在每个R、G和B子像素区域200R、200G和200B处的栅极电介质层220上或直接置于其上。
层间绝缘层230形成在栅极221、224和227以及栅极电介质层220上和/或附近。层间绝缘层230包括暴露R子像素20R的部分源极/漏极区域212和213的接触孔232和233，暴露G子像素20G的部分源极/漏极区域215和216的接触孔235和236，以及暴露B子像素20B的部分源极/漏极区域218和219的接触孔238和239。
R子像素20R的TFT的源极/漏极242和243，G子像素20G的TFT的源极/漏极245和246，以及B子像素20B的TFT的源极/漏极248和249，都形成在层间绝缘层230上或直接置于其上。R子像素20R的源极/漏极242和243通过接触孔232和233与源极/漏极区域212和213相连。类似地，G子像素20G的源极/漏极245和246通过接触孔235和236与源极/漏极区域215和216相连。类似地，B子像素20B的源极/漏极248和249通过接触孔238和239与源极/漏极区域218和219相连。
由诸如氮化硅制成的保护层250顺序或直接形成在基板200上。如附图2A所示，保护层250包括暴露R子像素20R的部分漏极243的通孔251，暴露G子像素20G的部分漏极246的通孔254，以及暴露B子像素20B的部分漏极249的通孔257。保护层250进一步包括对应B子像素区域200B的发光区域的区域内的开口259。
作为相应R、G和B像素20R、20G和20B的像素电极的阳极261、264和267，形成在保护层250上或直接置于其上。R子像素20R的阳极261形成在R子像素区域200R的发光区域上并通过通孔251连至漏极243。类似地，G子像素20G的阳极264形成在G子像素区域200G的发光区域上并通过通孔254连至漏极246。B子像素20B的阳极267形成在其中形成有开口259的保护层250的区域中并与漏极249相连，该区域对应B子像素区域200B的发光区域。
根据本发明的一个实施例，有机EL显示器可在没有附加掩模工艺的情况下进行制造。例如，当蚀刻保护层250以形成通孔251、254和257时，可同时形成开口259。因此，仅在每个R、G和B子像素区域200R、200G和200B的发光区域内选择地形成保护层250。
像素隔离层270顺序地形成在基板200上。像素隔离层270包括暴露R子像素20R的部分阳极261的开口271，暴露G子像素20G的部分阳极264的开口274，以及暴露B子像素20B的部分阳极267的开口277。
有机层281、284和287顺序形成在通过开口271暴露的R子像素20R的阳极261的区域上、通过开口274暴露的G子像素20G的阳极264的区域上、以及通过开口277暴露的B子像素20B的阳极267的区域上。
阴极290作为顶部电极形成在基板200上。
每个R子像素20R、G子像素20G和B子像素20B的有机层281、284和287，分别包括以下有机层中的至少一个空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、和/或R发光层、G发光层或B发光层。
根据本发明的上述实施例，R子像素20R包括R EL单元和TFT。R子像素20R的R EL单元包括形成在R子像素区域200R的发光区域内保护层250上或直接置于其上的阳极261、有机层281和阴极290。R子像素20R的TFT包括半导体层211、栅极221和源极/漏极242和243，其形成在基板200上的R子像素区域200R的非发光区域内。漏极243与REL单元的阳极261相连。
类似地，G子像素20G包括G EL单元和TFT。G子像素20G的G EL单元包括形成在G子像素区域200G的发光区域内的保护层250上或直接置于其上的阳极264、有机层284和阴极290。G子像素20G的TFT包括半导体层214、栅极224和源极/漏极245和246，其形成在基板200上的G子像素区域200G的非发光区域内。漏极246与GEL单元的阳极264相连。
类似地，B子像素20B包括B EL单元和TFT。B子像素20B的B EL单元包括形成在B子像素区域200B的发光区域内的保护层250的开口259上或直接置于其上的阳极267、有机层287和阴极290。B子像素20B的TFT包括半导体层217、栅极227和源极/漏极248和249，其形成在基板200上的B子像素区域200B的非发光区域内。漏极249与B EL单元的阳极267相连。
因此，例如，一起形成一个像素的各个R子像素20R、G子像素20G和B子像素20B的阳极261、264和267分别形成在保护层250上或直接置于其上。特别地，例如，R子像素20R的阳极261形成在R子像素区域200R的发光区域内的保护层250上。G子像素20G的阳极264形成在G子像素区域200G的发光区域内的保护层250上。B子像素20B的阳极267形成在B子像素区域200B的发光区域内，可是，不同于R和G子像素20R和20G，B子像素20B形成在保护层250的开口259内。特别地，对应有机层287的B子像素20B的部分阳极267形成在通过开口259暴露的部分层间绝缘层230上。
根据本发明的上述实施例，在R和G子像素20R和20G中，R和G子像素20R和20G的有机层281和284中产生的光通过保护层250朝向基板200发出。B子像素20B的有机层287中产生的光通过保护层250的开口259朝向基板200发出，例如未通过保护层250。
以下示出的表格1为其中每个R、G和B子像素包括保护层的有机EL显示器的R、G和B子像素20R、20G和20B的X与Y色度坐标表格，以及其中每个R、G和B子像素都不包括保护层的有机EL显示器的R、G和B子像素20R、20G和20B的X与Y色度坐标表格。
类似地，附图6为示出了在每个R、G和B子像素20R、20G和20B中形成具有保护层的有机EL显示器的X与Y色度坐标，以及在R、G和B子像素20R、20G和20B的任一个中未形成有保护层的有机EL显示器的X与Y色度坐标的图表。
在表格1和附图6中，将包含对于每个R、G和B子像素区域200R、200G和200B为大约6000厚度的保护层150的有机EL显示器，与在R、G和B子像素区域200R、200G和200B的任一个中不包含保护层的有机EL相比较，无论保护层250存在与否，R的色度坐标基本恒定。
在没有保护层的情况下，形成保护层250时的G的色度坐标能够提高。可是，在形成保护层250的情况下，没有保护层时的B的色度坐标能够提高。
因此，例如，可通过在G子像素区域200G内形成保护层250而在B子像素区域200B内不形成保护层250，获得优良的色度坐标。因此，也能增加色度面积。
表格1
根据本发明的一个实施例，保护层250设置在R和G子像素20R和20G的阳极的下方，其为获得优良的色度坐标需要保护层250，并不形成在B子像素20B的阳极下方，其如上所述为获得优良的色度坐标不需要保护层250。因此，通过在R、G和B子像素20R、20G和20B的阳极261、264和267下方选择地形成保护层，可增加色度面积。
应当理解，通过在每个R和G子像素区域200R和200G内形成具有变化厚度的保护层250，能够增加色度面积。
附图2B为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。在附图2B中，为方便起见，仅在构成一个像素的每个R、G和B子像素中示出了一个EL单元和TFT。除了保护层为双层结构以外，附图2B中的有机EL显示器的横截面基本与附图2A中所示的有机EL显示器的横截面相同。
参照附图2B，构成一个像素的R、G和B子像素20R、20G和20B，分别形成在基板200的R、G和B子像素区域200R、200G和200B内。
R子像素区域200R中的R子像素20R包括TFT和R EL单元，该TFT包括半导体层211、栅极221和形成在非发光区域内的源极/漏极242和243，该R EL单元包括阳极261、有机层281和形成在或直接置于发光区域内的保护层250上的阴极290。
类似地，G子像素区域200G中的G子像素20G包括TFT和G EL单元，该TFT包括半导体层214、栅极224和形成在非发光区域内的源极/漏极245和246，该G EL单元包括阳极264、有机层284和形成在或直接置于发光区域内的保护层250上的阴极290。
B子像素区域200B内的B子像素20B包括TFT和B EL单元，该TFT包括半导体层217、栅极227和形成在非发光区域内的源极/漏极248和249，该B EL单元包括阳极267、有机层287和形成在或直接置于发光区域内的保护层250上的阴极290。
形成在EL单元和TFT之间的保护层250包括形成在或直接置于层间绝缘层230上的第一保护层252，以及形成在或直接置于第一保护层230上并在对应B子像素20B的阳极267的区域内具有开口258的第二保护层253。第一保护层252可以是绝缘层，如氧化层，而第二保护层253可以是绝缘层，如氮化层，反之亦然。
包括第一保护层252和第二保护层253的保护层250形成在R子像素20R的阳极261的下方以及G子像素20G的阳极264的下方。在B子像素区域200B内，形成包含第一保护层252、第二保护层253以及对应B子像素20B的阳极267的区域内的开口258的保护层250。保护层250的第二保护层253有选择地形成在每个R、G和B子像素区域200R、200G和200B的发光区域内。
尽管B子像素20B的阳极267形成在保护层50的开口258内，例如使得B子像素20B的阳极267对应有机层287的那部分形成在第一保护层252上。
因此，每个R和G子像素20R和20G的有机层281和284内发出的光通过第一保护层252和第二保护层253朝向基板200发射，并且B子像素20B的有机层287内产生的光通过第一保护层252而不经过第二保护层253朝向基板200发射。
应当理解，可选择地通过B子像素20B中的第一保护层252和第二保护层253中形成开口258，使得光不通过第一保护层252或者不通过第二保护层253发射。
根据本发明的一个实施例，可在没有任何附加掩模工艺的情况下制造附图2B中示出的有机EL显示器。例如，当蚀刻第一保护层252和第二保护层253以形成通孔251、254和257时，开口258可同时形成在保护层250内。可选地，例如使用半色调掩模同时形成B子像素区域200B内的第二保护层253的通孔251、254和257以及开口258。
附图3A为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。在附图3A中，为方便起见，仅在合成一个像素的每个R、G和B子像素20R、20G和20B内示出了EL单元和TFT。
在本发明上述实施例所述的有机EL显示器中，通过选择地去除每个R、G和B子像素30R、30G和30B的保护层来获得优良色度坐标的结构。可是，根据本发明以下讨论的实施例，有机EL包括具有优良色度坐标的结构，通过选择地形成每个R、G和B子像素30R、30G和30B的保护层来获得所述优良的色度坐标。
参照附图3A，所示的有机EL显示器包括以矩阵形式设置在基板300上的多个像素。每个像素包括R子像素30R、G子像素30G和B子像素30B。基板300包括具有R子像素30R的R子像素区域300R、具有G子像素30G的G子像素区域300G以及具有B子像素30B的B子像素区域300B。每个R、G和B子像素区域300R、300G和300B包括发光区域和非发光区域。
缓冲层305形成在基板300上，而半导体层311、314和317分别形成在或直接置于R、G和B子像素区域300R、300G和300B的非发光区域中的缓冲层305上。R子像素30R的TFT的半导体层311包括P型源极/漏极区域312和313。类似地，G子像素30G的TFT的半导体层314包括p型源极/漏极区域315和316。类似地，B子像素30B的TFT的半导体层317包括p型源极/漏极区域318和319。
栅极电介质层320形成在基板300上。每个R、G和B子像素30R、30G和30B的栅极321、324和327形成在或直接置于每个R、G和B子像素区域300R、300G和300B内的栅极电介质层320上。
层间绝缘层330形成在基板300上的栅极电介质层320上。层间绝缘层330包括暴露形成在R子像素30R的半导体层311上的部分源极/漏极区域312和313的接触孔332和333，暴露形成在G子像素30G的半导体层314上的部分源极/漏极区域315和316的接触孔335和336，以及暴露形成在B子像素30B的半导体层317上的部分源极/漏极区域318和319的接触孔338和339。
R子像素30R的源极/漏极342和343，G子像素30G的源极/漏极345和346，以及B子像素30B的源极/漏极348和349，都形成在层间绝缘层330上。R子像素30R的源极/漏极342和343通过接触孔332和333与源极/漏极区域312和313相连。G子像素30G的源极/漏极345和346通过接触孔335和336与源极/漏极区域315和316相连。B子像素30B的源极/漏极348和349通过接触孔338和339与源极/漏极区域318和319相连。
绝缘层图案351和354分别形成在R和G子像素区域300R和300G内的层间绝缘层330上。绝缘层图案351形成在层间绝缘层330与R子像素区域300R的发光区域相对应的区域上，以调整或改变R子像素30R内产生的R光的色度坐标。绝缘层图案354形成在层间绝缘层330与G子像素区域300G的发光区域相对应的区域上，以调整或改变G子像素30G内产生的G光的色度坐标。
R子像素30R的阳极361形成在或直接置于R子像素区域300R内的绝缘层图案351上，并与R子像素30R的漏极343相连。类似地，G子像素30G的阳极364形成在或直接置于G子像素区域300G内的绝缘层图案354上，并与G子像素30G的漏极346相连。
B子像素30B的阳极367形成在或直接置于B子像素区域300B内的层间绝缘层330上，并与B子像素30B的漏极349相连。绝缘层图案351和354可由与用于形成上述实施例中的保护层250的材料，诸如氮化硅相同或不同的材料制成。
像素隔离层370形成在基板300上的层间绝缘层330上。像素隔离层370包括暴露R子像素30R的部分阳极361并形成在R子像素区域300R的发光区域内的开口371，暴露G子像素30G的部分阳极364并形成在G子像素区域300G的发光区域内的开口374，以及暴露B子像素30B的部分阳极367并形成在B子像素区域300B的发光区域内的开口377。
有机层381形成在由R子像素区域300R内的开口371所暴露的R子像素30R的部分阳极361上。类似地，有机层384形成在由G子像素区域300G内的开口374所暴露的G子像素30G的部分阳极364上。类似地，有机层387形成在由B子像素区域300B内的开口377所暴露的B子像素30B的部分阳极367上。在基板300上的像素隔离层370上顺序形成用作顶部电极的阴极390。
每个R、G和B子像素30R、30G和30B的相应有机层381、384和387包括，例如至少一个如下的有机层空穴注入层，空穴传输层，R、G或B发光层，电子传输层，电子注入层以及空穴阻挡层。
如上所述，参照附图3A所示的实施例，具有R EL单元和TFT的R子像素30R设置在R子像素区域300R内。R子像素30R的R EL单元包括形成在R子像素区域300R的发光区域内的绝缘层图案351上的阳极361，有机层381和阴极390。R子像素30R的TFT包括形成在R子像素区域300R的非发光区域内的半导体层311、栅极321以及源极/漏极342和343。漏极343与R EL单元的阳极361相连。
类似地，具有GEL单元和TFT的G子像素30G设置在G子像素区域300G内。G子像素30G的G EL单元包括形成在G子像素区域300G的发光区域内的绝缘层图案354上的阳极364，有机层384和阴极390。G子像素30G的TFT包括形成在基板300上的G子像素区域300G的非发光区域内的半导体层314、栅极324以及源极/漏极345和346。漏极346与G EL单元的阳极364相连。
具有B EL单元和TFT的B子像素30B设置在B子像素区域300B内。B子像素30B的B EL单元包括形成在B子像素区域300B的发光区域内的层间绝缘层330上的阳极367，有机层387和阴极390。B子像素30B的TFT包括形成在基板300上的B子像素区域300B的非发光区域内的半导体层317、栅极327以及源极/漏极348和349。漏极349与GEL单元的阳极367相连。
因此，R子像素30R和G子像素30G的阳极361和364分别形成在绝缘层图案351和354上。B子像素30B的阳极367形成在层间绝缘层330的位于B子像素区域300B的发光区域内的区域上。
R和G子像素30R和30G的有机层381和384中产生的光分别通过绝缘层图案351和354朝向基板300发射。可是，在B子像素30B中，有机层387内产生的光直接朝向基板300发射，例如，所述光没有通过绝缘图案发射。因此，通过仅在每个R和G子像素351和354的阳极361和364下方选择性地形成绝缘层图案351和354，可以增加色度区域。
此外，应当理解，通过在每个R和G子像素区域300R和300G内形成具有变化厚度的绝缘层图案351和354来增加色度区域。
附图3B为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。在附图3B内，为方便起见，在合并以形成一个像素的每个R、G和B中仅示出EL单元和TFT。除绝缘层图案为双层结构外，附图3B中所示的有机EL显示器的横截面与附图3A中所示的有机EL显示器的横截面基本相同。
参照附图3B，R、G和B子像素30R、30G和30B分别形成在基板300的R、G和B子像素区域300R、300G和300B内。
R子像素区域300R内的R子像素30R包括TFT和R EL单元，该TFT包括形成在R子像素区域300R的非发光区域内的半导体层311、栅极321、和源极/漏极342和343，该R EL单元包括形成在R子像素300R的发光区域内的绝缘层图案351上的阳极361、有机层381和阴极390。
G子像素区域300G内的G子像素30G包括TFT和G EL单元，该TFT包括形成在G子像素区域300G的非发光区域内的半导体层314、栅极324和源极/漏极345和346，该G EL单元包括形成在G子像素300G的发光区域内的绝缘层图案354上的阳极364、有机层384和阴极390。
B子像素区域300B内的B子像素30B包括TFT和B EL单元，该TFT包括形成在B子像素区域300B的非发光区域内的半导体层317、栅极327和源极/漏极348和349，该B EL单元包括形成在B子像素300B的发光区域内的绝缘层图案357上的阳极367、有机层387和阴极390。
在R子像素30R的阳极361下方或位于其下面的绝缘层图案351包括形成在层间绝缘层330上的第一绝缘层352，以及形成在第一绝缘层352之上的第二绝缘层353。类似地，在G子像素30G的阳极364下方或位于其下面的绝缘层图案354包括形成在层间绝缘层330上的第一绝缘层355，以及形成在第一绝缘层355之上的第二绝缘层356。B子像素30B的绝缘层图案357仅包括一个第一绝缘层。第一绝缘层352、355和357可以是诸如氧化层的绝缘层，并且第二保护层353和356可以是诸如氮化层的绝缘层，反之亦然。
因此，例如在R和G子像素30R和30G的各自阳极361和364下方或位于其下面的绝缘层图案351和354，例如可作为第一和第二绝缘层的叠层形成在彼此的顶部。在B子像素30B的阳极367下方或位于其下面的绝缘层图案357可形成作为单一的第一绝缘层。
由此，每个R和G子像素30R和30G的有机层381和384中产生的光通过绝缘层图案351和354朝向基板300发射或入射在基板上，而B子像素30B的有机层387内产生的光通过仅仅为第一绝缘层的绝缘层图案357朝向基板300发射。
应当理解，B子像素30B中的阳极367可选地形成在或直接置于层间绝缘层330上而不包含绝缘层图案357。
根据以上讨论并在附图3B中示出的本发明的实施例，可在不需要附加掩模工艺的情况下制造有机EL显示器。例如，用于形成通孔的掩模工艺可被用于形成绝缘层图案的掩模工艺替换。可选地，通过利用半色调掩模形成绝缘层图案，附图3B中所示的具有双层结构的绝缘层图案351和354，和单一绝缘层图案357在单一掩模工艺中形成。
附图4A为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。在附图4A中，在每个R、G和B子像素40R、40G和40B内仅示出了EL单元和TFT。
在参照附图2A和2B所讨论的上述实施例中描述的有机EL显示器中，通过在每个R、G和B子像素20R、20G和20B内有选择地形成保护层，可获得优良色度坐标的结构。可是，以下描述根据本发明另一实施例的有机EL显示器，使得通过在每个R、G和B子像素内有选择地形成层间绝缘层立获得优良色度坐标的结构。
参照附图4A，例如，根据本发明该实施例的有机EL显示器包括以矩阵形式设置在基板400上的多个像素。每个像素包括R子像素40R、G子像素40G和B子像素40B。R、G和B子像素40R、40G和40B分别形成在基板400上的R子像素区域400R、G子像素区域400G以及B子像素区域400B内。每个R、G和B子像素区域400R、400G和4003包括发光区域和非发光区域。
缓冲层405形成在基板400上，而半导体层411、414和417分别形成在或直接置于R、G和B子像素区域400R、400G和400B的非发光区域内的缓冲层405上。半导体层411包括P型源极/漏极区域412和413，半导体层414包括p型源极/漏极区域415和416，半导体层417包括p型源极/漏极区域418和419。
栅极电介质层420形成在基板400上。每个R、G和B子像素40R、40G和40B的栅极421、424和427形成在每个R、G和B子像素区域400R、400G和400B内的栅极电介质层420上。层间绝缘层430形成在基板400上。层间绝缘层430可包括诸如氧化层或氮化层的绝缘层。
层间绝缘层430包括暴露R子像素40R的部分源极/漏极区域412和413的接触孔432和433，暴露G子像素40G的部分源极/漏极区域415和416的接触孔435和436，以及暴露B子像素40B的部分源极/漏极区域418和419的接触孔438和439。层间绝缘层430进一步包括暴露栅极电介质层420对应B子像素区域400B的发光区域的那部分的开口430a。
R子像素40R的源极/漏极442和443，G子像素40G的源极/漏极445和446，以及B子像素40B的源极/漏极448和449，都形成在或直接置于层间绝缘层430上。R子像素40R的源极/漏极442和443通过接触孔432和433与源极/漏极区域412和413相连。类似地，G子像素40G的源极/漏极445和446通过接触孔435和436与源极/漏极区域415和416相连。类似地，B子像素40B的源极/漏极448和449通过接触孔438和439与源极/漏极区域418和419相连。
各个子象素R、G和B子象素40R、40G和40B的阳极电极461、464和467，即象素电极形成在或直接处于层间绝缘层430上。具体地说，R子象素40R的阳极电极461形成在或直接处于层间绝缘层430上，并与漏极443相连。G子象素40G的阳极464形成在或直接处于层间绝缘层430上并与漏极446相连。B子象素40B的阳极467形成在层间绝缘层430的开口439中并与漏电极449相连。
像素隔离层470形成在基板400上的部分层间绝缘层430上。像素隔离层470包括暴露形成在R子像素区域400R的发光区域内的R子像素40R的部分阳极461的开口471，暴露形成在G子像素区域400G的发光区域内的G子像素40G的部分阳极464的开口474，以及暴露形成在B子像素区域400B的发光区域内的B子像素40B的部分阳极467的开口477。
有机层481形成在由R子像素区域400R中的开口471所暴露的R子像素40R的部分阳极461上。类似地，有机层484形成在由G子像素区域400G中的开口474所暴露的G子像素40G的部分阳极464上。类似地，有机层487形成在由B子像素区域400B中的开口477所暴露的B子像素40B的部分阳极467上。阴极490作为顶部电极形成在基板400上的像素隔离层470上。
每个R、G和B子像素40R、40G和40B的相应有机层481、484和487包括如下的有机层中的至少一个空穴注入层，空穴传输层，R、G或B发光层，电子传输层，电子注入层以及空穴阻挡层。
根据本发明上述的实施例，参照附图4A，R子像素40R的R EL单元包括形成在R子像素区域400R的发光区域内的层间绝缘层430上的阳极461、有机层481以及阴极490。R子像素40R的TFT包括形成在基板400上的R子像素区域400R的非发光区域内的半导体层411、栅极421以及源极/漏极442和443。漏极443与REL单元的阳极461相连。
类似地，G子像素40G的G EL单元包括形成在G子像素区域400G的发光区域内的层间绝缘层图案430上的阳极464、有机层484和阴极490。G子像素40G的TFT包括形成在基板400上的G子像素区域400G的非发光区域内的半导体层414、栅极424以及源极/漏极445和446。漏极446与G EL单元的阳极464相连。
B子像素40B的B EL单元包括形成在由B子像素区域400B的发光区域内的层间绝缘层430的开口430a所暴露的栅极电介质层420上的阳极467、有机层487和阴极490。B子像素40B的TFT包括形成在基板400上的B子像素区域400B的非发光区域内的半导体层417、栅极427以及源极/漏极448和449。漏极449与B EL单元的阳极467相连。
因此，R子像素40R的阳极461和G子像素40G的阳极464分别形成在R和G子像素区400R和400G的发光区域内的层间绝缘层430上。B子像素40B的阳极467形成在由B子像素区域400B的发光区域内的层间绝缘层430的开口430a所暴露的栅极电介质420上。
由此，在R和G子像素40R和40G中，有机层481和484内产生的产生的光通过层间绝缘层430朝向基板400发射或入射在基板上。可是，在B子像素40B中，有机层487内产生的光通过层间绝缘层430的开口430a直接朝向基板300发射或入射在基板上，即所述光未通过层间绝缘层430。
附图4B为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。在附图4B中，为方便起见，在结合形成一个像素的每个R、G和B子像素40R、40G和40B内仅示出了EL单元和TFT。除层间绝缘层为双层结构外，附图4B中的有机EL显示器的横截面与附图4A中有机EL显示器的横截面基本相同。
在之前参照附图4A所述的实施例中，在R和G子像素区域400R和40G内形成具有恒定厚度的层间绝缘层430，而在B子像素区域400B内未形成层间绝缘层。可是，应当理解，通过在每个R和G子像素区域400R和400G内形成具有变化厚度的层间绝缘层430，可增加色度面积。
参照附图4B，R、G和B子像素40R和40G和40B分别形成在基板400的R、G和B子像素区域400R、400G和400B内。
R子像素区域400R内的R子像素40R包括TFT和R EL单元，，该TFT包括形成在基板400的R子像素区域400R的非发光区域内的半导体层411、栅极421和源极/漏极442和443，该R EL单元包括形成在R子像素400R的发光区域内的层间绝缘层430上的与漏极443相连的阳极461、有机层481和阴极490。
同样，G子像素区域400G内的G子像素40G包括TFT和G EL单元，该TFT包括形成在基板400的G子像素区域400G的非发光区域内的半导体层414、栅极424和源极/漏极445和446，该G EL单元包括形成在G子像素400G的发光区域内的层间绝缘层430上的与漏极446相连的阳极464、有机层484和阴极490。
B子像素区域400B内的B子像素40B包括TFT和B EL单元，该TFT包括形成在基板400的B子像素区域400B的非发光区域内的半导体层417、栅极427和源极/漏极448和449，该B EL单元包括形成在由B子像素区域400B的发光区域内的层间绝缘层430的开口430b所暴露的栅极电介质层420上的与漏极446相连的阳极467、有机层487和阴极490。
层间绝缘层430为多层结构。例如，层间绝缘层430包括形成在或直接置于栅极电介质层420的第一层间绝缘层431a，以及形成在或直接置于第一层间绝缘层431a上的第二层间绝缘层431b。第一层间绝缘层431a可以是诸如氧化层的绝缘层，而第二层间绝缘层431b可以是诸如氮化层的绝缘层，或反之亦然。第二层间绝缘层431b包括开口430b，其暴露出形成有B子像素40B的阳极467的栅极电介质层420的那部分。
根据本发明的实施例，可在没有附加掩模工艺的情况下制造附图4B所示的有机EL显示器。例如，可在层间绝缘层430中同时形成开口430b和接触孔。可选地，可以利用例如半色调掩模形成层间绝缘层430中的接触孔和第二层间绝缘层431b中的开口430b。
具有第一层间绝缘层431a和第二层间绝缘层431b的层间绝缘层430形成在每个R和G子像素40R和40G的阳极461和464的下方。在B子像素区域400B中，形成具有第一层间绝缘层431a和第二层间绝缘层431b的层间绝缘层430，所述第二层间绝缘层431b包括其中形成有B子像素40B的阳极467的开口430b。
例如，B子像素40B的阳极467形成在B子像素区域400B的发光区域内，例如层间绝缘层430的开口430b内。B子像素40B的阳极467对应于有机层487的那部分形成在第一层间绝缘层431a上。
每个R和G子像素40R和40G的有机层481和484中产生的光通过第一层间绝缘层431a和第二层间绝缘层431b朝向基板400发射或入射在基板上。B子像素40B的有机层487中产生的光仅通过第一层间绝缘层431a，例如不通过第二层间绝缘层431b朝向基板400发射或入射在基板上。
应当理解，开口430b可通过第一层间绝缘层431a和第二层间绝缘层431b或者层间绝缘层430形成。
附图5A为根据本发明另一实施例的有机EL显示器的截面图。在附图5A中，为方便起见，在每个R、G和B子像素50R、50G和50B中仅示出了EL单元和TFT。
根据以下描述的本发明的实施例，提供一种通过在每个R、G和B子像素50R、50G和50B中有选择地形成层间绝缘层获得优良色度坐标的结构。
参照附图5A，有机EL显示器包括以矩阵或阵列形式设置在基板500上的多个像素。R、G和B子像素50R、50G和50B分别形成在基板500上的R子像素区域500R、G子像素区域500G以及B子像素区域500B内。每个R、G和B子像素区域500R、500G和500B包括发光区域和非发光区域。
缓冲层505形成在基板500上，而半导体层511、514和517分别形成在R、G和B子像素区域500R、500G和500B的非发光区域内的缓冲层505的区域上。R子像素50R的TFT的半导体层511包括例如P型源极/漏极区域512和513，G子像素50G的TFT的半导体层514包括例如p型源极/漏极区域515和516，B子像素50B的TFT的半导体层517包括例如p型源极/漏极区域518和519。
栅极电介质层520形成在基板500上的缓冲层的上方。每个R、G和B子像素50R、50G和50B的栅极521、525和527形成在或直接置于每个R、G和B子像素区域500R、500G和500B内的栅极电介质层520上。层间绝缘层530形成在基板500上的栅极电介质层520的上方。层间绝缘层530可包括诸如氧化层或氮化层的绝缘层，或反之亦然。
层间绝缘层530包括暴露形成在R子像素50R的半导体层511上的部分源极/漏极区域512和513的接触孔532和533，暴露形成在G子像素50G的半导体层514上的部分源极/漏极区域515和516的接触孔535和536，以及暴露形成在B子像素50B的半导体层517的部分源极/漏极区域518和519的接触孔538和539。
R子像素50R的源极/漏极542和543，G子像素50G的源极/漏极545和546，以及B子像素50B的源极/漏极548和549，都形成在层间绝缘层530上。特别地，R子像素50R的源极/漏极542和543通过接触孔532和533与源极/漏极区域512和513相连。类似地，G子像素50G的源极/漏极545和546通过接触孔535和536与源极/漏极区域515和516相连。类似地，B子像素50B的源极/漏极548和549通过接触孔538和539与源极/漏极区域518和519相连。
用作像素电极的每个R、G和B子像素50R、50G和50B的阳极561、564和567形成在层间绝缘层530上。阳极561、564和567可由与形成漏极543、546和549的材料相同的材料制成。
在后发射型有机EL显示器中，漏极可以是例如由透明导体材料制成的透明电极。另外，漏电极543、546和549可以由与制作源极542、545和548相同的或不同的材料制成。
例如，如附图5A所示，R子像素50R的阳极561从漏极543延伸，G子像素50G的阳极564从漏极546延伸，而B子像素50B的阳极567从漏极549延伸。
像素隔离层570形成在基板500上的层间绝缘层530上。像素隔离层570包括暴露形成在R子像素区域500R的发光区域内的R子像素50R的部分阳极561的开口571，暴露形成在G子像素区域500G的发光区域内的G子像素50G的部分阳极564的开口574，以及暴露形成在B子像素区域500B的发光区域内的B子像素50B的部分阳极567的开口577。
有机层581形成在由R子像素区域500R中的开口571所暴露的R子像素50R的部分阳极561上。类似地，有机层584形成在由G子像素区域500G中的开口574所暴露的G子像素50G的部分阳极564上。类似地，有机层587形成在由B子像素区域500B中的开口577所暴露的B子像素50B的部分阳极567上。阳极590作为顶部电极形成在基板500上。
每个R、G和B子像素50R、50G和50B的每个有机层581、584和587包括，例如如下的有机层中的至少一个空穴注入层，空穴传输层，R、G和B发光层，电子传输层，电子注入层以及空穴阻挡层。
如上所述，参照根据附图5A示出并描述的本发明的实施例，R子像素50R的R EL单元包括形成在或直接置于R子像素区域400R的发光区域内的层间绝缘层530上的从漏极543延伸的阳极561、有机层581和阴极590。R子像素50R的TFT包括形成在R子像素区域500R的非发光区域内的基板500上的半导体层511、栅极521以及源极/漏极542和543。
类似地，G子像素50G的G EL单元包括形成在或直接置于G子像素区域500G的发光区域内的层间绝缘层530上的从漏极546延伸的阳极564、有机层584和阴极590。G子像素50G的TFT包括形成在G子像素区域500G的非发光区域内的基板500上的半导体层514、栅极524以及源极/漏极545和546。
B子像素50B的B EL单元包括形成在或直接置于由B子像素区域500B的发光区域内的层间绝缘层530的开口530a所暴露的栅极电介质层520上的阳极567、有机层587和阴极590。B子像素50B的TFT包括形成在B子像素区域500B的非发光区域内的基板500上的半导体层517、栅极527以及源极/漏极548和549。
因此，R子像素50R的阳极561和G子像素50G的阳极564分别形成在或直接置于R和G子像素区500R和500G的发光区域内的层间绝缘层530上。B子像素50B的阳极567形成在由B子像素区域50B的发光区域内的层间绝缘层530的开口530a所暴露的部分栅极电介质520上。
由此，在R和G子像素50R和50G中，有机层581和584内产生的光分别通过层间绝缘层530朝向基板500发射或入射在基板上。在B子像素50B中，有机层587内产生的光通过层间绝缘层530的开口530a直接朝向基板500发射或入射在基板上。
应当理解，通过在每个R和G子像素区域500R和500B内形成具有变化厚度的层间绝缘层530，可增加色度面积。
附图5B为根据本发明另一实施例的有机EL显示器。在附图5B中，为简便起见，在合并构成一个像素的每个R、G和B子像素内仅示出了EL单元和TFT。除了层间绝缘层为双层结构外，附图5B中所示的有机EL显示器的横截面与附图5A中所示的有机EL显示器的横截面基本相同。
参见图5B，R、G和B子象素50R、50G和50B分别形成在基板500的R、G和B子象素区域500R、500G和500B中。
R子像素区域500R内的R子像素50R包括TFT和R EL单元，该TFT包括形成在基板500上的R子像素区域500R的非发光区域内的半导体层511、栅极521和源极/漏极542和543，该R EL单元包括形成在R子像素区域500R的发光区域内的层间绝缘层530上或上方的从漏极543延伸的阳极561、有机层581和阴极590。
类似地，G子像素区域500G内的G子像素50G包括TFT和G EL单元，该RFT包括形成在基板500上的G子像素区域500G的非发光区域内的半导体层514、栅极524和源极/漏极545和546，该G EL单元包括形成在G子像素区域500G的发光区域内的层间绝缘层530上或上方的从漏极546延伸的阳极564、有机层584和阴极590。
B子像素区域500B内的B子像素50B包括TFT和B EL单元，该TFT包括形成在基板500上的B子像素区域500B的非发光区域内的半导体层517、栅极527和源极/漏极548和549，该B EL单元包括形成在由B子像素区域500B的发光区域内的层间绝缘层530的开口550b所暴露的部分栅极电介质层520上或上方的从漏极549延伸的阳极567、有机层587和阴极590。
层间绝缘层530包括形成在栅极电介质层520上的第一层间绝缘层531a，以及形成在第一层间绝缘层531a上的第二层间绝缘层531b。第二层间绝缘层531b具有开口530b，其暴露形成有B子像素50B的阳极567的栅极电介质层520的那部分。第一层间绝缘层531a可以是诸如氧化层的绝缘层，而第二层间绝缘层531b可以是诸如氮化层的绝缘层，或反之亦然。
层间绝缘层530形成在每个R和G子像素50R和50G的阳极561和564的下方并且包括第一层间绝缘层531a和第二层间绝缘层531b的叠置构造，例如第一层间绝缘层531a和第二层间绝缘层531b形成在或置于彼此的顶部。形成在或置于B子像素50B的阳极547下方的层间绝缘层530包含第一层间绝缘层531a和第二层间绝缘层531b，其中第二层间绝缘层在对应有机层587的区域内包括开口530b。
因此，每个R和G子像素50R和50G的有机层581和584中产生的光通过第一层间绝缘层531a和第二层间绝缘层531b朝向基板500发射或入射在基板上，而B子像素50B的有机层587中产生的光仅通过第一层间绝缘层531a，例如不通过第二层间绝缘层531b朝向基板500发射或入射在基板上。
应当理解，可通过第一层间绝缘层531a和第二层间绝缘层531b之一或全部形成开口530b。
根据本发明的一个实施例，可在没有附加掩模工艺的情况下制造参照附图5A和5B所述的有机EL显示器。例如，层间绝缘层530中的接触孔，开口530b可同时形成在B子像素区域500B内。可选地，当在层间绝缘层530中形成接触孔时，利用诸如半色调掩模将开口530b可替换地仅形成在层间绝缘层530的第二层间绝缘层531b中。
应当理解，可将保护层形成为包含一多于两个层的多层。在这样的实施例中，保护层可选择地形成在每个R、G和B子像素中以获得优良或改进的色度坐标。可选地，在每个R、G和B子像素内形成具有变化厚度的多层结构的保护层。
尽管在本发明上述的实施例中，层间绝缘层的第一和第二保护层被描述为由氧化物或氮化物形成，但应当理解，本发明不限于这些材料。例如第一和第二保护层之一可以是有机绝缘层，而另一个可以是无机绝缘层。
尽管在本发明上述的实施例中，将p型TFT披露为EL单元的驱动单元，但n型TFT或其他开关装置可用作驱动单元。
尽管在本发明上述的实施例中，绝缘层，诸如形成在用作像素电极的阳极下方的层间绝缘层或保护层，有选择地形成在每个R、G和B子像素内以获得优良或改进的色度坐标，包含诸如位于或形成在阳极下面的层间绝缘层、保护层、栅极电介质层和缓冲层的绝缘层中的一些或全部，都有选择地形成在每个R、G和B子像素中。
尽管本发明的上述实施例中主要涉及有源矩阵EL显示器，其包括用作显示单元的有机EL单元以及用作EL单元的驱动单元的TFT，但也可通过有选择地去除每个R、G和B子像素中的像素电极下面设置或形成的绝缘层，改善包含用作显示单元的LCD单元以及用作LCD单元的驱动单元的TFT的有源矩阵型液晶显示器(LCD)的色度坐标。
根据本发明的另一实施例，通过有选择地去除每个R、G和B子像素的像素电极下方的绝缘层，能够获得有源矩阵型有机EL显示器的优良的或改善的R、G和B色度坐标，进而降低了功耗。
本领域技术人员清楚在不脱离本发明的精神或范围的情况下可进行各种修改和变型。因此，本发明倾向于覆盖处于所附权利要求及其等同物范围内的本发明的修改和变型。
权利要求
1.一种平板显示器，包括包含多个子像素区域的基板，每个子像素区域包含发光区域和非发光区域并且发射预定颜色的光；多个设置在每个子像素区域的非发光区域内的驱动单元；多个设置在每个子像素区域的发光区域内并且与相应的一个驱动单元相连的像素电极；以及设置在像素电极下方的绝缘层，其中绝缘层设置在基板的除子像素区域内的至少一个发光区域之外的整个表面上。
2.如权利要求1所述的平板显示器，其中绝缘层为包含氮化层或氧化层的单层或多层结构。
3.如权利要求1所述的平板显示器，其中多个子像素区域包含具有发射红光的R子像素的R子像素区域，具有发射绿光的G子像素的G子像素区域以及具有发射蓝光的B子像素的B子像素区域，以及其中绝缘层设置在基板的除对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上。
4.如权利要求3所述的平板显示器，其中绝缘层为包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
5.如权利要求3所述的平板显示器，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上的第二绝缘层。
6.如权利要求5所述的平板显示器，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
7.如权利要求1所述的平板显示器，其中多个子像素区域包含具有发射红光的R子像素的R子像素区域，具有发射绿光的G子像素的G子像素区域以及具有发射蓝光的B子像素的B子像素区域，以及其中绝缘层是仅设置在R和G子像素区域的发光区域内的绝缘层图案。
8.如权利要求7所述的平板显示器，其中绝缘层为包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
9.如权利要求7所述的平板显示器，其中绝缘层图案包括设置在R和G子像素区域的发光区域内的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。
10.如权利要求9所述的平板显示器，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
11.如权利要求10所述的平板显示器，其中第一绝缘层形成在B子像素区域的发光区域内。
12.如权利要求1所述的平板显示器，其中每个驱动单元包括用于驱动每个像素电极的驱动薄膜晶体管。
13.一种平板显示器，包括包括多个R、G和B子像素区域的基板，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域；设置在R、G和B子像素区域的每个发光区域内的R、G和B像素电极；设置在R、G和B子像素区域的每个非发光区域内并且驱动每个R、G和B像素电极的R、G和B驱动单元；设置在R、G和B驱动单元和R、G和B像素电极之间的绝缘层，其中绝缘层设置在基板的除了R、G和B子像素区域内的至少一个发光区域之外的整个表面上。
14.如权利要求13所述的平板显示器，其中绝缘层为包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
15.如权利要求13所述的平板显示器，其中绝缘层设置在基板的除B子像素区域的发光区域之外的整个表面上。
16.如权利要求13所述的平板显示器，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除了对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上的第二绝缘层。
17.如权利要求16所述的平板显示器，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
18.如权利要求13所述的平板显示器，其中绝缘层是仅设置在R和G子像素区域的发光区域内的绝缘层图案。
19.如权利要求18所述的平板显示器，其中绝缘层图案包括设置在R和G子像素区域的发光区域内的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。
20.如权利要求19所述的平板显示器，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
21.如权利要求13所述的平板显示器，其中第一绝缘层形成在B子像素区域的发光区域内。
22.一种平板显示器，包括包括多个R、G和B子像素区域的基板，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域；设置在R、G和B子像素区域的每个发光区域内的R、G和B像素电极；设置在R、G和B子像素区域的每个非发光区域内的R、G和B驱动单元，每个R、G和B子像素区域包括用于驱动每个R、G和B像素电极的驱动电极；以及设置在基板上的绝缘层，该绝缘层具有形成在其上的驱动电极，其中R、G和B像素电极设置在绝缘层上并且与相应的驱动电极相连，以及其中绝缘层设置在基板的除了R、G和B子像素区域内的至少一个发光区域之外的整个表面上。
23.如权利要求22所述的平板显示器，其中绝缘层设置在基板的除了对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上。
24.如权利要求22所述的平板显示器，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除了对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上的第二绝缘层。
25.如权利要求24所述的平板显示器，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
26.如权利要求22所述的平板显示器，其中绝缘层为包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
27.一种有机电致发光显示器，包括包括多个R、G和B子像素区域的基板，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域；设置在R、G和B子像素区域的每个非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极和源极/漏极；包括暴露每个R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一的R、G和B通孔的绝缘层；分别形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并且包含R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，所述R、G和B像素电极通过每个R、G和B通孔与相应的R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一相连，其中绝缘层设置在基板的除了R、G和B子像素区域的至少一个发光区域之外的整个表面上。
28.如权利要求27所述的有机电致发光平板显示器，其中绝缘层设置在基板的除了B子像素区域的发光区域内的B像素电极的下方区域以外的整个表面上，以及其中绝缘层是包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
29.如权利要求27所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除了B子像素区域的发光区域内的B像素电极下方区域以外的整个表面上的第二绝缘层，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
30.一种有机电致发光显示器，包括包括多个R、G和B子像素区域的基板，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域；设置在R、G和B子像素区域的每个非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极和源极/漏极；分别形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并且包含R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，所述R、G和B像素电极与相应的R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一相连，其中绝缘层有选择地形成在R、G和B像素电极的至少其中之一的下方。
31.如权利要求30所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层有选择地形成在R和G像素电极下方，以及其中绝缘层是包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
32.如权利要求30所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层包括设置在R和G像素电极下方的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
33.一种有机电致发光显示器，包括包括多个R、G和B子像素区域的基板，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域；设置在R、G和B子像素区域的每个非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极和源极/漏极；分别形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并且包含R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元，所述R、G和B像素电极与相应的R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一相连；以及形成在源极/漏极下方的绝缘层，其中R、G和B像素电极设置在绝缘层上并且与相应的R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一相连，和其中绝缘层设置在基板的除R、G和B子像素区域内的至少一个发光区域之外的整个表面上。
34.如权利要求33所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层设置在基板的除B子像素区域的发光区域内的B像素电极下方的区域以外的整个表面上，以及其中绝缘层是包含氮化层和/或氧化层的单层或多层结构。
35.如权利要求33所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除了B子像素区域的发光区域内的B像素电极下方的区域以外的整个表面上的第二绝缘层，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
36.一种有机电致发光显示器，包括包括多个R、G和B子像素区域的基板，每个R、G和B子像素区域包含发光区域和非发光区域；设置在R、G和B子像素区域的每个非发光区域内的R、G和B薄膜晶体管，每个R、G和B薄膜晶体管包括半导体层、栅极和源极/漏极；分别形成在R、G和B子像素区域的每个发光区域内并且包含R、G和B像素电极的R、G和B电致发光单元；以及设置在R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极下方的绝缘层，其中R、G和B像素电极从相应的R、G和B薄膜晶体管的源极/漏极之一延伸，和其中绝缘层设置在基板的除了R、G和B子像素区域内的至少一个发光区域之外的整个表面上。
37.如权利要求36所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层设置在基板的除了B子像素区域的发光区域内B的像素电极下方的区域以外的整个表面上，以及其中绝缘层是包含氮化层和/或氧化层的单层和/或多层结构。
38.如权利要求36所述的有机电致发光显示器，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除了B子像素区域的发光区域内的B像素电极下方的区域以外的整个表面上的第二绝缘层，其中第一绝缘层包括氧化层，而第二绝缘层包括氮化层。
39.一种形成平板显示器的方法，包括在基板上形成多个子像素区域，每个子像素区域包括发光区域和非发光区域并且发射预定颜色的光；在每个子像素区域的非发光区域内形成多个驱动单元；在每个子像素区域的发光区域内形成多个像素电极并且使多个像素电极的每一个都与相应的一个驱动单元相连；以及在基板的除了子像素区域内的至少一个发光区域以外的整个表面上的像素电极下方形成绝缘层。
40.如权利要求39所述的形成平板显示器的方法，其中多个子像素区域包含具有发射红光的R子像素的R子像素区域，具有发射绿光的G子像素的G子像素区域以及具有发射蓝光的B子像素的B子像素区域，以及其中绝缘层设置在基板的除了对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上。
41.如权利要求40所述的形成平板显示器的方法，其中绝缘层包括设置在基板的整个表面上的第一绝缘层；以及设置在第一绝缘层的除了对应B子像素区域的发光区域的一个区域之外的整个表面上的第二绝缘层。
全文摘要
提供一种有机电致发光显示器，其中位于底部电极的下方的绝缘层有选择性地形成在每个R、G和B子像素内以防止色度坐标移动并减少功耗，及其制造这种有机电致发光显示器的方法。有机显示器包括包含多个子像素区域的基板，每个子像素区域包含发光区域和非发光区域并发射预定颜色的光，设置在每个子像素区域的非发光区域内的多个驱动单元，设置在每个子像素区域的发光区域内并与相应的一个驱动单元相连的多个像素电极，以及设置在像素电极下方的绝缘层，其中绝缘层设置在基板的除了子像素区域内的至少一个发光区域之外的整个表面上。
文档编号H05B33/10GK1822382SQ20051000347
公开日2006年8月23日 申请日期2005年11月22日 优先权日2004年11月22日
发明者金仙花 申请人:三星Sdi株式会社