专利名称：有机电致发光型显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电光显示装置，尤其涉及在形成有TFT的有源矩阵型衬底上作为电光元件在像素区域形成有机电致发光型(ElectroluminescenceEL)元件(以下称为有机EL元件)的有机电致发光型显示装置。
背景技术：
近年，作为电光元件使用如有机EL元件那样的发光体的有机电致发光型显示装置通常作为显示屏之一加以利用。
有机EL元件的基本结构采用阳电极(也称为阳极)和阴电极(也称为阴极)之间夹有包含有机EL层的电场发光层的结构，通过对阳极与阴极之间施加电压，从阳极侧注入孔穴、并从阴极侧注入电子，从而使有机EL层发光。(例如，参照专利文献1)。
采用这种有机EL元件的显示装置即有机电致发光型显示装置具有如下结构在作为开关元件配置了薄膜晶体管(以下称为TFT)的TFT有源矩阵衬底上，依次层叠了阳极、电场发光层然后阴极的有机EL元件，在显示屏区域的各像素上形成。
一直以来，一般的有机电致发光型显示装置被称为底面发光型(底面发射型)，在玻璃那样透明绝缘性衬底上预先形成TFT或有机EL元件，为使从有机EL元件的有机EL层发生的光向透明绝缘性衬底中未形成TFT的背面侧发射，阳极由氧化铟In2O3+氧化锡SnO2(以下称为ITO)那样具有光透射性的导电性材料构成。为提高对有机EL层的孔穴注入效率，阳极最好采用功函数值高的导电性材料，例如在专利文献1中公开的优选的功函数值为4.0eV以上。ITO的功函数值为4.7eV左右，是作为阳极优选的材料。
但是，底面发射型中，由于在衬底上形成的TFT图案或布线图案或信号驱动用电路图案等的区域上不能使光透过，存在有效发光面积较少的问题。为了解决这些问题，开发出可取较大发光面积的称为顶面发光型(顶面发射型)的结构。
顶面发射型结构中，上述阳极用具有光反射性的金属材料形成，因此使有机EL层上发生的光透过阴极并向衬底的顶部发射时，也能使该金属材料的反射光同时向衬底顶部发射，可得到亮的显示图像。
顶面发射型中为了得到发光效率高且亮的图像，要求阳极具有高的功函数值和高的光反射率。但是，考虑了图案形成加工性的基础上，例如作为具有高的功函数值的金属材料选择Cr(约4.5eV)或Mo(约4.6eV)时，这些金属膜存在光反射率低(例如在波长550nm上本发明人得到的结果在Cr为67％、Mo为60％)，且用在阳极时所述反射光的损耗大的问题。另一方面，例如作为具有光反射率高达90％以上的值的金属材料选择Al或Ag以及它们的合金时，由于功函数值低于优选的4.0eV，存在无法提升有机EL元件的发光效率的问题。
为了解决上述问题，作为在反射率高的Ag、Al及它们的合金的顶层层叠功函数高的导电性材料的至少二层结构，公开使高反射率与高孔穴注入效率并存结构的阳极。(例如，参照专利文献2～5)。作为功函数高的导电性材料有金属的氧化物薄膜。这些大部分具有光透射性，具有不会因底层金属而显著降低光反射率的优点。
但是，一般在构成底层即光反射膜的金属膜或合金膜的顶部，作为顶层形成透光性导电氧化膜时，底层的金属膜或合金膜的金属原子与含在顶层中的氧的新氧化物反应层在顶层与底层的界面上形成。该氧化物反应层是电绝缘体，会引起使器件的电阻值异常变高的公知问题。作为其解决方法，主要公开了在铝膜或铝合金膜等金属膜与导电氧化膜之间设置其它金属膜，从而抑制电阻值增大的方法(例如，参照专利文献6、7)。
专利文献1特许第2597377号公报(第1图)专利文献2特开2001-291595号公报(图1)专利文献3特开2003-77681号公报(图1)专利文献4特开2003-288993号公报(图1)专利文献5特开2004-31324号公报(图5)专利文献6特开平6-196736号公报(第2-3页)专利文献7特开2000-77666号公报(第3页)发明内容本发明人在实验中，如图3所示的与透光性导电氧化膜的接触电阻对金属膜材质的依存性的图表所示，若作为比较例1表示的Cr的场合设为1，则得到作为传统例表示的将Al或Al合金膜与透光性导电氧化膜即ITO膜层叠时界面上的电接触电阻值，成为107倍的非常大值的结果。因而，仅以在底层即Al合金膜上只层叠ITO膜的结构构成阳极时，也同样在界面形成电绝缘体即氧化物反应层，因此存在显著降低对有机EL层的孔穴注入效率的问题。为解决该问题，采用在导电氧化膜与Al合金膜之间追加其它金属膜的方法时，由于该金属难以在光反射率方面得到最优化，存在阳极上不能得到必要高的光反射率的问题。另外，作为高反射率材料，使用Ag膜或Ag合金膜时，由于这些材料化学性质非常活泼，在空气中表面氧化造成的反射率随时间的劣化大，用在实际工艺时存在困难。还有Al膜的场合，存在容易发生以凸起(hillock)为首的表面凹凸且在与夹着有机EL层相对的阴极之间容易发生短路模式故障或称为黑斑的显示不良的问题。在上述的专利文献中，并未公开对这些问题的解决对策，其实际应用基本不可能。
本发明为解决上述问题构思而成，其目的在于在可取大发光开口面积的顶面发射型的有机电致发光型显示装置中，进一步提高发光效率并取得亮的显示图像，从而提供设有工艺加工性优秀且具备良好的表面平坦性、高光反射率及高孔穴注入效率的阳极的有机电致发光型显示装置。
本发明的有机电致发光型显示装置的特征在于采用顶面发射型，在衬底上TFT和至少阳极、电场发光层以及阴极按该顺序层叠的有机EL元件，形成于显示区域的各像素上，同时所述阳极是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜和在其顶层层叠透光性导电氧化膜的至少二层膜构成。
将阳极形成为在Al中作为杂质至少包含由VIII族3d过渡金属即Fe、Co、Ni中选择的一种以上元素的Al合金膜和在其顶层层叠透光性导电氧化膜的至少二层膜，因此能够防止在Al合金膜与透光性导电氧化膜的界面上发生电绝缘性的界面反应层，从有机EL元件发生的光的反射效率高，且能够提高对有机EL层的孔穴注入效率，能够得到发光效率高且具有亮显示图像的有机电致发光型显示装置。
图1是表示本发明电致发光型显示装置的像素部的剖视图。
图2是说明本发明电致发光型显示装置的制造方法的剖面工序图。
图3表示本发明与传统比较例的透光性导电氧化膜与阳极金属膜的接触电阻的值。
图4表示Al-Ni膜的反射率对Ni组分依存性。
图5表示AlN膜的反射率对N组分依存性。
图6表示Al膜的反射率和透射率与膜厚的关系。
(符号说明)1 绝缘性衬底，2 SiN膜，3 SiO2膜，4 非晶硅膜，5 栅极绝缘膜，6 栅电极，7 多晶硅膜，7a 沟道区，7b 源极区，7c 漏极区，8 第一层间绝缘膜，9、10 接触孔，11 源电极，19 漏电极，13 第二层间绝缘膜，14 接触孔，15 平坦化膜，16 阳极，16a Al合金膜，16b 非晶质ITO膜，17 分离膜，18 电场发光层，18a 孔穴传送层，18b 有机EL层，18c 电子传送层，19 阴极，20 粘接层，21 对置玻璃衬底。
具体实施例方式
以下，参照附图，就构成本发明有机电致发光型显示装置的TFT有源矩阵衬底以及它们的制造方法进行说明。
实施例1图1是表示构成本发明实施例1的有机电致发光型显示装置的TFT衬底和在其顶部上形成的有机EL元件的像素部的剖视图。图1中，在绝缘性衬底1上形成的透射性绝缘膜即SiN膜2、SiO2膜3上设有包括沟道区7a、源极区7b、漏极区7c的多晶硅膜7。覆盖SiO2膜3或多晶硅膜7地形成栅极绝缘膜5，其顶层上形成栅电极6、由SiO2等构成的第一层间绝缘膜8。源电极11和漏电极12在第一层间绝缘膜8上，各自经由接触孔9、10连接到源极区7b、漏极区7c，基于以上结构形成薄膜晶体管。还有，其顶层上形成由SiN或SiO2等构成的第二层间绝缘膜13及为使表面平坦而由有机树脂构成的平坦化膜15。
在平坦化膜15上，在第一阳极即Al合金膜16a的顶层上作为第二阳极层叠透光性的导电氧化膜即非晶质ITO膜16b而形成阳极16，阳极16经由设于平坦化膜15的接触孔14连接到底层的漏电极12。将阳极16上的一部分开口，其覆盖阳极16和平坦化膜15的是分离膜17，分离膜17为使相邻的像素(未图示)间分离而在像素周围如镜框那样堤状形成，在其开口的区域的非晶质ITO膜16b上形成的是由有机EL材料构成的电场发光层18。电场发光层18在阳极16的正上方依次层叠孔穴传送层18a、有机EL层18b、电子传送层18c等三层构成。还有，可采用追加夹于孔穴传送层18a与阳极16之间的孔穴注入层(未图示)，或在电子传送层18c正上方层叠的电子注入层(未图示)中至少一层的公知结构，这时的电场发光层18可由四层或五层结构形成。覆盖分离膜17、电场发光层18地形成的是阴极19和粘接层20。阴极19用ITO等形成，根据与阳极16之间的电位差，使得在电场发光层18上流过电流，粘接层20用以截断水分或杂质到电场发光层18。在粘接层20上与绝缘性衬底1相对地形成对置衬底21。
在图1所示的有机电致发光型显示装置中，来自源电极11的信号电压经由漏电极12施加到阳极16，根据与阴极19之间的电压差，在电场发光层18中流过电流，使有机EL层18b发光，因此能够得到显示所需要的光。在本发明的实施例1中，阳极16通过将光反射率高的Al中包含至少由VIII族3d过渡金属即Fe、Co、Ni中选择的一种以上金属作为杂质的Al合金膜16a和其顶层上层叠非晶质ITO膜16b的至少二层膜来形成，因此在Al合金膜16a与非晶质ITO膜16b的界面上，不存在例如氧化铝等电绝缘性界面反应层。还有，若设Al合金膜16a中上述杂质的组分为0.5at％以上15at％以下，则能够得到光反射率高的阳极16。因此，从有机EL元件发射的光的反射率高，此外能够提高对电场发光层18的孔穴注入效率，因此能够得到发光效率高且具有亮的显示图像的有机电致发光型显示装置。
以下，参照图2，就有机电致发光型显示装置的制造方法进行详细说明。图2是说明构成本发明有机电致发光型显示装置的TFT衬底和在其顶部形成的有机EL元件的制造方法的剖视图。
以下，参照图2，就TFT衬底和在其顶部形成的有机EL元件的制造方法之一实施例进行说明。还有，为了简化说明，仅示出p型晶体管。
参照图2(A)，利用等离子CVD(chemical vapor deposition)法，在绝缘性衬底1的主表面上依次形成SiN膜2、SiO2膜3及非晶硅膜4。
还有，在形成非晶硅膜4后，为降低非晶硅膜4中含有的H(氢)浓度而可实施热处理。这种情况下，能够在后续的激光退火工序中，防止因非晶硅膜4中的氢崩沸而发生断裂。
接着，使受激准分子激光器(波长308nm)的激光朝非晶硅膜4照射。这时，激光通过预定光学系统变换成线上的光束波形后，向非晶硅膜4照射。根据该激光退火工序，将非晶硅膜4成为多晶体，形成多晶硅膜7。
还有本实施例中，作为将非晶硅膜4成为多晶体的手段，采用脉冲型受激准分子激光器，但并不限于此。例如，可使用YAG激光器或CW激光器(continuous-wave laser)，且实施热退火也可。实施热退火时，如果使用Ni(镍)等触媒，能够得到粒径更大的多晶硅膜7。
参照图2(B)，在多晶硅膜7上形成具有预定开口图案的抗蚀剂膜(未图示)。以该抗蚀剂膜作为掩模，将多晶硅膜7蚀刻，将多晶硅膜7作成预定形状。然后，除去抗蚀剂膜。
接着，用等离子CVD法，形成覆盖多晶硅膜7的栅极绝缘膜5。接着用溅镀法，在栅极绝缘膜5上成膜用以形成栅电极6的金属膜。在该金属膜上，形成具有预定开口图案的抗蚀剂膜(未图示)。以该抗蚀剂膜作为掩模，将金属膜蚀刻，从而形成栅电极6。然后，除去抗蚀剂膜。
利用离子掺杂法，按预定用量将硼向多晶硅膜7注入。这时，栅电极6成为掩模，硼注入多晶硅膜7两端，从而在多晶硅膜7上形成源极区7b和漏极区7c。未注入硼的部位成为沟道区7a。
参照图2(C)，在栅极绝缘膜5上形成覆盖栅电极6的第一层间绝缘膜8。在第一层间绝缘膜8上形成具有预定开口图案的抗蚀剂膜(未图示)。以抗蚀剂膜作为掩模，对第一层间绝缘膜8及栅极绝缘膜5进行蚀刻，形成分别到达源极区7b和漏极区7c的接触孔9、10。然后，除去抗蚀剂膜。
参照图2(D)，在第一层间绝缘膜8上形成具有预定形状的源电极11、漏电极12，以分别经由接触孔9、10连接到源极区7b、漏极区7c。在形成源电极11和漏电极12后，使之在氢等离子气氛中曝露30分钟。通过该工序，能用H终结多晶硅膜7中存在的缺陷，并能形成可靠性高且性能高的晶体管。
接着，用等离子CVD法，在第一层间绝缘膜8上形成覆盖源电极11、漏电极12的第二层间绝缘膜13。在该第二层间绝缘膜13上，形成具有预定开口图案的抗蚀剂膜(未图示)。以该抗蚀剂膜为掩模，将层间绝缘膜蚀刻，形成到达漏电极12的接触孔14。然后，除去抗蚀剂膜。
参照图2(E)，在第二层间绝缘膜13上形成到达漏电极12的具有开口部的平坦化膜15，与接触孔14的一部分或全部重叠。作为平坦化膜15采用有机树脂膜，例如用旋涂法将光透射性的丙烯酸类感光树脂膜即JSR制的产品名PC335涂敷成约2μm膜厚，且用光刻法形成到达漏电极12的开口部。为固化平坦化膜15而在220℃下实施退火处理。通过形成平坦化膜15，覆盖栅电极6或源电极11、漏电极12等的表面凹凸，能够使阵列表面平坦。
接着，作为阳极16的第一阳极，通过利用在铝(Al)中添加镍(Ni)的靶材的溅镀法，成膜50nm厚的向铝(Al)中作为杂质添加镍(Ni)2at％的Al合金膜16a，接着作为第二阳极，成膜20nm厚的透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜16b。然后通过照相制版工序，形成具有预定开口的抗蚀剂膜，并将该抗蚀剂膜作为掩模，利用含有草酸的溶液、接着含有磷酸+硝酸+醋酸的溶液，依次将非晶质ITO膜16b、Al合金膜16a蚀刻。然后，除去抗蚀剂。
这里，作为杂质向Al添加了Ni，但并不限于Ni，可添加其它VIII族3d过渡金属即Fe、Co的任一种或一种以上。通过向Al添加一种以上VIII族3d过渡金属，能够抑制与在顶层层叠的透光性导电氧化膜的界面上形成绝缘性氧化物反应层，并能防止降低孔穴注入效率。其添加量最好为0.5at％以上且15at％以下。图3所示的与透光性导电氧化膜的接触电阻值对阳极金属膜材质的依存性如本实施例A所示，在Al中添加Ni的Al合金膜上层叠ITO膜时的接触电阻，与表示未添加Ni的Al膜与ITO膜层叠时的接触电阻的传统例相比显著减小，且与比较例1和比较例2所示的将高熔点金属即Mo或Cr与ITO层叠时的接触电阻大致相同。通过将Ni添加0.5at％以上，抑制在Al合金膜16a与透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜16b之间形成的绝缘性氧化物反应层的生成，能够得到良好的电接触特性。另一方面，设Ni的添加量为15at％以下时，可由表示在波长550nm的Al合金膜的光反射率对Ni组分依存性的图4清楚得知，能够使Al合金膜的光反射率达到比较例1、2所示的Cr或Mo的光反射率同等以上，因此通过反射来自电场发光层18的光，增大其作为显示光作贡献的效果。
或者，对Al作为杂质可添加N。其添加量最好在5at％以上且26at％以下。如图3的本实施例B所示，对Al添加N的Al合金膜上层叠ITO膜时的接触电阻，略高于比较例所示的将高熔点金属即Mo或Cr与ITO层叠时的接触电阻，与未添加N的传统例相比显著减小。通过添加N，能够抑制Al合金膜16a与透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜16b之间形成的绝缘性氧化物反应层的生成，并能得到良好的电接触特性。另一方面，对Al的N添加量在26at％以下时，可由表示在波长550nm的Al合金膜的光反射率对N组分依存性的图5清楚得知，能够使Al合金膜的光反射率达到比较例1、2所示的Cr或Mo的光反射率同等以上，因此通过反射来自电场发光层18的光，增大其作为显示光作贡献的效果。
另外，作为添加N的区域，最好是与非晶质ITO膜16b相接的区域，即靠近Al合金膜16a表面的顶层部。这时，能够得到Al合金膜16a的良好的导电性和与非晶质ITO膜16b的良好的电接触特性，因此能够进一步防止降低孔穴注入的效率。为形成这种结构，例如用溅镀法成膜Al合金膜16a时，可在临近Al合金膜表面部的成膜时，向Ar等溅镀气体中添加氮气。还有，对Al添加N和Ni的Al合金膜中也能得到同样的效果。
还有，最好向上述Al合金膜16a添加Cu、si、Y、Nd的至少一种杂质。通过添加这些杂质，能够提高Al合金膜16a的耐热性，能够抑制以凸起为首的表面凹凸的发生。由于能够防止由表面凹凸造成的与阴极的电气短路，能够抑制发生所谓黑斑等显示不良，提高了显示品质。
本实施例1中，Al合金膜16a的膜厚设为50nm，但可为10nm以上200nm以下。图6中示出波长550nm时Al膜的膜厚对Al膜的光反射率和光透射率的依存性。由图6可知，Al合金膜的膜厚在10nm以上时，能够充分减小光透射分量，并能使Al合金膜的光反射率成为比较例1、2所示的Cr或Mo的光反射率的同等以上，因此通过反射来自电场发光层18的光，增大其作为显示光作贡献的效果。另外，Al合金膜的膜厚变厚，颗粒尺寸较大且表面凹凸变粗，因此作为有机电致发光显示装置的阳极使用时，引起电场发光层18的被覆不良，成为与阴极的短路故障等的原因。作为表面光滑性的指针，平均粗糙度Ra优选1.0nm以下，因此Al合金膜16a膜厚优选200nm以下。
另外将非晶质ITO膜16b的膜厚设为20nm，但并不限于此，可为3.5nm以上的膜厚。若为3.5nm以上的膜厚，能够形成以层状生长的均匀的膜，具有能够防止因膜缺陷造成的显示不良的效果。
ITO膜16b具有提高孔穴注入效率的作用外，还作为从图1所示的电场发光层18发射的光在阳极16的Al合金膜16a表面反射时的光学路径要素之一起作用。因而，考虑其来自发光层即有机EL层18b的光直接向阴极19侧发射的分量和在阳极16的Al合金膜16a反射后向阴极19侧发射的分量之干涉效果，最好设定ITO膜16b的膜厚，以得到高发光效率。还有，如后述那样在电场发光层18上的有机EL层18b的底层形成孔穴传送层18a等膜时，最好基于这些膜与ITO膜16b的层叠结构的光学路径，分别设定这些层的膜厚。
通过照相制版工序形成具有预定开口的抗蚀剂膜并以它为掩模，利用含有草酸的溶液、接着含有磷酸+硝酸+醋酸的溶液，依次将按上述那样优选的膜厚成膜的透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜16b和Al合金膜16a的层叠膜蚀刻，加工成所要的图案。在利用含有磷酸+硝酸+醋酸的溶液的蚀刻中，非晶质ITO膜16b的蚀刻速度慢于Al合金膜16a，因此阳极16图案的边缘部的剖面部成为帽舌形状。即，非晶质ITO膜16b的图案比底层即Al合金膜16a的图案仅多出帽舌部分，成为将Al合金膜16a的图案包含的形状。在留下这样的帽舌形状的状态下形成图1所示的分离膜17时，在帽舌的底部形成洞，因此在此处包含的水分或气泡等杂质有可能引起图1所示的电场发光层18的劣化。
另一方面，可在除去抗蚀剂膜之前追加用含有草酸的溶液的蚀刻工序。草酸具有蚀刻非晶质ITO膜16b而不蚀刻Al合金膜16a的选择性，因此通过这样的处理，在阳极16的图案边缘部中通常形成的非晶质ITO膜16b的帽舌形状得到改善，能够形成为大致直线状或如图2(E)所示的台阶状，因此能够提高其后形成的分离膜17的被覆性，并可防止包含可能引起电场发光层18之劣化的杂质。
这里，透光性导电氧化膜采用非晶质ITO膜16b，但并不限于此，可为氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)以及混合这些氧化物的材料。这些可在磷酸+硝酸+醋酸中被蚀刻，因此可与Al合金膜16a的蚀刻统一处理，具有能够简化工艺的效果。还有，与ITO膜或In2O3膜、SnO2膜相比，ZnO膜与Al合金膜16a的界面反应性低，界面的凝聚物发生较少。该界面凝聚物不仅引起显示屏的显示不良，而且因显示屏的连续点亮而促进该凝聚物的生成。因而，抑制这种界面凝聚物的生成，对显示屏的高显示品质以及高可靠性而言具有很大帮助。
还有，可采用混合氧化铟、氧化锡、氧化锌的材料(ITZO)。在ITZO膜的场合，与ZnO膜的场合同样，与Al合金膜的界面反应性低，对界面凝聚物生成的抑制效果大。还有在ITZO膜的场合，与非晶质ITO膜同样，通过热处理来结晶化，因此具有提高了化学稳定性的效果。
接着，参照图2(F)，为确保将图1所示的电场发光层18与各像素部分离地形成的区域，经涂敷形成由聚酰亚胺等构成的有机树脂膜后，通过照相制版工序形成分离膜17。分离膜17设成可包围各像素区域的镜框形状，作为使相邻的像素(未图示)间分离的堤状的凸部形成。形成分离膜17的有机树脂膜厚最好采用对有机EL层18b的特性或可靠性上不产生负面影响的吸水性少的聚酰亚胺类材料。本实施例1中将TORAY INDUSTRIES公司制的产品名DL100涂敷成约2μm的膜厚，通过照相制版工序形成镜框形状的分离膜17。
接着，参照图2(G)，利用蒸镀等方法将成为电场发光层18的有机材料形成在像素区域。本实施例中，作为电场发光层18依次层叠孔穴传送层18a、有机EL层18b、电子传送层18c来形成。作为孔穴传送层18a，可广泛采用公知的三芳基胺类、芳族腙类、芳族取代吡唑啉类、1，2-二苯乙烯类等的有机材料，例如将N，N-二苯基-N，N-二(3-甲基苯基)-1，1’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)等以1～200nm的膜厚形成。作为有机EL层18b，将公知的二氰基亚甲基吡喃(dicyanomethylenepyrane)衍生物(红色发光)、香豆素类(绿色发光)、喹吖酮类(绿色发光)、四苯丁二烯类(蓝色发光)、联苯乙烯基苯类(蓝色发光)等材料以1～200nm的厚度形成。作为电子传送层18c，将由公知的噁二唑衍生物、三唑衍生物、香豆素衍生物等中选择的材料以0.1～200nm的膜厚形成。
上述实施例中电场发光层18采用依次层叠孔穴传送层18a、有机EL层18b、电子传送层18c的结构，但为了进一步提高电场发光层18的发光效率，孔穴传送层18a可采用孔穴注入层和孔穴传送层的二层，且电子传送层18c可采用电子传送层和电子注入层的二层的公知结构。
接着，作为阴极19是用溅镀法将透明导电膜即ITO膜形成为100nm的厚度。阴极19与像素区域中底层的电场发光层18连接，同时经由接触孔(未图示)连接到底层的阴极接地用电极(未图示)。阴极19的膜面最好具有高平坦性。从而，最好形成其膜组织中无晶界的非晶质ITO膜。非晶质ITO膜例如能够通过在Ar气体中混合H2O气体后的气体中溅镀来形成。另外，还可采用混合氧化铟和氧化锌的IZO膜或在ITO膜上混合氧化锌的ITZO膜。
最后，为防止因水分或杂质造成的电场发光层18发光特性的劣化，将在相对的玻璃衬底21之间形成电场发光层18的整个像素显示区域，用粘接层20来覆盖，完成本发明实施例1的有机电致发光型显示装置。
还有，在上述实施例中，作为驱动像素的开关元件即TFT的半导体膜，采用了多晶硅膜7，但并不限于此，可采用非晶硅膜。另外TFT的结构也并不限于本实施例1中图示的顶面栅极型，可为例如底面栅极反向交错型等结构。另外，本实施例1中，仅图示一个TFT，但可按每个像素有多个TFT。
权利要求
1.一种顶面发射型的有机电致发光型显示装置，其特征在于在衬底上的显示区域的各像素上，形成薄膜晶体管，由有机树脂构成的平坦化膜，以及在该平坦化膜上至少依次层叠阳极、电场发光层及阴极的有机EL元件，同时所述阳极是铝中作为杂质至少添加一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜和在其顶层层叠透光性导电氧化膜的至少二层膜构成。
2.如权利要求1所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述Al合金膜中包含的VIII族3d过渡金属的组分比为0.5at％以上15at％以下。
3.一种顶面发射型的有机电致发光型显示装置，其特征在于在衬底上的显示区域的各像素上，形成薄膜晶体管，由有机树脂构成的平坦化膜，以及在该平坦化膜上至少依次层叠阳极、电场发光层及阴极的有机EL元件，同时所述阳极是铝中作为杂质至少添加氮原子的Al合金膜和在其顶层层叠透光性导电氧化膜的至少二层膜构成。
4.如权利要求3所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述Al合金膜中包含的氮原子的组分比为5at％以上26at％以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述Al合金膜还包含从Si、Cu、Y及Nd选择的至少一种以上的杂质。
6.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述Al合金膜的厚度为10nm以上200nm以下。
7.如权利要求5项所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述Al合金膜的厚度为10nm以上200nm以下。
8.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由氧化铟、氧化锡、氧化锌或者将氧化锡、氧化锌中至少一种氧化物与氧化铟混合的材料等中的任一种材料构成。
9.如权利要求5所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由氧化铟、氧化锡、氧化锌或者将氧化锡、氧化锌中至少一种氧化物与氧化铟混合的材料等中的任一种材料构成。
10.如权利要求6所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由氧化铟、氧化锡、氧化锌或者将氧化锡、氧化锌中至少一种氧化物与氧化铟混合的材料等中的任一种材料构成。
11.如权利要求7所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由氧化铟、氧化锡、氧化锌或者将氧化锡、氧化锌中至少一种氧化物与氧化铟混合的材料等中的任一种材料构成。
12.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由将氧化铟、氧化锡、氧化锌混合的氧化物构成。
13.如权利要求5所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由将氧化铟、氧化锡、氧化锌混合的氧化物构成。
14.如权利要求6所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由将氧化铟、氧化锡、氧化锌混合的氧化物构成。
15.如权利要求7所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜由将氧化铟、氧化锡、氧化锌混合的氧化物构成。
16.如权利要求8所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜的膜厚为3.5nm以上。
17.如权利要求12所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于所述透光性导电氧化膜的膜厚为3.5nm以上。
18.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光型显示装置，其特征在于至少由所述Al合金膜与所述透光性导电氧化膜构成的所述阳极的图案的边缘部剖面形状为大致直线状，或者台阶状。
全文摘要
作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。
文档编号H05B33/28GK1825622SQ20061000880
公开日2006年8月30日 申请日期2006年2月14日 优先权日2005年2月25日
发明者长山显祐, 石贺展昭, 井上和式, 竹口彻, 渕上宏幸 申请人:三菱电机株式会社