有机电致发光元件及其制造方法

专利名称：有机电致发光元件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光元件(以下有时称作“有机EL元件”)及其制造方法。
背景技术：
以往，在具有多个有机EL元件作为像素的显示装置的制造中，公开有如下有机电 致发光元件，该有机电致发光元件是在基板上旋涂(spincoating)含有聚(3，4)乙烯二氧 嚷盼 / 聚苯乙炼石黄酸酉旨(poly (3，4-ethylenedioxythiophene)/polystyrene sulfonate) 的溶液，并设置作为空穴注入层的有机基底层之后，在该有机基底层上设置提岸(bank)而 成的(专利文献1)。专利文献1 日本特开2004-235128号公报然而，在利用光刻法(photolithography)形成提岸时，即在设置光刻胶 (photoresist)层后对该层进行曝光、显影而去除层的一部分的工序中，存在下述问题有 机EL元件的空穴注入层的厚度会变得不均勻，损伤发光特性，进而损伤显示品质。

发明内容
本发明的目的在于提供一种发光特性良好、进而可使显示品质良好的有机EL元 件，及可容易地形成该有机EL元件的制造方法。为了解决上述课题，本案发明者进行了潜心研究，结果发现若使用特定的有机基 底层，则即使在有机基底层上设置提岸(划分像素区域的格子状隔壁)，也不会损伤有机基 底层，其结果，可容易地形成能够获得发光强度的不均少的良好的发光特性、进而显示品质 的有机EL元件，从而完成了本发明。S卩，通过本发明可提供下述方案[1] 一种有机电致发光元件，其包括基板；设置在上述基板的面的至少一部分区 域上的第一电极层；设置在上述第一电极层的面的至少一部分区域上，且包含不溶于水的 有机材料的有机基底层；设置在上述有机基底层上，且以使上述有机基底层上具有多个像 素区域的方式配置的提岸；设置在上述有机基底层上且上述像素区域内的有机发光层；及 设置在上述有机发光层上的第二电极层。[2]如[1]所述的有机电致发光元件，其中，上述有机基底层为空穴注入层。[3]如[1]所述的有机电致发光元件，其具有第一有机基底层及层叠于其上的第 二有机基底层来作为上述有机基底层，上述第一有机基底层为空穴注入层，上述第二有机 基底层为中间层(inter layer)。[4]如[1]至[3]中任一项所述的有机电致发光元件，其中上述有机基底层的电阻 率大于等于IX ο1。Ω Cm。[5]如[1]至[4]中任一项所述的有机电致发光元件，其中上述不溶于水的有机材 料为交联高分子化合物。
[6] 一种有机电致发光元件的制造方法，其是[1]至[5]中任一项所述的有机电致 发光元件的制造方法，其中准备基板，在上述基板的面的至少一部分区域上设置第一电极 层，在上述第一电极层的至少一部分区域上设置有机基底层，在上述有机基底层上设置提 岸，在由上述提岸所规定的像素区域内设置有机发光层，及在上述有机发光层上设置第二 电极层。本发明的有机EL元件在提岸之下具有有机基底层来作为发光元件的层叠结构的 一部分。进而使用不溶于水的有机材料作为该有机基底层。因此，可使有机EL元件的发光 特性、进而显示品质更加良好。另外，利用本发明的有机EL元件的制造方法，可容易地制造 具有上述构成的本发明的有机EL元件。


图1是表示本发明的有机EL元件的制造方法的一例中的制造工序的剖面图。图2是表示继图1所示的制造工序后的制造工序的剖面图。图3是表示本发明的有机EL元件的一例的一部分构成的剖面图。图4是表示本发明的有机EL元件的另外一例的一部分构成的剖面图。图5是表示本发明的有机EL元件的一例中的基板及电极的位置关系的立体图。图6是表示本发明的有机EL元件的另外一例的一部分构成的剖面图。图中111-基板，121-第一电极层，122-第二电极层，131A-光刻胶层，131B-提岸， 132R-像素区域，141、641A、641B —有机基底层，142 一发光层。
具体实施例方式以下参照图对本发明的实施形态加以详细说明。再者，各图只是为了能够理解发 明而概略性地表示构成要素的形状、大小及配置的。本发明并不限定于以下描述，各构成要 素在未脱离本发明的主旨的范围内可进行适当变更。另外，在以下说明所使用的各图中，有 时对相同的构成要素标记相同的符号而省略重复的说明。本发明的有机EL元件包括基板；设置在上述基板的面的至少一部分区域上的第 一电极层；设置在上述第一电极层的面的至少一部分区域上的有机基底层；设置在上述有 机基底层上，且以使上述有机基底层上具有多个像素区域的方式配置的提岸；设置在上述 有机基底层上，且上述像素区域内的有机发光层；及设置在上述有机发光层上的第二电极层。1.基板作为用于本发明中的基板，可采用用于有机EL元件中的各种基板。在有机EL元 件的层构成的相关记载中，若无特别说明，则“上” “下”及“水平”方向是指将基板水平放 置，在其上方设置发光层及其它层时的位置关系。2.电极层本发明的有机EL元件包含设置在基板上的第一电极层、及设置在有机基底层及 发光层上的第二电极层来作为电极。将其中的一方作为阳极，将另一方作为阴极。将第一 电极层作为阳极的情况较多，但并不限定于此，也可将第二电极层作为阳极。
电极层的具体形状并无特别限制，可制成适于分段(segment)显示元件、点阵 (dot matrix)显示元件等的各种形状。较好的是可制成构成有源矩阵(active matrix)显 示元件或无源矩阵(passive matrix)显示元件等点阵显示元件的形状。第一电极层也可 设置在基板面的整个面上，但通常是根据用以构成多个像素的图案而设置在基板面上的一 部分区域上。将构成无源矩阵的电极层的形状的一例的概略图示于图5中。图5是表示本申 请的有机EL元件的一例中的基板及无源矩阵型电极的位置关系的立体图。该例中，在基 板111面上将第一电极层121设置成相互平行的线状，以与其交叉的形态设置第二电极层 122。可设置与各电极连接而用以施加电压而驱动显示装置的电路(未图标)。在第一电极 层121及第二电极层122的各个交点处可设置由后述的提岸所规定的像素区域(图5中未 图示)。3.有机基底层本发明的有机EL元件中，有机基底层设置在上述第一电极层的面的至少一部分 区域上。有机基底层设置在第一电极层的“至少一部分区域上”，是指有如下区域，该区域 中，在第一电极层的上侧的面上的至少一部分区域存在有机基底层。因此，既可为有机基 底层覆盖第一电极层的整个上表面，也可为有机基底层仅覆盖第一电极层的上表面的一部 分。其中，通常第一电极层中的属于后述像素区域的部分以有机基底层覆盖其整个面的方 式构成。另外，基板的面上的、并未被上述第一电极层覆盖的部分既可由有机基底层覆盖， 也可不由有机基底层覆盖。关于有机基底层，是指既可为仅由包含一个区域的有机基底层占据1片基板的 面上的一部分区域或全部区域的状态；另外，也可为将1片基板的面划分为多个区域，而有 机基底层的多个例如岛状的部分区域占据各个所划分出的区域、即有机基底层以包含相互 分离的多个部分区域的方式而设置的状态。在本发明的较佳形态中，有机基底层以覆盖包含基板上的多个像素区域的整个区 域面的方式设置，更好的是以覆盖包含基板上的全部像素区域的整个区域面的方式设置。 通过以上述形态设置有机基底层，可利用旋涂法等简便的方法来形成均勻的有机基底层。再次参照图5对上述有机基底层的结构加以说明，有机基底层(未图示)较好的 是以如下方式设置在包含以电极121及122的交点所表示的全部像素区域的区域IllC 中，遍及基板111的表面上的第一电极层121、及基板111的表面上的未形成第一电极层的 部分两者，而设置为一体的层。进而，参照图3对上述有机基底层的结构加以说明。图3是表示具有与图5相同 的无源矩阵型电极的本发明的有机EL元件的一例的一部分构成的剖面图。该例中，在基板 111上设置多个第一电极层121，遍及第一电极层121、及其间隙的未由第一电极层121所覆 盖的基板111表面两者，作为一体的层而连续地形成有机基底层141。通过形成上述构成， 可容易地利用旋涂法等简便方法在第一电极层上形成具有均勻厚度、且像素区域间的厚度 不均少的有机基底层。如图3所示，本发明的有机EL元件也可仅包含不具有层叠结构的1层有机基底层。
然而，如图6所示，本发明的有机EL元件既可包含具有层叠结构的2层以上的有 机基底层，进而也可包含3层以上的有机基底层。图6是表示本发明的有机EL元件的另外 一例的一部分构成的剖面图。在图6所示的例子中，有机EL元件具有覆盖基板111及第一电极层121两者的 第一有机基底层641A及层叠于其上的第二有机基底层641B这两层。若将有机基底层设 置为3层以上的层，则有电极与提岸的间隔增大，而可能导致与邻接的像素区域的干扰 (crosstalk)，因而较好的是可设为1层或2层。如上所述，在将基板的面划分为多个区域，各个不同的有机基底层(部分区域)占 据各个区域而设置包含多个部分区域的有机基底层时，该所划分出的各个部分区域中可具 有1层有机基底层、或者层叠有2层以上的有机基底层。本发明的有机EL元件中的有机基底层，可具有构成有机EL元件所需的层、即第一 电极层以外的任一层的功能。通常可形成为在有机EL元件中形成于电极与发光层之间的 层的一部分层或所有层。例如，当第一电极层为阳极时，有机基底层可形成为空穴注入层、中间层及空穴输 送层中的1层以上。在更好的形态中，本发明的有机EL元件可仅具有1层空穴注入层作为 有机基底层；或具有第一有机基底层及层叠于其上的第二有机基底层，将第一有机基底层 作为空穴注入层，将第二有机基底层作为中间层。另一方面，当第一电极层为阴极时，有机基底层可形成为电子注入层、中间层及电 子输送层中的1层以上。在更好的形态中，本发明的有机EL元件可仅具有1层电子注入层 作为有机基底层；或具有第一有机基底层及层叠于其上的第二有机基底层，将第一有机基 底层作为电子注入层，将第二有机基底层作为中间层。本发明中，有机基底层的电阻率较好的是大于等于lXliTQcm。此处，有机基底 层的电阻率可利用电阻率计(例如DIA INSTRUMENTS公司制LORESTA GP MCP-T610型)进 行测定。本发明中，有机基底层包含不溶于水的有机材料。有机基底层包含多个层时，至少 最上面的与提岸接触的层、较好的是所有的层包含不溶于水的有机材料。本发明中所使用 的有机基底层包含不溶于水的有机材料，因而即使在有机基底层上涂布含有水的溶液时， 该层的膜厚基本上也不会减少。作为不溶于水的有机材料，较好的是溶解于Ig水中的量小 于等于0. Img,更好的是小于等于0. Olmg,更好的是小于等于0. OOlmgo本发明中，通过将构成元件的层的1层以上作为有机基底层而设置在提岸之下， 而具有可利用旋涂法等简易成膜方法来形成的优点，并且通过采用不溶于水的材料作为有 机基底层，而即使在其后的提岸形成工序中也不会损伤有机基底层，其结果可获得良好的 发光特性，进而可获得高品质的显示性能。4.提岸(bank)本发明中，当提岸设置在有机基底层上、将有机基底层划分为多个部分区域时，该 提岸在有机基底层的各个部分区域上规定多个像素区域。此处，在有机基底层的“各个部分 区域上规定多个”像素区域，是指当设置在基板上的有机基底层具有相互分离的多个部分 区域时，在各个部分区域上规定多个像素区域。当有机基底层在基板上仅作为1个区域而 存在时，当然于其上规定全部的像素区域。通过形成为上述构成，而在本发明的有机EL元件中，相邻接的多个像素中的有机基底层形成为一体。即，在基板表面上的相邻接的多个像 素、较好的是基板表面上的全部像素所存在的一个区域中，有机基底层并不具有另一个部 分区域，而是连续地形成为一体的层。再次参照图3的例子对上述构成加以说明，提岸131B以在上下存在电极121及 122的矩形区域132R内规定像素区域的方式包围其周围而设置在有机基底层141上。艮口， 由提岸包围周围，提岸不存在的区域132R成为像素区域，在有机基底层141的相互分离的 多个部分区域中的一个上规定多个像素区域132R。5.有机发光层本发明中，有机发光层设置在由提岸所规定的像素区域内。并且，通过在以上述方 式所设置的有机发光层上进一步形成上述第二电极层，可构成有机EL元件。参照图3的例 子进行说明，有机发光层142是以填充在由提岸131B所规定的像素区域132R内的形状而 设置，经由有机基底层141而层叠在第一电极层121上。在其上以与第一电极层121正交 的方式而设置第二电极层122，由此可构成在第一电极层及第二电极层之间层叠着有机基 底层及发光层的有机EL元件。6.密封构件如图5所示，本发明的有机EL元件进而可以夹持上述各层的方式在基板的相对侧 具有用以密封的构件。图5是表示本发明的有机EL元件的一例中的基板及电极的位置关 系的立体图。密封构件，例如经由设置在包含像素区域的区域IllC的周边区域IllS的胶粘层 而与基板111贴合，由此可将构成元件的各层密封。7.其它构成要素如图4所示，本发明的有机EL元件除了上述构成要素以外，进而也可具有其它构 成要素。图4是表示本发明的有机EL元件的另一例的一部分构成的剖面图。具体而言，例如在由提岸所规定的像素区域内除了有机发光层以外，进而也可具 有1层以上的其它层。对于本发明的有机EL元件而言，例如是以除了有机基底层141及有 机发光层142以外、进而设置有其它层143的三层来构成第一电极层121与第二电极层122 之间的层叠结构140。以下对由上述必需构成要素及任意构成要素所构成的本发明的有机EL元件的层 的构成进行更加具体的说明。一般而言，有机EL元件至少具有1对电极(阳极及阴极)，在其间至少具有有机发 光层。在阳极与有机发光层之间可任意地具有空穴注入层，进而在有机发光层与空穴注入 层(存在空穴注入层时)或阳极(不存在空穴注入层时)之间可任意地具有中间层、空穴 输送层中的1层以上。另一方面，在阴极与有机发光层之间可任意地具有电子注入层，进而 在有机发光层与电子注入层(存在电子注入层时)或阴极(不存在电子注入层时)之间可 任意地具有中间层、电子输送层中的1层以上。即，有机EL元件可具有下述层构成a)，或者 也可具有自层构成a)中省略了空穴注入层、空穴输送层、中间层、电子输送层、电子注入层 的1层以上的层构成。a)阳极一空穴注入层一(空穴输送层及/或中间层)一发光层一(电子输送层及 /或中间层)一电子注入层一阴极
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此处，符号“一”表示将各层邻接层叠。“(空穴输送层及/或中间层)”表示仅包 含空穴输送层的层、仅包含中间层的层、空穴输送层一中间层的层构成、中间层一空穴输送 层的层构成、或其它的分别包含一层以上的空穴输送层及中间层的任意的层构成。“(电子 输送层及/或中间层)”表示仅包含电子输送层的层、仅包含中间层的层、电子输送层一中 间层的层构成、中间层一电子输送层的层构成、或其它的分别包含一层以上的电子输送层 及中间层的任意的层构成。以下的层构成的说明也相同。进而，有机EL元件可在一个层叠结构中具有2层发光层。在此情况下，有机EL元 件可具有下述层构成b)，或者也可具有自层构成b)中省略了空穴注入层、空穴输送层、中 间层、电子输送层、电子注入层的1层以上的层构成。b)阳极一空穴注入层一(空穴输送层及/或中间层)一发光层一(电子输送层及 /或中间层)一电子注入层一电极一空穴注入层一(空穴输送层及/或中间层)一发光层一 (电子输送层及/或中间层)一电子注入层一阴极进而，有机EL元件可在一个层叠结构中具有3层以上的发光层。在此情况下，有 机EL元件可具有下述层构成c)，或者也可具有自层构成c)中省略了空穴注入层、空穴输送 层、中间层、电子输送层、电子注入层的1层以上的层构成。c)阳极一空穴注入层一(空穴输送层及/或中间层)一发光层一(电子输送层及 /或中间层)一电子注入层一重复单元A—重复单元A· —阴极此处，“重复单元A”表示电极一空穴注入层一(空穴输送层及/或中间层)一发光 层一(电子输送层及/或中间层)一电子注入层的层构成的单元。本发明的有机EL元件也可形成为与上述一般有机EL元件可采用的层构成相同的 层构成。并且，将第一电极层作为阳极时，可将靠近阳极侧的1层以上、较好的是1层或2 层作为有机基底层，可将比其更远离阳极的层设置在由提岸所规定的像素区域内。另一方 面，将第一电极层作为阴极时，可将靠近阴极侧的1层以上、较好的是1层或2层作为有机 基底层ο作为本发明的有机EL元件的层构成的较佳具体例，可举出下述者。下述中，以符 号 <> 所包围的要素是表示设置为有机基底层的层，作为其它要素且电极以外的要素是表 示设置在由提岸所规定的像素区域内的层。d)阳极一< 空穴注入层 >一有机发光层一阴极e)阳极_<空穴输送层>_有机发光层一阴极f)阳极_<中间层>_有机发光层一阴极g)阳极_<空穴注入层一空穴输送层>_有机发光层一阴极h)阳极_<空穴注入层一中间层>_有机发光层一阴极i)阳极_<空穴注入层>_空穴输送层一中间层一有机发光层一阴极j)阳极_<空穴输送层>_中间层一有机发光层一阴极k)阳极_<空穴注入层一空穴输送层>_中间层一有机发光层一阴极d2) k2)在上述d) k)中，在有机发光层与阴极之间进而具有电子注入层者。d3) k3)在上述d) k)中，在有机发光层与阴极之间进而具有中间层一电子输 送层者。d4) k4)在上述d2) k2)中，在有机发光层与电子注入层之间进而具有中间层一电子输送层者。再者，如上述例示中所示，当存在中间层时，较好的是中间层与发光层相邻接。本发明的有机EL元件进而为了提高与电极的密接性或改善自电极注入电荷(即 空穴或电子)，也可设置与电极相邻接且膜厚小于等于2nm的绝缘层；另外，为了提高界面 的密接性或防止混合等，也可在电荷输送层(即空穴输送层或电子输送层)或有机发光层 的界面中插入薄缓冲(buffer)层。关于所层叠的层的顺序或数量、以及各层的厚度，可鉴于发光效率或元件寿命而 加以适当使用。将本发明的有机EL元件构成为自基板侧发出光的底部发光(bottomemission)型 显示装置用元件时，可至少使比有机发光层更靠近基板侧的所有层为透明或半透明。另一 方面，当构成为自与基板相反的面侧发出光的顶部发光(top emission)型显示装置用元件 时，可至少使比有机发光层更靠近第二电极层侧的所有层为透明或半透明。例如，当图3所示的有机EL元件为底部发光型显示装置用元件时，可以使比有机 发光层142更靠近基板侧的所有层、即有机基底层141、第一电极层121及基板111全部为 透明或半透明的方式来构成元件。另一方面，当图3所示的有机EL元件为顶部发光型显示 装置用元件时，可以使比有机发光层142更靠近第二电极层侧的所有层、即第二电极层122 及密封构件(未图示)全部为透明或半透明的方式来构成元件。此处，透明或半透明较好 的是自发光层至发出光的层为止的可见光透射率大于等于40%。在要求紫外区域或红外区 域的发光的元件的情况下，较好的是在该区域具有40%以上的透射率。本发明的有机EL元件进而视需要可具有滤色片(color filter)或荧光转换滤光 片等滤光片、驱动像素所需的配线等用以构成显示元件的任意构成要素。8.构成各层的材料其次，对构成本发明的有机EL元件的各层的材料及形成方法加以更具体的说明。< 基板 >构成本发明的有机EL元件的基板为形成电极、形成有机物层时无变化者即可，例 如可使用玻璃(glass)、塑料(plastic)、高分子膜(film)、硅(silicon)基板、层叠这些材 料而成者等。作为上述基板可采用市售者，或可利用公知方法进行制造。〈阳极〉使用透明或半透明的电极作为本发明的有机EL元件的阳极，可构成通过阳极进 行发光的元件，因而较好。作为该透明电极或半透明电极，可使用导电率高的金属氧化 物、金属硫化物或金属的薄膜，可适当利用透射率较高者，可根据所使用的有机层适当选 择使用。具体而言，可使用利用包含氧化铟、氧化锌、氧化锡、及这些复合物即铟一锡氧 化物(Indium TinOxide, IT0)、铟一锌氧化物等的导电性玻璃所制作的膜(NESA等)，或 金、钼、银、铜等，较好的是ΙΤ0、铟一锌氧化物、氧化锡等。作为制作方法可举出真空蒸 镀法、溅射法、离子镀(ion plating)法、电镀法等。另外，作为该阳极，也可使用聚苯胺 (polyaniline)或其衍生物、聚噻吩(polythiophene)或其衍生物等有机的透明导电膜。阳极也可使用反射光的材料，作为该材料，较好的是功函数大于等于3. OeV的金 属、金属氧化物、金属硫化物。阳极的膜厚可考虑光的透射性与导电率而加以适当选择，例如为IOnm 10 μ m，
9较好的是20nm 1 μ m，更好的是50nm 500nm。<空穴注入层>空穴注入层可设置在阳极与空穴输送层之间、或阳极与发光层之间。本发明的有机EL元件中，作为形成空穴注入层的材料，可举出苯胺 (phenylamine)系，星爆(starburst)型胺系，酞菁(phthalocyanine)系，氧化钒、氧化钽、 氧化钨、氧化钼、氧化钌、氧化铝等氧化物，非晶形碳(amorphous carbon)，聚苯胺或其衍生 物，聚芴(polyfluorene)或其衍生物，聚芳胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物等。空穴注入层的膜厚根据所使用的材料不同而最佳值不同，以驱动电压与发光效率 达到适度值的方式进行选择即可，但至少需要不会产生针孔(Pin hole)的厚度，若过厚则 有可能导致元件的驱动电压增高。因此，作为该空穴注入层的膜厚，例如为Inm Ιμπι，较 好的是2nm 500nm，更好的是5nm 200nm。空穴注入层的成膜方法并无限制，为低分子空穴注入材料时，可例示利用与高分 子粘合剂(binder)的混合溶液进行成膜的方法。另外，为高分子空穴注入材料时，可例示 利用溶液进行成膜的方法。作为利用溶液进行成膜时所使用的溶剂，若为溶解空穴注入材料者则并无特 别限制。作为该溶剂可例示氯仿(chloroform)、二氯甲烷(methylenechloride)、二 氯乙烷(dichloroethane)等氯系溶剂，四氢呋喃(tetrahydrofuran)等醚系溶剂，甲 苯(toluene)、二甲苯(xylene)等芳香族烃系溶剂，丙酮(acetone)、甲乙酮(methyl ethyl ketone)等酮系溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯(ethyl cellosolve acetate)等酯系溶剂。作为利用溶液进行成膜的方法，可采用利用溶液的旋涂法、浇铸(casting)法、 微凹版涂布(microgravure coat)法、凹版涂布(gravure coat)法、棒涂(bar coat)法、 辊涂(roll coat)法、线棒涂布(wire bar coat)法、浸涂(dip coat)法、狭缝涂布(slit coat)法、毛细管涂布(capillary coat)法、喷涂(spray coat)法、喷嘴涂布(nozzle coat)法等涂布法，凹版印刷(gravure printing)法、网版印刷(screen printing)法、 柔版印刷(flexographic printing)法、胶版印刷(offset printing)法、反向印刷 (reverseprinting)法、喷墨印刷(ink jet printing)法等称作印刷法的涂布法。就容易 形成图案的方面而言，较好的是凹版印刷法、网版印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、反向印 刷法、喷墨印刷法等印刷法。作为所混合的高分子粘合剂，较好的是不会极度阻碍电荷输送者，另外，可适当地 使用对可见光的吸收性不强者。作为该高分子粘合剂，可例示聚碳酸酯(polycarbonate)、 聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丙烯酸甲酯(polymethyl acrylate)、聚甲基丙烯酸甲酯 (polymethyl methacrylate)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)、 聚硅氧烷(polysiloxane)等。本发明中，将空穴注入层设置为不溶于水的有机基底层时，较好的是使用选自聚 苯胺或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物中的高分子化合 物且不具有亲水性基的高分子化合物作为空穴注入层的材料。作为特佳的空穴注入层的材 料，可举出具有以下述式(1)所表示的重复单元的高分子化合物、具有以下述式(2)所表 示的重复单元的高分子化合物、具有以下述式(1)所表示的重复单元及以下述式(2)所表示的重复单元的高分子化合物。 [式⑴及(2)中，R1UUj6及R7分别独立地表示氢原子、烷基或芳基。 也可R1与R2相互键合而形成环。也可选自R3 R7中的任意2个取代基相互键合而形成 环]上述烷基的碳数通常为1 20，既可为直链状也可为支链状，也可为环烷基。作为 烷基的具体例，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、3-甲 基丁基、正戊基、正己基、2-乙基己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十二烷基等。上述芳基的碳数通常为6 60，也可具有取代基。作为芳基所具有的取代基，可 举出碳数为1 20的直链状、支链状的烷基或碳数为1 20的环烷基。作为芳基的具体 例，可举出苯基、C1-C12烷基苯基(C1-C12表示碳数为1 12。以下也相同)、1_萘基、 2-萘基等，较好的是碳数为6 20的芳基，更好的是C1 C12烷基苯基。既可R1与R2相互键合而形成环，也可选自R3 R7中的任意2个取代基相互键合 而形成环。作为该环，可举出环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、环辛烷环、环壬烷 环、环癸烷环、环己烯环、环己二烯环、环辛三烯环等。〈空穴输送层〉作为构成空穴输送层的材料，可例示聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)或其 衍生物、聚硅烷(polysilane)或其衍生物、在侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生 物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、芳胺衍生物、1，2-二苯乙烯(stilbene)衍生物、三苯基二 胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚 吡咯(polypyrrole)或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)(poly (p-phenylene vinylene)) 或其衍生物、或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。空穴输送层的成膜方法并无限制，为低分子空穴输送材料时，可例示利用与高分 子粘合剂的混合溶液进行成膜的方法。另外，为高分子空穴输送材料时，可例示利用溶液进 行成膜的方法。利用溶液进行的成膜中所使用的溶剂，可举出与上述空穴注入层的成膜中 所使用的溶剂相同的溶剂。作为利用溶液的成膜方法，可举出与上述利用溶液成膜空穴注入层的方法相同的成膜方法。作为空穴输送层的膜厚，根据所使用的材料不同而最佳值不同，以驱动电压与发 光效率达到适度值的方式进行选择即可，但至少需要不会产生针孔的厚度，若过厚则有元 件的驱动电压增高之虑。因此，作为该空穴输送层的膜厚，例如为Inm Ιμπι，较好的是 2nm 500nm，更好的是5nm 200nm。本发明中，将空穴输送层设置为不溶于水的有机基底层时，较好的是使用选自聚 乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍 生物、聚苯胺或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯 或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍 生物中的高分子化合物且不具有亲水性基的高分子化合物来作为空穴输送层的材料。作为 特佳的空穴输送层的材料，可举出具有以上述式(1)所表示的重复单元的高分子化合物、 具有以上述式(2)所表示的重复单元的高分子化合物、具有以上述式(1)所表示的重复单 元及以上述式(2)所表示的重复单元的高分子化合物。〈中间层〉作为构成中间层的材料，可例示聚芳胺或其衍生物、聚芴或其衍生物等。中间层的成膜方法并无限制，可例示利用溶液进行成膜的方法。利用溶液的成膜 中所使用的溶剂，可举出与上述空穴注入层的成膜中所使用的溶剂相同的溶剂。作为利用 溶液的成膜方法，可举出与上述的利用溶液成膜空穴注入层的方法相同的成膜方法。作为中间层的膜厚，根据所使用的材料不同而最佳值不同，以驱动电压与发光效 率达到适度值的方式进行选择即可，但至少需要不会产生针孔的厚度，若过厚则有元件 的驱动电压增高之虑。因此，作为该中间层的膜厚，例如为Inm Ιμπι，较好的是2nm 500nm,更好的是5nm 20nm。本发明中，将中间层设置为不溶于水的有机基底层时，较好的是使用选自聚芴或 其衍生物、聚芳胺或其衍生物中的高分子化合物且不具有亲水性基的高分子化合物来作为 中间层的材料。作为特佳的空穴输送层的材料，可举出具有以上述式(1)所表示的重复单 元的高分子化合物、具有以上述式(2)所表示的重复单元的高分子化合物、具有以上述式 (1)所表示的重复单元及以上述式(2)所表示的重复单元的高分子化合物。本发明中所使用的有机基底层较好的是包含不溶于水的交联高分子化合物。该交 联高分子化合物既可使具有交联基的高分子化合物固化来加以制造，也可使高分子化合物 与交联剂的混合物固化来加以制造。〈提岸〉提岸例如可使用感光性聚酰亚胺(polyimide)作为材料而形成。提岸以基本上包 围下部电极的方式形成。作为提岸的厚度，较好的是0.1 5μπι左右。作为提岸的材料， 较理想的是使用由加热所引起的变化较少、即耐热性优异的有机材料，除了可使用聚酰亚 胺以外，也可使用丙烯酸系(甲基丙烯酸系)或酚醛清漆(novolac)系树脂材料。为了容 易进行图案化(patterning)，较理想的是对这些树脂材料附加感光性。若使用具有感光性 的有机材料，则可利用材料的涂布、预烘烤(pre-bake)、曝光、显影、后烘烤(post-bake)等 一系列工艺(process)来形成提岸。作为曝光的光，既可为UV光的g、h、i射线的混合光， 也可为g、h、i射线的单波长。作为显影液，可使用有机、无机碱的水溶液。
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〈发光层〉发光层在本发明中较好的是有机发光层，通常具有主要含有发出荧光或磷光的有 机物(低分子化合物及高分子化合物)。再者，进而也可包含掺杂剂(dopant)材料。作为 可用于本发明中的形成发光层的材料，例如可举出以下者。色素系材料作为色素系材料，例如可举出环喷他明(cyclopentamine)衍生物、四苯基丁二 烯(tetraphenyl butadiene)衍生物化合物、三苯胺衍生物、噁二唑(oxadiazole)衍生 物、吡唑并喹啉(pyrazoloquinoline)衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二(苯乙烯基)芳 烃(distyrylarylene)衍生物、吡咯(pyrrole)衍生物、噻吩环化合物、吡啶(pyridine) 环化合物、紫环酮(perinone)衍生物、芘(perylene)衍生物、寡噻吩衍生物、三富马酰胺 (trifumarylamine)衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。金属络合物系材料作为金属络合物系材料，例如可举出铱(iridium)络合物、钼络合物等具有来 自三重激发态的发光的金属络合物；羟基喹啉铝(alumiquinolinol)络合物、苯并喹啉铍 (benzoquinolinol beryllium)络合物、苯并噁唑锌(benzoxazolyl zinc)络合物、苯并 噻唑锌(benzothiazole zinc)络合物、偶氮甲基锌络合物、吓啉锌(porphyrin zinc)络 合物、铕(europium)络合物等中心金属中具有(铝)Al、(锌)Zn、(铍)Be等或(铽)Tb、 (铕)Eu、(镝)Dy等稀土金属，配位体中具有噁二唑、噻二唑(thiadiazole)、苯基吡啶、苯 基苯并咪唑、喹啉(quinoline)结构等的金属络合物等。高分子系材料作为高分子系材料，可举出聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、聚噻吩或其衍生 物、聚对亚苯基或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、聚乙炔或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚乙 烯基咔唑或其衍生物、将上述色素系材料或金属络合物系材料进行高分子化而成者等。上述发光性材料中，作为发出蓝色光的材料，可举出二苯乙烯基芳烃或其衍生 物、噁二唑或其衍生物、及这些的聚合物、聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚对亚苯基或其衍生 物、聚芴或其衍生物等。其中，较好的是高分子材料的聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚对亚苯 基或其衍生物、或者聚芴或其衍生物等。另外，作为发出绿色光的材料，可举出喹吖啶酮(quinacridone)或其衍生物、香 豆素(coumarin)或其衍生物、及这些的聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、聚芴或 其衍生物等。其中，较好的是高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、聚芴或其衍生物等。另外，作为发出红色光的材料，可举出香豆素或其衍生物、噻吩环化合物、及这些 的聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芴或其衍生物等。其中， 较好的是高分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芴或其衍 生物等。掺杂剂材料以提高发光效率或改变发光波长等为目的，可向发光层中添加掺杂剂。作为上述 掺杂剂，例如可举出芘或其衍生物、香豆素或其衍生物、红荧烯或其衍生物、喹吖啶酮或 其衍生物、史瓜林鐺(squarylium)或其衍生物、吓啉或其衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯(tetracene)或其衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)或其衍生物、十环烯(decacyclene)、吩 噁嗪酮(phenoxazone)等。再者，上述发光层的厚度通常约为20 2000 A (2 200nm)。〈发光层的成膜方法〉作为包含有机物的发光层(有机发光层)的成膜方法，可使用将包含发光材料的 溶液涂布于基体上或基体的上方的方法、真空蒸镀法、转印法等。作为利用溶液的成膜中所 使用的溶剂的具体例，可举出与上述利用溶液成膜空穴输送层时使空穴输送材料溶解的溶 剂相同的溶剂。作为将包含发光材料的溶液涂布于基体上或基体的上方的方法，可使用旋涂法、 浇铸法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、毛 细管涂布法、喷涂法、喷嘴涂布法等涂布法，凹版印刷法、网版印刷法、柔版印刷法、胶版印 刷法、反向印刷法、喷墨印刷法等称作印刷法等的涂布法。就容易形成图案或容易进行多色 的色彩区分方面而言，较好的是凹版印刷法、网版印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、反向印 刷法、喷墨印刷法等印刷法。另外，为升华性低分子化合物时，可使用真空蒸镀法。进而也 可使用通过利用激光所进行的转印或热转印而仅在所需区域形成发光层的方法。〈电子输送层〉作为构成电子输送层的材料，可使用公知的材料，可例示噁二唑衍生物、蒽醌 二甲烷(anthraquinodimethane)或其衍生物、苯醌(benzoquinone)或其衍生物、萘醌 (naphthoquinone)或其衍生物、蒽醌(anthraquinone)或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷 (tetracyano anthraquinodimethane) sK^itj> ^J (fluorenone) itiL、二L二 氰乙烯或其衍生物、联苯醌(diphenoquinone)衍生物、或8_羟基喹啉或其衍生物的金属络 合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉(polyquinoxaline)或其衍生物、聚芴或其衍生物等。其中，较好的是噁二唑或其衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羟基 喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生 物，更好的是2-(4_联苯基)-5-(4_叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基 喹啉)铝、聚喹啉。作为电子输送层的成膜法，并无特别限制，为低分子电子输送材料时，可例示利用 粉末的真空蒸镀法、或者利用溶液或熔融状态进行成膜的方法；为高分子电子输送材料时， 可例示利用溶液或熔融状态进行成膜的方法。利用溶液或熔融状态进行成膜时，也可并用 高分子粘合剂。作为利用溶液来成膜电子输送层的方法，可举出与上述利用溶液来成膜空 穴输送层的方法相同的成膜法。作为电子输送层的膜厚，根据所使用的材料不同而最佳值不同，以驱动电压与发 光效率达到适度值的方式进行选择即可，但至少需要不会产生针孔的厚度，若过厚则有元 件的驱动电压增高之虑。因此，作为该电子输送层的膜厚，例如为Inm Ιμπι，较好的是 2nm 500nm，更好的是5nm 200nm。<电子注入层>电子注入层设置在电子输送层与阴极之间、或发光层与阴极之间。作为电子注入 层，根据发光层的种类可举出碱金属或碱土金属，或包含1种以上的上述金属的合金，或 上述金属的氧化物、卤化物及碳酸氧化物，或上述物质的混合物等。作为碱金属或其氧化 物、卤化物、碳氧化物的例子，可举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧
14化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。另外，作为碱土金属或其氧化物、 卤化物、碳氧化物的例子，可举出镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、 氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。电子注入层也可为层叠2层以上而成者。具体而言，可 举出LiF/Ca等。电子注入层可利用蒸镀法、溅射法、印刷法等形成。作为电子注入层的膜 厚，较好的是Inm Iym左右。〈阴极材料〉作为本发明的有机EL元件中所使用的阴极的材料，较好的是功函数小、容易向发 光层中注入电子的材料且/或导电率高的材料且/或可见光反射率较高的材料。为金属时， 可使用碱金属或碱土金属、过渡金属或IIIA族金属(日文第13族金属)。例如可使用锂、 钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，或上述金属 中两种以上的合金，或其中的一种以上与金、银、钼、铜、锰、钛、钴(cobalt)、镍(nickel)、 钨、锡中的一种以上的合金，或石墨(graphite)或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可 举出镁一银合金、镁一铟合金、镁一铝合金、铟一银合金、锂一铝合金、锂一镁合金、锂一铟 合金、钙一招合金等。另外，可使用透明导电性电极作为阴极，例如可使用导电性金属氧化 物或导电性有机物等。具体而言，作为导电性金属氧化物，也可使用氧化铟、氧化锌、氧化 锡、及这些的复合物即铟一锡氧化物(ITO)或铟一锌氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)；作 为导电性有机物，也可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机的透明导电膜。再 者，也可使阴极为2层以上的层叠结构。再者，也有使用电子注入层作为阴极的情况。阴极的膜厚可考虑导电率或耐久性而进行适当选择，例如为IOnm 10 μ m，较好 的是20nm 1 μ m，更好的是50nm 500nm。作为阴极的制作方法，可使用真空蒸镀法、溅射法、将金属薄膜压接的层压 (laminate)法等。〈绝缘层〉本发明的有机EL元件可任意具有的、膜厚小于等于2nm的绝缘层是具有容易注入 电荷功能者。作为上述绝缘层的材料，可举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。 作为设置有膜厚小于等于2nm的绝缘层的有机EL元件，可举出与阴极邻接而设置有膜厚 小于等于2nm的绝缘层者，与阳极邻接而设置有膜厚小于等于2nm的绝缘层者。本发明的有机EL元件可用作面状光源，分段显示装置、点阵显示装置、液晶显示 装置的背光源(back light)。9.制造方法其次，参照图1 图3对本发明的有机EL元件的较佳制造方法的例子加以说明。 图1是表示本发明的有机EL元件的制造方法的一例中的制造工序的剖面图。图2是表示 继图1所示的制造工序之后的制造工序的剖面图。图3是表示本发明的有机EL元件的一 例的一部分构成的剖面图。首先，如图1所示，准备基板111，在基板111的面上设置第一电极层121。第一电 极层121可按照所需图案进行设置。其次，以覆盖第一电极层121的至少一部分、较好的是覆盖全部的方式设置有机 基底层141。于图1所示的例中，有机基底层仅包含1层，但在设置2层以上的有机基底层 时，此处可进行2层以上的层叠。有机基底层141也可按照所需图案而形成，可通过下述工序而容易地设置有机基底层利用旋涂等方法在基板111及第一电极层121上，将有机基 底层材料的组合物的涂膜设置为连续的一张涂膜，其后视需要将未设置有机基底层的部分 (例如图5所示的周边区域111S)的层去除，进而视需要使涂膜固化。继而，在有机基底层141上设置用以形成提岸的光刻胶(photoresist)层131A。其次，如图2所示，利用光刻法等去除光刻胶层131A中的形成像素区域的区域部 分，形成规定像素区域132R的提岸131B。进而，如图3所示，在由提岸131B所规定的像素区域132R内设置有机发光层142。 有机发光层142可通过将有机发光层的材料组合物的涂膜设置在像素区域内，视需要使其 固化而形成。作为将材料组合物的涂膜设置在像素区域内的方法，可较好地举出喷墨法。另 外，在构成单色显示的显示元件时，也可利用旋涂法等将有机发光层的材料组合物设置在
一面上。设置有机发光层142后，在其上按照所需图案来设置第二电极层122，由此可获得 包括基板一第一电极层一有机基底层一有机发光层一第二电极层的层叠物。在其中进而视 需要添加密封构件及驱动像素所需的配线等任意的构成要素，由此可获得有机EL元件。实施例以下参照实施例及比较例更加详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些。〈实施例1>(1-1 有机基底层的形成)以重量比为1 0.25 0.01的比例将作为空穴注入材料的不溶于水的高分子材 料、作为交联剂的二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritolhexaacrylate)、作为聚合引 发剂的Irgacure 360 (Ciba-Geigy公司制)加以混合，获得混合物。以1质量％的比例将 上述混合物溶解在有机溶剂中，获得有机基底层形成用墨液(ink)。在具有作为阳极的ITO图案的平板状玻璃基板的、具有该图案的一侧的整个面， 旋涂上述有机基底层形成用墨液，制作厚度约60nm的涂膜。其后，将基板周边部的密封区 (area)及取出电极部分等的不制作显示元件的区域的涂膜拭去，在热台(hot plate)上于 200°C进行10分钟热处理，实施干燥而使其不溶化，获得作为空穴注入层而发挥功能的有 机基底层。该有机基底层包含不溶于水的交联高分子化合物。有机基底层的电阻率大于等 于 2X IO14Ω cm。(1-2:提岸的形成)在1-1所获得的有机基底层上以IOOOrpm的转速来旋涂光刻胶(东京应化制 TELR-P003)，获得光刻胶层。经由形成有所需图案的光掩模(photomask)，使用曝光机(大 日本SCREEN制，MA-1200)对该层实施曝光处理，继而利用KOH的1质量％水溶液进行显影， 由此获得所需图案。将所获得的膜在烘箱(oven)中干燥230°C X20分钟，获得提岸。所获 得的提岸的厚度为1. 5 μ m。另外，若自上表面观察提岸，则露出有机基底层的元件区域的开 口为70 X 210 μ m的矩形，与邻接的元件区域的距离为20 μ m。(1-3:发光层的形成)于1-2中所获得的具有阳极、有机基底层及提岸的基板上旋涂红色发光有机EL材 料(Lumation RP158 (Sumation公司制))的二甲苯溶液(1质量％)，其后，利用浸渍了二甲 苯的布擦掉基板周边部、及提岸顶部上等的不需要的部分后，于减压下于80°C干燥1小时，在提岸内的像素区域获得厚度为80nm的发光层。(1-4:阴极的形成)在(1-3)中所获得的具有阳极、有机基底层、提岸及发光层的基板上，利用蒸镀法 形成包含厚度约为5nm的钡与其上的厚度约为IOOnm的铝这两层的阴极。阴极的形状使用 荫罩(shadow mask)来规定，形成与ITO阳极在发光层上正交的形状，由阳极与阴极构成无 源矩阵。(1-5:密封)于密封用玻璃基板的一面的周边部，使用分配器(dispenser)涂布UV固化性密封 材料(Nagase chemteX公司制XNR5516Z)。将该涂布面作为下侧，与(1-4)中所获得的具有 层叠结构的基板进行位置对准，在减压下(_25KPa)下贴合。其后，恢复至大气压，照射UV 光而使密封材料固化，由此将(1-1) (1-4)中所获得的层密封，从而获得有机EL元件。(1-6:评价)于(1-5)中所获得的元件的电极上连接电源而使其驱动时，可确认显示单色(红 色)的图像。像素中的发光均勻。〈实施例2>以0.8质量％的比例将发光层聚合物(Lumation G1302 (Sumation公司制))溶解 于与有机基底层用墨液相同的有机溶剂中，制备粘度为8cP的墨液。在以与实施例1的工序(1-1) (1-2)相同的方式所获得的具有阳极、有机基底 层及提岸的基板上涂布上述墨液，制作发光层。墨液的涂布是使用Litrex公司制喷墨装置120L，向各个由提岸所规定的像素区 域中各喷出7滴。涂布墨液后，在真空中于约100°C进行60分钟加热处理，继而与实施例1的工序 (1-4) (1-5)同样地进行操作，获得有机EL显示元件。于所获得的元件的电极上连接电源而使其驱动时，可确认显示出无干扰的清晰的 动态图像。一个像素的漏电流在-IOV下为小于等于0. ΙμΑ。另外，有机基底层的电阻率为 2 X IO14 Ω cm。<比较例1>(1-1 有机基底层的形成)除了使用包含水溶性的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(简称PEDOT/ PSS，Bayer公司制，商品名=Baytron P CH 8000)的水溶液来作为有机基底层形成用墨液以 外，以与实施例1的工序(1-1)相同的方式来获得具有ITO阳极及有机基底层的基板。在所获得的有机基底层上与实施例1的工序(1-2)同样地形成提岸时，在用以形 成提岸的光刻法的过程中，有机基底层的厚度会变得不均勻。产业上的可利用性如上所述，本发明的有机EL元件例如可有效用作照明装置的光源、显示装置的显 示元件。
权利要求
一种有机电致发光元件，其具备基板；第一电极层，其设置在所述基板的面的至少一部分区域上；有机基底层，其设置在所述第一电极层的面的至少一部分区域上，且包含不溶于水的有机材料；堤岸，其设置在所述有机基底层上，且以使所述有机基底层上具有多个像素区域的方式配置；有机发光层，其设置在所述有机基底层上且所述像素区域内；以及第二电极层，其设置在所述有机发光层上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中， 所述有机基底层为空穴注入层。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，所述有机基底层具有第一有机基底层及层叠在该第一有机基底层上的第二有机基底 层，所述第一有机基底层为空穴注入层，所述第二有机基底层为中间层。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中， 所述有机基底层的电阻率为IXlOuiQcm以上。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中， 所述不溶于水的有机材料为交联高分子化合物。
6.一种有机电致发光元件的制造方法，其是权利要求1所述的有机电致发光元件的制 造方法，在所述制造方法中包括如下工序， 准备基板；在所述基板的面的至少一部分区域上设置第一电极层； 在所述第一电极层的至少一部分区域上设置有机基底层； 在所述有机基底层上设置提岸；在由所述提岸所规定的像素区域内设置有机发光层；以及 在所述有机发光层上设置第二电极层。
全文摘要
本发明提供一种有机电致发光元件，其具备基板(111)；设置在基板的面上的第一电极层(121)；覆盖第一电极层的至少一部分而设置，且包含不溶于水的材料的有机基底层(141)；覆盖有机基底层的一部分而设置，且以使有机基底层上具有多个像素区域(132B)的方式配置的堤岸(131B)；设置在像素区域内的有机发光层(142)；及设置在有机发光层上的第二电极层(122)。
文档编号H05B33/12GK101911333SQ20088012429
公开日2010年12月8日 申请日期2008年12月17日 优先权日2008年1月8日
发明者六原行一, 雨宫聪 申请人:住友化学株式会社