导电性薄膜的制作方法

导电性薄膜的制作方法
【专利摘要】导电性薄膜(10)是具有由金属细线(16)构成的导电部(14)和开口部(18)的导电性薄膜，导电部(14)具有由多个金属细线(16)形成的交点(22)，在金属细线(16)上且交点(22)以外的部分配置有条纹抑制部(26)(伸出部)。条纹抑制部(26)优选的是随机地配置。
【专利说明】导电性薄膜

【技术领域】
[0001] 本发明涉及能够抑制条纹（moire)的产生的导电性薄膜。

【背景技术】
[0002] 近来，作为在显示装置中设置的导电性薄膜，在触摸面板中使用的导电性薄膜受 到关注。触摸面板主要为向PDA(便携信息终端）或便携电话等的小尺寸的应用，但也可以 想到通过向计算机用显示器等的应用而带来大尺寸化的发展。
[0003] 在这样的将来的动向中，以往的电极由于使用IT0(氧化铟锡），所以电阻较大，随 着应用尺寸变大，存在电极间的电流的传递速度变慢，响应速度（从接触指尖起到检测到 该位置的时间）变慢的问题。
[0004] 所以，可以考虑将由金属制的细线（金属细线）构成的格子排列许多而构成电极 从而使表面电阻下降。作为形成金属细线的方法，可以举出例如日本特开2004 - 221564 号公手艮。
[0005] 在将这样的将由金属细线形成的格子排列了许多的导电性薄膜配置在显示装置 的显示面板上的情况下，有时会由于与显示装置的像素排列图案的干扰而产生条纹。作 为减少这样的条纹的方法，以往提出了在格子的交叉部形成条纹抑制部（参照日本特开 2008 - 282924号公报），以及在格子的开口部中的将交叉部连结的线上形成条纹抑制部的 方法（参照日本特开2008 - 306177号公报）。
[0006] 例如，如上述那样，在使用金属细线作为触摸面板的电极的情况下，由于金属细线 由不透明的材料制作，所以透明性及视觉辨识性成为问题。当将使用金属细线作为电极的 导电性薄膜置于显示装置的显示面板上而使用时，在以下的两个模式中也需要良好的视觉 辨识性。
[0007] 关于第1模式，在使显示装置点亮、显示的情况下，金属细线难以视觉辨识，可见 光透射率高，此外难以发生因显示装置的像素周期（例如液晶显示器的黑矩阵图案（black matrix pattern))与导电图案之间的光干扰产生的条纹等噪声。
[0008] 关于第2模式，使显示装置熄灭、成为黑画面，当在荧光灯、太阳光、LED光等外部 光下观察时，难以视觉辨识金属细线。
[0009] 日本特开2008 - 282924号公报所记载的结构，由于在交叉部形成金属层，使交 叉部的面积增大，所以格子的交叉部容易变醒目，在视觉辨识性这一点上不利。日本特开 2008 - 306177号公报所记载的结构，由于在开口部形成金属层，所以开口率降低，透明性 有可能下降。


【发明内容】

[0010] 本发明是考虑这样的课题而做出的，目的是提供这样一种导电性薄膜，在将由金 属细线构成的格子排列许多而构成例如触摸面板等的电极的情况下也能够减少条纹的产 生，并且金属细线难以被视觉辨识，并且能够确保高透明性。
[0011] [1]本发明的导电性薄膜，是具有由金属细线构成的导电部和开口部的导电性薄 膜，其特征在于，上述导电部具有由多个上述金属细线形成的交点；在上述金属细线上且上 述交点以外的部分配置有伸出部。
[0012] 由此，由于是在金属细线上配置有以上述交点为中心的交叉部、和以金属细线与 伸出部的交点为中心的伪交叉部的形态，所以交叉部的排列不规则，不会收敛于特定的空 间频率。结果，即使将导电性薄膜例如设置到显示装置的显示面板上，与像素排列图案之间 的干扰也不会再发生，能够减少条纹的产生。
[0013] 即，在将导电性薄膜设置到显示面板上、将由金属细线形成的导电部例如作为触 摸面板等的电极而使用或作为电磁波屏蔽滤波器而使用的情况下，也能够减少条纹的产 生，并且金属细线难以视觉辨识，并且能够确保高透明性。
[0014] [2]在本发明中，上述导电部和上述开口部的组合形状可以是网格形状。
[0015] [3]在此情况下，优选的是，上述伸出部，在构成上述网格形状的多个边中的至少 1个边且不与上述网格形状的交点重叠的位置，交叉配置于上述1个边。
[0016] [4]还可以是，上述伸出部与上述1个边交叉而延伸配置；上述伸出部的形状是以 上述延伸方向为长轴的线段形状、椭圆形状、菱形形状、平行四边形形状或多边形状。
[0017] [5]还可以是，上述伸出部是以上述延伸方向为长轴的线段形状。
[0018] [6]在此情况下，优选的是，与上述1个边交叉的其他边和上述伸出部的上述长轴 大致平行。
[0019] [7]并且，优选的是，当设上述1个边的宽度为Wa，设上述1个边的长度为La，设上 述伸出部的延伸方向的长度为Lb时，Wa〈Lb = La。
[0020] [8]在此情况下，优选的是，Lb兰2XWa且Lb兰La/2。
[0021] [9]并且，在数值规定中，优选的是5 iim兰Lb兰100 iim。
[0022] [10]此外，优选的是，当设上述1个边的宽度为Wa，设上述伸出部的线宽为Wb时， 0. 995XWa 刍 Wb 刍 3XWa。
[0023] [11]进而，优选的是，当设从上述网格形状的交点到上述1个边上的上述伸出部 的中心位置的距离为Da，设上述1个边的长度为La时，0? IX La兰Da兰0? 9 X La。
[0024] [12]上述伸出部的线宽优选的是30 以下。更优选的是10 以下，再优选的 是7 y m以下。
[0025] [13]上述1个边的长度优选的是50 ii m以上且900 ii m以下。更优选的是50 ii m 以上且600 ii m以下，再优选的是50 ii m以上且500 ii m以下。
[0026] [14]此外，优选的是，上述导电部具有网格图案，该网格图案具有多个上述网格形 状；多个上述伸出部相对于上述网格图案随机地配置。
[0027] [15]在此情况下，也可以是，在构成上述网格图案的多个上述网格形状中，随机地 存在没有配置上述伸出部的网格形状。
[0028] [16]也可以是，在构成上述网格图案的多个上述网格形状中，上述伸出部相对于 配置有上述伸出部的1个以上的网格形状的配置位置是随机的。
[0029] [17]也可以是，在配置有上述伸出部的上述1个以上的网格形状中的、在多个边 配置有上述伸出部的网格形状中，上述伸出部对上述多个边的配置位置是随机的。
[0030] [18]也可以是，在从上述网格形状的1个交点以放射状延伸的多个边上分别配置 的上述伸出部中的至少1个上述伸出部中，从上述1个交点到中心位置的距离与其他不同。
[0031] [19]也可以是，邻接的边的各自配置的上述伸出部距分别对应的交点的距离不 同。
[0032] [20]此外，优选的是，当设上述边的个数为Na，设上述伸出部的个数为Nb，设上述 伸出部的配置率为（Nb/Na) X 100%时，上述配置率是10%以上且100%以下。
[0033] [21]上述金属细线的线宽优选的是30 以下。更优选的是10 以下，再优选 的是以下。下限值是0. lym以上。
[0034] [22]开口率优选的是90%以上。
[0035] 如以上说明，根据本发明的导电性薄膜，在将由金属细线构成的格子排列许多而 构成例如触摸面板等的电极的情况下，也能够减少条纹的产生，并且金属细线难以视觉辨 识，并且能够确保高透明性。

【专利附图】

【附图说明】
[0036] 图1是表示本实施方式的导电性薄膜的一例的俯视图。
[0037] 图2是将导电性薄膜部分省略表示的剖视图。
[0038] 图3是将导电性薄膜的一例部分放大表示的俯视图。
[0039] 图4A?图4E是表示本实施方式的导电性薄膜的制造方法的一例的工序图。
[0040] 图5A及图5B是表示本实施方式的导电性薄膜的制造方法的另一例的工序图。
[0041] 图6A及图6B是表示本实施方式的导电性薄膜的制造方法的又一例的工序图。
[0042] 图7是表示本实施方式的导电性薄膜的制造方法的又一例的工序图。
[0043] 图8是表示第1变形例的导电薄膜的一例的俯视图。
[0044] 图9是表示第2变形例的导电薄膜的一例的俯视图。
[0045] 图10是表示第3变形例的导电薄膜的一例的俯视图。

【具体实施方式】
[0046] 以下，参照图1?图10说明本发明的导电性薄膜的实施方式例。另外，在本说明 书中表示数值范围的"?"，以将在其前后记载的数值作为下限值及上限值而包含的含义进 行使用。
[0047] 本实施方式的导电性薄膜10如图1及图2所示，具有透明性的基体12 (参照图2) 和在基体12的一个主面上形成的导电部14。导电部14具有由金属制的细线（以下记作 金属细线16)和开口部18形成的网格图案20。金属细线16例如由金（Au)、银（Ag)或铜 (Cu)构成。
[0048] 具体而言，导电部14如图1所示，具有由在第1方向（x方向）上延伸且在第2方 向（在图1中是y方向）上排列的多个第1金属细线16a和在第2方向上延伸且在第1方 向上排列的多个第2金属细线16b分别交叉而形成的网格图案20。网格图案20具有由多 个第1金属细线16a和多个第2金属细线16b形成的许多交点22。
[0049] 此外，网格图案20的1个网格形状即1个开口部18和将该1个开口部18包围的 4个金属细线16的组合形状（以下记作格子24)，既可以如图1所示那样是正方形，也可以 是菱形。除此以外，也可以为正六边形等多边形。此外，格子24的一边的形状除了直线状 以外，也可以是弯曲形状，也可以为圆弧状。在为圆弧状的情况下，例如也可以对于对置的 两边做成向外方凸的圆弧状，对于其他的对置的两边做成向内方凸的圆弧状。此外，也可以 使各边的形状为使向外方凸的圆弧和向内方凸的圆弧连续的波状线形状。当然，也可以使 各边的形状为正弦曲线。
[0050] 并且，在本实施方式中，如图1所示，在金属细线16上且交点22以外的部分配置 (形成）有条纹抑制部26 (伸出部）。具体而言，条纹抑制部26在构成格子24的多个边28 中的至少1个边28且与格子24的交点22不重叠的位置上，与1个边28交叉并延伸配置。 条纹抑制部26的形状在图1中呈以延伸方向为长轴的线段形状。当然，除此以外也可以是 以延伸方向为长轴的椭圆形状、菱形形状、平行四边形形状或多边形状。条纹抑制部26既 可以由与金属细线16相同的金属材料形成，也可以由其他金属材料形成。
[0051] 此外，多个条纹抑制部26相对于网格图案20随机地配置。"随机地配置"的意思 至少意味着下述（a)?（e)中的1个以上。
[0052] (a)在构成网格图案20的多个格子24中，随机地存在没有配置条纹抑制部26的 格子24。
[0053] (b)在构成网格图案20的多个格子24中，条纹抑制部26相对于配置有条纹抑制 部26的1以上的格子24的配置位置是随机的。
[0054] (c)在配置有条纹抑制部26的1个以上的格子24中，在多个边28配置有条纹抑 制部26的格子24中，条纹抑制部26对多个边28的配置位置是随机的。
[0055] (d)在从格子24的1个交点22以放射状延伸的多个边28分别配置有条纹抑制部 26的情况下，至少1个条纹抑制部26的从1个交点22到中心位置的距离与其他不同。
[0056] (e)在邻接的边28分别配置有条纹抑制部26的情况下，距分别对应的交点22的 距离不同。
[0057] 这样，通过在金属细线16上且交点22以外的部分配置线段形状的条纹抑制部26， 成为在网格图案20中配置有以格子24本来的交点22为中心的十字状的交叉部30、和以格 子24的边28与条纹抑制部26之间的交点32为中心的伪十字状的交叉部34的形态，并且， 由于条纹抑制部26随机地配置，所以交叉部30及34的排列不规则，从而不收敛于特定的 空间频率。结果，即使将本实施方式的导电性薄膜10设置在例如显示装置的显示面板上， 也不会发生与像素排列图案的干扰，能够减少条纹的产生。
[0058] S卩，在将导电性薄膜10设置在显示面板上并将金属细线16形成的格子24排列许 多而例如作为触摸面板等的电极来使用的情况下，或作为电磁波屏蔽滤波器来使用的情况 下，也能够减少条纹的产生，并且金属细线16难以被视觉辨识，并且能够确保高透明性。
[0059] 并且，如图3所示，设格子24的1个边28的宽度为Wa、l个边28的长度（2个交 点22间的长度）为La、条纹抑制部26的延伸方向的长度为Lb时，优选的是：
[0060] ffa<Lb ^ La〇
[0061] 在数值规定中，优选的是5 ii m兰Lb兰100 ii m。
[0062] 长度Lb的下限优选的是2XWa以上，更优选的是3XWa以上，再优选的是4XWa 以上。长度Lb的上限优选的是La以下，更优选的是La/2以下，再优选的是La/3以下，特 别优选的是La/4以下。
[0063] 此外，条纹抑制部26的朝向一方的开口部18a的第1伸出部26a的长度（伸出长 度Lbl)与朝向另一方的开口部18b的第2伸出部26b的长度（伸出长度Lb2)既可以相 同也可以不同。在此情况下，各伸出长度Lbl及Lb2的下限优选的是Wa以上，更优选的是 1. 5XWa以上，再优选的是2XWa以上。各伸出长度Lbl及Lb2的上限优选的是La/2以下， 更优选的是La/4以下，再优选的是La/6以下，特别优选的是La/8以下。
[0064] 条纹抑制部26的延伸方向的长度Lb过短，则不能形成伪十字状的交叉部34,不能 得到降低条纹的产生的效果。长度Lb过长则开口率下降，不能确保高透明性。这对于各伸 出长度Lbl及Lb2都是同样的。
[0065] 条纹抑制部26的线宽Wb优选的是30 y m以下。更优选的是10 y m以下，再优选 的是7 ii m以下。在此情况下，格子24的1个边28的宽度Wa与条纹抑制部26的线宽Wb 之间的关系优选的是：
[0066] 0? 995XWa 刍 Wb 刍 3. OOOXWa。
[0067] 更优选的是：
[0068] 0? 995XWa 刍 Wb 刍 2. 500XWa。
[0069] 再优选的是：
[0070] 0? 995XWa 刍 Wb 刍 1. 500XWa。
[0071] 特别优选的是：
[0072] Wb = Wa。
[0073] 条纹抑制部26的线宽Wb过小，则不能实质上成为伪十字状的交叉部34,不能得到 降低条纹的产生的效果。线宽Wb过大则开口率下降，不能确保高透明性。
[0074] 此外，优选的是，与配置有条纹抑制部26的1个边28交叉的其他边大致平行于该 条纹抑制部26的延伸方向（长轴）。所谓大致平行是指：设上述1个边28的延伸方向与 条纹抑制部26的延伸方向所成的角为0 1，设上述1个边28的延伸方向与上述其他边所成 的角为9 2时，0°兰| 01- 0 2|兰5°。如果格子24的形状是正方形或长方形，则优选 的是上述1个边28与条纹抑制部26的延伸方向大致正交。由此，能够由条纹抑制部26和 1个边28构成伪十字状的交叉部34。
[0075] 当然，上述边28的延伸方向与第1伸出部26a的延伸方向所成的角| 0 a|和上述 边28的延伸方向与第2伸出部26b的延伸方向所成的角| 0b|也可以不同。在此情况下， 优选的是0。兰I Q a - 0 2 |兰5。、0。兰| 0 b - 0 2 |兰5。。
[0076] 此外，设从格子24的交点22到1个边28上的条纹抑制部26的中心位置的距离 为Da，设1个边28的长度为La时，优选的是
[0077] 0? lXLa 刍 Da 刍 0? 9XLa。
[0078] 距离Da过小或与1个边28的长度La大致相同，则条纹抑制部26会接近于格子 24的交点22而配置，结果，以格子24的交点22为中心的十字状的交叉部30的线宽会变 粗，容易被视觉辨识为所谓的粗线。相反，使距离Da的范围比上述的范围窄则随机地配置 的自由度变小。因而，优选的是使距离Da的范围为上述范围。
[0079] 此外，设网格图案20的边28的个数为Na，设条纹抑制部26的个数为Nb，设条纹 抑制部26的配置率为（Nb/Na)X 100%时，配置率优选的是10%以上100%以下。配置率为 100 %表示在各边28分别配置有1个条纹抑制部26。
[0080] 配置率过小则网格图案20中的没有形成伪十字状的交叉部34的区域变大，在该 区域中发生条纹变醒目的问题。配置率过大则开口率下降，无法确保高透明度。此外，相反， 使配置率的范围比上述范围窄则随机地配置的自由度变小。因而，优选的是使配置率的范 围为上述范围。
[0081] 这里，格子24的一边28的长度La可以从50 y m以上900 y m以下选择。优选的 是50 ii m以上600 ii m以下，更优选的是50 ii m以上500 ii m以下。此外，金属细线16的线宽 Wa可以从30iim以下选择。优选的是lOiim以下，更优选的是7iim以下。下限值是0. liim 以上。此外，导电性薄膜10的开口率优选的是90%以上。由此，能够确保高透明度。
[0082] 接着，参照图4A?图7对本实施方式的导电性薄膜10的制造方法的一些例子进 行说明。
[0083] 首先，举出由将设在基体12上的银盐感光层曝光、显影、定影而形成的金属银部、 或者金属银部以及承载于该金属银部的导电性金属形成网格图案20和条纹抑制部26的方 法。
[0084] 具体而言，如图4A所示，将使卤化银36 (例如溴化银粒子、氯溴化银粒子或碘溴化 银粒子）混合到明胶38中而成的银盐感光层40涂敷到基体12上。另外，在图4A?图4C 中，将卤化银36表述为"颗粒"，但这只不过是为了帮助本发明的理解而夸张表示的，并不 表示大小及浓度等。
[0085] 然后，如图4B所示，对银盐感光层40进行网格图案20的形成所需要的曝光。卤 化银36接受光能则感光，生成称作"潜像"的肉眼无法观察到的微小的银核。
[0086] 然后，为了将潜像放大为肉眼能观察到的可视化的图像，如图4C所示那样进行显 影处理。具体而言，将形成有潜像的银盐感光层40用显影处理液（既有碱性溶液也有酸性 溶液，但通常碱性溶液较多）进行显影处理。该显影处理是指，将齒化银粒子或从显影液供 给的银离子用显影液中的被称作显影主药剂的还原剂以潜像银核为催化剂核还原为金属 银，结果，将潜像银核放大而形成可视化的银图像（显影银42)。
[0087] 在结束显影处理后，由于在银盐感光层40中残留有能够对光感光的卤化银36,所 以为了将其除去而如图4D所示那样通过定影处理液（既有酸性溶液也有碱性溶液，但通常 酸性溶液较多）进行定影。
[0088] 通过进行该定影处理，在被曝光了的部位形成金属银部44,在没有被曝光的部位 仅残留明胶38而成为光透射性部46。即，在基体12上，形成通过由金属银部44得到的金 属细线16和由光透射性部46得到的开口部18的组合而构成的网格图案20和条纹抑制部 26。
[0089] 作为卤化银36而使用溴化银并用硫代硫酸盐进行了定影处理的情况下的定影处 理的反应式是以下这样的。
[0090] AgBr (固体）+2个S203离子一Ag (S203) 2 (易水溶性络合物）
[0091] 即，2个硫代硫酸离子S203和明胶38中的银离子（来自AgBr的银离子）生成硫 代硫酸银络合物。硫代硫酸银络合物由于水溶性较高，所以从明胶38中洗脱。结果，显影 银42被定影为金属银部44而留下。
[0092] 因而，显影工序是使还原剂对潜像反应而使显影银42析出的工序，定影 工序是使没有成为显影银42的卤化银36在水中洗脱的工序。详细情况请参照 T. H. James, The Theory of the Photographic Process,4th ed. , Macmillan Publishing Co.，Inc，NY，Chapterl5, pp. 438 - 442. 1977。
[0093] 另外，如图4E所示，也可以是，例如进行镀覆处理（将非电解镀或电镀单独或组合 进行），仅使金属银部44承载导电性金属48,形成由金属银部44和导电性金属48形成的 网格图案20及条纹抑制部26。
[0094] 并且，可以使在对银盐感光层40的曝光中使用的掩模具有与网格图案20和在该 网格图案20的开口部18形成了条纹抑制部26的图案相对应的掩模图案。
[0095] 或者，也可以是，使得通过对银盐感光层40的数字写入曝光，在银盐感光层40中 曝光出网格图案20、和在该网格图案20的开口部18形成有条纹抑制部26的图案。
[0096] 作为其他制造方法，也可以是，如图5A所示，将例如在基体12上形成的铜箔50上 的光致抗蚀剂膜52曝光并进行显影处理而形成抗蚀剂图案54,如图5B所示，通过将从抗 蚀剂图案54露出的铜箔50蚀刻从而形成网格图案20及条纹抑制部26。在此情况下，可 以使得在对光致抗蚀剂膜52的曝光中使用的掩模具有与形成有网格图案20和条纹抑制部 26的图案相对应的掩模图案。
[0097] 或者，也可以是，使得通过对光致抗蚀剂膜52的数字写入曝光，在光致抗蚀剂膜 52中曝光出形成有网格图案20和条纹抑制部26的图案。
[0098] 此外，也可以是，如图6A所示，在基体12上印刷含有金属微粒子的膏56,如图6B 所示，通过对膏56进行金属镀覆58,形成网格图案20和在该网格图案20的开口部18形成 有条纹抑制部26的图案。
[0099] 或者，也可以如图7所示，在基体12上，通过丝网印刷版或凹版印刷版而印刷形成 网格图案20、和在该网格图案20的开口部18形成有条纹抑制部26的图案。
[0100] 或者，虽然没有图示，但也可以在基体12上使用镀覆前处理材料而形成感光性被 镀覆层，然后通过在进行曝光、显影处理后实施镀覆处理，在曝光部及未曝光部上分别形成 金属部及光透射性部而形成网格图案20及条纹抑制部26。另外，也可以进一步对金属部实 施物理显影及/或镀覆处理而使金属部承载导电性金属。
[0101] 作为使用镀覆前处理材料的方法的更优选的形态，可以举出以下两种形态。另外， 下述的更具体的内容在日本特开2003 - 213437号公报、日本特开2006 - 64923号公报、 日本特开2006 - 58797号公报、日本特开2006 - 135271号公报等中公开。
[0102] (a)在基体12上涂敷含有与镀层催化剂或其前体相互作用的官能团的被镀覆层， 然后在进行曝光、显影后进行镀覆处理而在被镀覆材料上形成金属部的形态。
[0103] (b)在基体12上依次层叠含有聚合物及金属氧化物的基底层、和含有与镀层催化 剂或其前体相互作用的官能团的被镀覆层，然后在进行曝光、显影后进行镀覆处理而在被 镀覆材料上形成金属部的形态。
[0104] 或者，也可以在基体12上通过喷墨形成网格图案20和条纹抑制部26。
[0105] 接着，在本实施方式的导电性薄膜10中，以作为特别优选的形态的使用卤化银照 相感光材料的方法为中心进行叙述。
[0106] 本实施方式的导电性薄膜10的制造方法根据感光材料和显影处理的形态而包括 以下3种形态。
[0107] (1)将不含有物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料进行化学显影或热显影而 使金属银部形成在该感光材料上的形态。
[0108] (2)将在卤化银乳剂层中含有物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料进行溶解 物理显影而使金属银部形成在该感光材料上的形态。
[0109] (3)使不含有物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料与具有含有物理显影核的 非感光性层的显像片材重合，进行扩散转印显影而使金属银部形成在非感光性显像片材上 的形态。
[0110] 上述（1)的形态是一体型黑白显影型，在感光材料上形成光透射性导电性膜等透 光性导电性膜。得到的显影银是化学显影银或热显影银，在是高比表面积的纤丝（filament) 这一点上，在后续的镀覆或物理显影过程中活性较高。
[0111] 上述（2)的形态是，在曝光部中，通过将与物理显影核相近的卤化银粒子溶解而 沉积到显影核上，在感光材料上形成光透射性导电性膜等透光性导电性膜。这也是一体型 黑白显影型。由于是向物理显影核上的析出，所以显影作用为高活性，但显影银是比表面积 小的球形。
[0112] 上述（3)的形态是，在未曝光部中使卤化银粒子溶解并扩散，沉积到显像片材上 的显影核上，由此在显像片材上形成光透射性导电性膜等透光性导电性膜。是所谓的分离 型（separate type),是将显像片材从感光材料剥离而使用的形态。
[0113] 哪种形态都能够选择负型（negative type)显影处理及反转显影处理中的任一种 显影（在扩散转印方式的情况下，通过使用自动正型（auto positive type)感光材料作为 感光材料，能够进行负型显影处理）。
[0114] 这里所述的化学显影、热显影、溶解物理显影、扩散转印显影是与在本领域中通常 使用的用语同样的含义，在照相化学的一般教科书例如菊地真一著写的《照相化学》（日 语：《写真化学》）（共立出版社，1955年刊行）、C.E.K. Mees编著的《The Theory of The Photographic Processes，4th ed.》（Mcmillan 公司，1977 年刊行）中有解说。本申请是 有关液体处理的发明，但作为其他显影方式而采用热显影方式的技术也可以作为参考。例 如，可以采用在日本特开2004 - 184693号、日本特开2004 - 334077号、日本特开2005 - 010752号的各公报、日本特愿2004 - 244080号、日本特愿2004 - 085655号的各说明书中 记载的技术。
[0115] 在上述例子中，如图1所示，示出了与配置有条纹抑制部26的1个边28交叉的其 他边、和该条纹抑制部26的延伸方向（长轴）大致平行的例子，但除此以外，还可以优选地 采用以下这样的形态。
[0116] 即，也可以是，如图8所示的第1变形例的导电薄膜10a那样，使条纹抑制部26的 延伸方向（长轴）相对于配置有条纹抑制部26的1个边28倾斜（不正交）。此外，也可 以是，如图9所示的第2变形例的导电薄膜10b及图10所示的第3变形例的导电薄膜10c 那样，随机地配置仅具有第1伸出部26a的条纹抑制部26和仅具有第2伸出部26b的条纹 抑制部26。图9表示条纹抑制部26的延伸方向（长轴）相对于配置有条纹抑制部26的1 个边28正交的例子，图10表示条纹抑制部26的延伸方向（长轴）相对于1个边28倾斜 (不正交）的例子。
[0117] 这里，以下对本实施方式的导电性薄膜10的各层的结构详细地说明。
[0118] [基体 12]
[0119] 作为基体12,可以举出塑料薄膜、塑料板、玻璃板等。
[0120] 作为上述塑料薄膜及塑料板的原料，例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、 聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)等聚酯类；聚乙烯（PE)、聚丙烯（PP)、聚苯乙烯、EVA/C0P/C0C 等聚烯烃类；乙烯基类树脂；以及聚碳酸酯（PC)、聚酰胺、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、三醋酸纤 维素（TAC)等。
[0121] 作为基体 12,优选的是PET(熔点：258°C)、PEN(熔点：269°C)、PE(熔点：135°C)、 PP(熔点：163°C )、聚苯乙烯（熔点：230°C )、聚氯乙烯（熔点：180°C )、聚偏二氯乙烯（熔 点：212°C )、TAC (熔点：290°C )等熔点为约290°C以下的塑料薄膜或塑料板，特别是，从光 透射性及加工性等的观点看，优选的是PET。由于在触摸面板或电磁波屏蔽薄膜等中使用的 导电性薄膜10被要求透明性，所以优选基体12的透明度高。
[0122] [银盐感光层40]
[0123] 成为导电性薄膜10的导电层（网格图案20及条纹抑制部26)的银盐感光层 40 (参照图4A)除了银盐和粘合剂以外，还含有溶媒及染料等添加剂。
[0124] 作为在本实施方式中使用的银盐，可以举出卤化银等无机银盐及醋酸银等有机银 盐。在本实施方式中，优选使用作为光传感器的特性良好的卤化银。
[0125] 银盐感光层40的涂敷银量（银盐的涂敷量）换算为银，优选的是1?30g/m2,更 优选的是1?25g/m 2,再优选的是5?20g/m2。通过使该涂敷银量为上述范围，在制作导电 性薄膜10的情况下能够得到所希望的表面电阻。
[0126] 作为在本实施方式中使用的粘合剂，可以举出例如明胶、聚乙烯醇（PVA)、聚乙烯 吡咯烷酮（PVP)、淀粉等多糖类、纤维素及其衍生物、聚氧化乙烯、聚乙烯胺、壳聚糖、聚赖氨 酸、聚丙烯酸、聚褐藻酸、聚透明质酸、羟基纤维素等。它们根据官能团的离子性而具有中 性、阴离子性、阳离子性的性质。
[0127] 本实施方式的银盐感光层40中含有的粘合剂的含有量没有特别限定，可以在能 够发挥分散性和密接性的范围中适当决定。银盐感光层40中的粘合剂的含有量优选的是 银/粘合剂体积比为1/4以上，更优选的是1/2以上。银/粘合剂体积比优选的是100/1 以下，更优选的是50/1以下。此外，银/粘合剂体积比进一步优选的是1/1?4/1。最优选 的是1/1?3/1。通过使银盐感光层40中的银/粘合剂体积比为该范围，在调整了涂敷银 量的情况下也能够抑制电阻值的离差，得到具有均匀的表面电阻的导电性薄膜10。另外，银 /粘合剂体积比可以通过将原料的齒化银量/粘合剂量（重量比）变换为银量/粘合剂量 (重量比）、再将银量/粘合剂量（重量比）变换为银量/粘合剂量（体积比）来求出。
[0128] 〈溶媒〉
[0129] 用于形成银盐感光层40的溶媒没有特别限定，例如可以举出水、有机溶媒（例如， 甲醇等醇类、丙酮等酮类、甲酰胺等酰胺类、二甲基亚砜等亚砜类、乙酸乙酯等酯类、醚类 等）、离子性液体及它们的混合溶媒。
[0130] 在本实施方式的银盐感光层40中使用的溶媒的含有量相对于银盐感光层40中含 有的银盐、粘合剂等的合计质量为30?90质量％的范围，优选的是50?80质量％的范围。
[0131] 〈其他添加剂〉
[0132] 关于在本实施方式中使用的各种添加剂没有特别限制，可以优选地使用公知的添 加剂。
[0133] [其他的层结构]
[0134] 也可以在银盐感光层40之上设置未图示的保护层。在本实施方式中，所谓的"保 护层"是指由明胶、高分子聚合物等粘合剂构成的层，为了呈现防擦伤及改良力学特性的效 果而形成在具有感光性的银盐感光层40上。其厚度优选的是0.5 以下。保护层的涂敷 方法及形成方法没有特别限定，可以适当选择公知的涂敷方法及形成方法。此外，也可以在 银盐感光层40之下设置例如下涂层。
[0135] 接着，对导电性薄膜10的制作方法的各工序进行说明。
[0136] [曝光]
[0137] 在本实施方式中，包括通过印刷方式施加导电部14的情况，但除印刷方式以外， 也可以通过曝光和显影等形成导电部14。即，进行向设在基体12上的具有银盐感光层40 的感光材料或者涂敷了光刻用光致聚合物的感光材料的曝光。曝光可以使用电磁波进行。 作为电磁波，可以举出例如可见光线、紫外线等光、X线等放射线等。进而，在曝光中也可以 利用具有波长分布的光源，也可以使用特定的波长的光源。
[0138] [显影处理]
[0139] 在本实施方式中，在将银盐感光层40曝光后进一步进行显影处理。显影处理可以 使用在银盐照相胶片或相纸、印刷制版用膜、光掩模用乳胶掩模等中使用的通常的显影处 理的技术。关于显影液没有特别限定，可以使用PQ显影液、MQ显影液、MAA显影液等，在市 售品中，例如可以使用富士胶片公司研制的CN - 16、CR - 56、CP45X、FD - 3、hapital(八 匕。卜一> )、柯达公司研制的C 一 41、E - 6、RA - 4、D - 19、D - 72等的显影液、或在其产 品中包含的显影液。此外，也可以使用高反差（lith)显影液。
[0140] 本发明的显影处理可以包括以将未曝光部分的银盐除去而稳定化的目的进行的 定影处理。本发明的定影处理可以使用在银盐照相胶片或相纸、印刷制版用膜、光掩模用乳 胶掩模等中使用的定影处理的技术。
[0141] 上述定影工序中的定影温度优选的是约20°C?约50°C，更优选的是25?45°C。此 夕卜，定影时间优选的是5秒?1分钟，更优选的是7秒?50秒。定影液的补充量优选的是相 对于感光材料的处理量为600ml/m 2以下，更优选的是500ml/m2以下，特别优选的是300ml/ m2以下。
[0142] 实施了显影、定影处理的感光材料优选实施水洗处理、稳定化处理。在上述的水洗 处理或稳定化处理中，关于水洗水量，通常每lm 2感光材料在20升以下进行，也可以以3升 以下的补充量（也包括〇,即存水水洗）进行。
[0143] 显影处理后的曝光部中含有的金属银的质量优选的是相对于曝光前的曝光部中 含有的银的质量为50质量％以上的含有率，更优选的是80质量％以上。如果曝光部中含 有的银的质量相对于曝光前的曝光部中含有的银的质量为50质量％以上，则能够得到较 高的导电性，所以是优选的。
[0144] 本实施方式的显影处理后的灰度没有特别限定，优选的是超过4.0。显影处理后 的灰度超过4.0,则能够在将光透射性部的透光性保持得较高的状态下提高导电性金属部 (金属细线16)的导电性。作为使灰度成为4.0以上的方法，例如可以举出上述的铑离子、 铱尚子的掺杂。
[0145] 经过以上的工序能够得到导电性薄膜10,得到的导电性薄膜10的表面电阻优选 的是在0.1?100欧姆/sq.的范围中。下限值优选的是1欧姆/sq.以上、3欧姆/sq.以上、 5欧姆/sq.以上、10欧姆/sq.以上。上限值优选的是70欧姆/sq.以下、50欧姆/sq.以 下。通过将表面电阻调整为这样的范围，即使是面积为lOcmX 10cm以上的大型的触摸面板 也能够进行位置检测。此外，也可以对显影处理后的导电片材进一步进行压光（calender) 处理，通过压光处理能够调整为所希望的表面电阻。
[0146] [物理显影及镀覆处理]
[0147] 在本实施方式中，也可以是，以提高通过上述曝光及显影处理形成的金属银部44 的导电性的目的，进行用来使金属银部44承载导电性金属粒子的物理显影及/或镀覆处 理。在本发明中，可以仅通过物理显影或镀覆处理中的某一个处理使金属银部44承载导电 性金属粒子，也可以将物理显影与镀覆处理组合而使金属银部44承载导电性金属粒子。另 夕卜，将对金属银部44实施了物理显影及/或镀覆处理后的结构一并称作"导电性金属部"。
[0148] 本实施方式中的"物理显影"，是指在金属或金属化合物的核上将银离子等金 属离子用还原剂还原而使金属粒子析出。该物理显影利用于速成B&W胶片、速成幻灯片 (instant slide film)或印刷版制造等中，在本发明中能够使用该技术。
[0149] 此外，物理显影可以与曝光后的显影处理同时进行，也可以在显影处理后另外进 行。
[0150] 在本实施方式中，镀覆处理可以使用非电解镀（化学还原镀或置换镀）、电解镀、 或者非电解镀和电解镀双方。本实施方式的非电解镀可以使用公知的非电解镀技术，例如 可以使用在印刷配线板等中使用的非电解镀技术，非电解镀优选的是非电解铜镀。
[0151] [氧化处理]
[0152] 在本实施方式中，优选的是对显影处理后的金属银部44以及通过物理显影及/或 镀覆处理形成的导电性金属部实施氧化处理。通过进行氧化处理，例如在金属少量沉积在 光透射性部46上的情况下，能够将该金属除去，使光透射性部46的透射性大致成为100%。
[0153] [导电性金属部]
[0154] 本实施方式的导电性金属部（金属细线16)的线宽如上述那样可以从30 iim以下 选择。在将导电性薄膜10作为电磁波屏蔽薄膜使用的情况下，金属细线16的线宽优选的是 1 y m以上20 y m以下，更优选的是1 y m以上9 y m以下，再优选的是2 y m以上7 y m以下， 特别优选的是2 y m以上5 y m以下。在将导电性薄膜10作为触摸面板的导电片材使用的 情况下，下限优选的是〇. 1 U m以上、1 y m以上、3 y m以上、4 y m以上或5 y m以上，上限优选 的是15iim以下、lOiim以下、9iim以下、8iim以下、7iim以下。在线宽不到上述下限值的 情况下，由于导电性不充分，所以在用在触摸面板中的情况下，检测灵敏度变得不充分。另 一方面，如果超过上述上限值，则起因于导电性金属部的条纹变得显著，在用在触摸面板中 时视觉辨识性变差。另外，通过处于上述范围中，导电性金属部的条纹得以改善，视觉辨识 性尤其变好。
[0155] 格子的一边的长度优选的是50 iim以上900 iim以下，更优选的是50 iim以上 600 ii m以下，再优选的是50 ii m以上500 ii m以下。此外，在接地连接等目的下，导电性金属 部的线宽也可以具有比200 ii m宽的部分。
[0156] 本实施方式的导电性金属部，从可见光透射率这一点看，开口率优选的是90%以 上。所谓开口率，是将金属细线16及条纹抑制部26除去后的光透射性部46占整体的比例。
[0157] [光透射性部]
[0158] 本实施方式中的"光透射性部"是指导电性薄膜10中的导电性金属部以外的具有 透光性的部分。光透射性部46的透射率如上述那样，用将基体12的光吸收及反射的贡献 除去后的380?780nm的波长区域中的透射率的最小值所表示的透射率是90%以上，优选 的是95%以上，更优选的是97%以上，再优选的是98%以上，最优选的是99%以上。
[0159] 关于曝光方法，优选的是经由玻璃掩模的方法或基于激光描绘的图案曝光方式。
[0160] [导电性薄膜10]
[0161] 本实施方式的导电性薄膜10中的基体12的厚度优选的是75?350 ilm。如果是 75?350 y m的范围则能够得到所希望的可见光的透射率，并且操作也较容易。此外，在将 两个导电性薄膜层叠而作为触摸面板用的导电片材的情况下，能够使导电性薄膜10间的 寄生电容也降低。
[0162] 设在基体12上的金属银部44的厚度能够根据涂敷在基体12上的银盐感光层用 塗料的涂敷厚度而适当决定。金属银部44的厚度可以从0. 001mm?0. 2mm中选择，优选的 是30 ii m以下，更优选的是20 ii m以下，再优选的是0. 01?9 ii m，最优选的是0. 05?5 ii m。 此外，金属银部44优选的是图案状。金属银部44既可以是1层，也可以是2层以上的叠层 结构。在金属银部44是图案状并且是2层以上的叠层结构的情况下，能够赋予不同的感色 性，以使能够对不同的波长感光。由此，改变曝光波长来进行曝光，则能够在各层中形成不 同的图案。
[0163] 关于导电性金属部的厚度，作为触摸面板的用途，越薄则显示面板的视场角越大 从而是优选的，在视觉辨识性的提高这一点上也要求薄膜化。从这样的观点来看，由承载于 导电性金属部的导电性金属构成的层的厚度优选的是不到9 y m，更优选的是0. 1 y m以上 且不到5 ii m，再优选的是0. 1 ii m以上且不到3 ii m。
[0164] 在本实施方式中，通过控制上述银盐感光层40的涂敷厚度而形成所希望的厚度 的金属银部44,进而通过物理显影及/或镀覆处理而能够自如地控制由导电性金属粒子构 成的层的厚度，所以即使是具有不到5 y m、优选的是不到3 y m的厚度的导电性薄膜10也能 够容易地形成。
[0165] 另外，在本实施方式的导电性薄膜10的制造方法中，并不一定必须进行镀覆等工 序。这是因为，在本实施方式的导电性薄膜10的制造方法中，通过调整银盐感光层40的涂 敷银量、银/粘合剂体积比，能够得到所希望的表面电阻。另外，根据需要，也可以进行压光 处理等。
[0166] 在对银盐感光层40进行显影处理后，优选的是浸渍到硬膜剂中进行硬化处理。作 为硬膜剂，可以举出例如戊二醛、己二醛、2,3 -二羟基一 1，4 一二氧六环等二醛类及硼酸 等在日本特开平2 - 141279号公报中记载的物质。
[0167] 也可以对导电性薄膜10添加防反射层或硬涂层等功能层。
[0168] 另外，本发明可以与下述表1及表2中记载的公开公报及国际公开册的技术适当 组合使用。"特开"、"号公报"、"号册"等表述省略。
[0169] [表 1]
[0170]

【权利要求】
1. 一种导电性薄膜，是具有由金属细线（16)构成的导电部（14)和开口部（18)的导电 性薄膜（10)，其特征在于， 上述导电部（14)具有由多个上述金属细线（16)形成的交点（22); 在上述金属细线（16)上且上述交点（22)以外的部分，配置有伸出部（26)。
2. 如权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述导电部（14)和上述开口部（18)的组合形状是网格形状。
3. 如权利要求2所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述伸出部（26)，在构成上述网格形状的多个边（28)中的至少1个边（28)且不与上 述网格形状的交点（22)重叠的位置，交叉配置于上述1个边（28)。
4. 如权利要求3所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述伸出部（26)，与上述1个边（28)交叉而延伸配置； 上述伸出部（26)的形状是以上述延伸方向为长轴的线段形状、椭圆形状、菱形形状、 平行四边形形状或多边形状。
5. 如权利要求4所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述伸出部（26)是以上述延伸方向为长轴的线段形状。
6. 如权利要求5所述的导电性薄膜，其特征在于， 与上述1个边（28)交叉的其他边和上述伸出部（26)的上述长轴大致平行。
7. 如权利要求5所述的导电性薄膜，其特征在于， 当设上述1个边（28)的宽度为Wa，设上述1个边（28)的长度为La，设上述伸出部（26) 的延伸方向的长度为Lb时， ffa<Lb ^ La〇
8. 如权利要求7所述的导电性薄膜，其特征在于， Lb 芎 2XWa 且 Lb 兰 La/2。
9. 如权利要求7所述的导电性薄膜，其特征在于， 5. m 刍 Lb 刍 100 u m。
10. 如权利要求5所述的导电性薄膜，其特征在于， 当设上述1个边（28)的宽度为Wa，设上述伸出部（26)的线宽为Wb时， 0. 995XWa 刍 Wb 刍 3XWa。
11. 如权利要求3所述的导电性薄膜，其特征在于， 当设从上述网格形状的交点（22)到上述1个边（28)上的上述伸出部（26)的中心位 置的距离为Da,设上述1个边（28)的长度为La时， 0. 1 X La 刍 Da 刍 0. 9 X La。
12. 如权利要求5所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述伸出部（26)的线宽（Wb)是30 iim以下。
13. 如权利要求5所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述1个边（28)的长度（La)是50 ii m以上且900 ii m以下。
14. 如权利要求3所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述导电部（14)具有网格图案（20)，该网格图案（20)具有多个上述网格形状； 多个上述伸出部（26)相对于上述网格图案（20)随机地配置。
15. 如权利要求14所述的导电性薄膜，其特征在于， 在构成上述网格图案（20)的多个上述网格形状中，随机地存在没有配置上述伸出部 (26)的网格形状。
16. 如权利要求14所述的导电性薄膜，其特征在于， 在构成上述网格图案（20)的多个上述网格形状中，上述伸出部（26)相对于配置有上 述伸出部（26)的1个以上的网格形状的配置位置是随机的。
17. 如权利要求14所述的导电性薄膜，其特征在于， 在配置有上述伸出部（26)的上述1个以上的网格形状中的、在多个边（28)配置有上 述伸出部（26)的网格形状中，上述伸出部（26)对上述多个边（28)的配置位置是随机的。
18. 如权利要求3所述的导电性薄膜，其特征在于， 在从上述网格形状的1个交点（22)以放射状延伸的多个边（28)上分别配置的上述伸 出部（26)中的至少1个上述伸出部（26)中，从上述1个交点（22)到中心位置的距离与其 他不同。
19. 如权利要求3所述的导电性薄膜，其特征在于， 邻接的边（28)的各自配置的上述伸出部（26)距分别对应的交点（22)的距离不同。
20. 如权利要求3所述的导电性薄膜，其特征在于， 当设上述边（28)的个数为Na，设上述伸出部（26)的个数为Nb，设上述伸出部（26)的 配置率为（Nb/Na)X100%时， 上述配置率是10%以上且100%以下。
21. 如权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于， 上述金属细线（16)的线宽是30 iim以下。
22. 如权利要求1所述的导电性薄膜，其特征在于， 开口率是90%以上。
【文档编号】H05K9/00GK104395864SQ201380024150
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2013年5月7日 优先权日:2012年5月8日
【发明者】栗城匡志, 桥本明裕 申请人:富士胶片株式会社