薄膜电致发光器件的大平面制备方法

文档序号:8163264阅读:281来源:国知局
专利名称:薄膜电致发光器件的大平面制备方法
技术领域
本发明涉及电致发光显示器制备工艺领域,更进一步涉及一种薄膜电致发光器件的大平面制备方法。
薄膜电致发光显示器通常分为交流薄膜电致发光显示器和直流薄膜电致发光显示器。交流薄膜电致发光显示器通常以金属电极、绝缘层、发光层、透明绝缘层、透明电极、依次薄膜蒸发在衬底上构成显示器。直流薄膜电致发光显示器则无上述交流薄膜电致发光显示器中的绝缘层,特别是所加电压低,容易和晶体管和集成电路匹配。为使工业化及商品化,国内外许多研究者采用厚膜技术,及多层发光材料进行制造,在仪表显示、车站、码头的信息显示中得到应用,显示出比LED、LCD较高的优越性,但在高分辨力、大平面、长寿命方面仍然存在不少的问题,尤其大平面的成品率太低以致难以工业化。
本发明的目的在于克服以上现有技术的缺限,形成一套制备大平面、长寿命,高分辩薄膜电致发光器显示器的集成方法,力图使得薄膜电致发光显示器能够得以工业化、商品化,以其在平面显示领域发挥其作用。
本发明方法的步骤为首先向铝中掺入发光所需要的元素,然后在真空度为10-3~10-5,温度为600~650℃的真空炉中进行热处理进行匀化。再利用轧箔机把匀化后的铝合金轧成厚10μm~100μm的箔材,然后将箔材放入电流为10~200mA/cm2、浓度为1~8%H2SO3溶液中,刨光1~8分钟。经刨光的样品放入1~8%的己二酸铵溶液中,用稳压稳流电源在200~300V,电流密度为10mA~30mA/cm2的阳极化槽中进行阳极氧化30~40分钟。再在温度为430℃~540℃氧化气氛炉中,氧化处理30分钟,两边形成电极。
下面结合实施例对本发明方法做一说明。
实施例1对组分为
的铝箔,在100mA/cm2的3%H2SO3水溶液中刨光5分钟,在3%己二酸铵水溶液中用稳压稳流电源形成200V后20分钟,然后在氧气氛下540℃氧化30分钟,两边再用蒸发的方法形成电极。
该铝箔在交流90V下,发出橙黄光,波长为(580~620)nm,发光强度为(200~600)cd/m2。
2.对上组分在氧气氛为540℃氧化30分钟,再阳极氧化,然后进行氧化气氛下氧化。形成电极,在200V下,发出上例中相同波长,发光强度为1000cd/m2。
3.对组分为
的铝箔,在200mA/cm2的3%H2SO3水溶液中刨光8分钟,在8%己二酸铵水溶液中用稳压稳流电源形成300V后20分钟,然后在氧化气氛下560℃氧化30分钟,两边再用蒸发的方法形成电极。
该铝箔在220V电压下,发出蓝光,波长为460~480nm,发光强度为150~300cd/m2。
按设定组份的铝箔经上方法制备的显示器,其方法简单,可大平板化,由于层间无过渡层,所以寿命较长。
权利要求
1.薄膜电致发光器件的大平面制备方法,其特征在于本发明方法的步骤为首先向铝中掺入发光所需要的元素,然后在真空度为10-3~10-5,温度为600~650℃的真空炉中进行热处理进行匀化。再利用轧箔机把匀化后的铝合金轧成厚10μm~100μm的箔材,然后将箔材放入电流为10~200mA/cm2的浓度为1~8%H2SO3溶液中,刨光1~8分钟。经刨光的样品放入1~8%的己二酸铵溶液中,用稳压稳流电源在200~300V,电流密度为10mA~30mA/cm2的阳极化槽中进行阳极氧化30~40分钟。再在温度为430℃~540℃氧化气氛炉中,氧化处理30分钟,两边形成电极。
全文摘要
一种电致发光显示器制备工艺领域的薄膜电致发光器件的大平面制备方法,步骤是首先向铝中加入发光所需元素在真空炉中进行热处理,然后把铝合金轧成箔材,然后进入刨光处理,最后进行阳极氧化,本方法简单可大平板化,由于层间无过渡层,所以寿命较大。
文档编号H05B33/10GK1238657SQ9911580
公开日1999年12月15日 申请日期1999年6月23日 优先权日1999年6月23日
发明者袁战恒, 乔伟杰, 武明堂 申请人:西安交通大学
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