一种阵列基板及其制作方法、显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
【背景技术】
[0002]目前TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的制造过程中，涉及到过孔的设计均采用传统的方式，即采用导电层作为连接截止。
[0003]通常在实现不同金属层之间导通时，一般在需要连接的两个金属层对应的位置进行过孔工艺，再在过孔的表面上覆盖一层导电层，从而实现了不同金属层之间导通，如图1所示，但是该设计存在一些不足，其中过孔表面裸露的导电层容易受到周围电场的影响发生腐蚀，导致不同金属层之间会出现接触不良等问题。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，有效预防了过孔表面裸露的导电层发生腐蚀。
[0005]第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括:
[0006]第一金属层，包括第一图案；
[0007]第二金属层，包括第二图案；
[0008]导电层，位于所述阵列基板的表面，包括第三图案；
[0009]第一过孔，连接所述第一图案和所述第三图案；
[0010]第二过孔，连接所述第二图案和所述第三图案；
[0011 ]导电材质屏蔽环，位于所述第三图案的周围，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。
[0012]可选的，所述导电层包括导电材质屏蔽环。
[0013]可选的，所述导电层的材质为透明导电金属氧化物或金属。
[0014]可选的，所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡。
[0015]可选的，所述导电材质屏蔽环包括第一导电材质部和第二导电材质部，所述导电层包括第一导电材质部，所述第二金属层包括所述第二导电材质部；
[0016]其中，所述第二金属层为所述第一金属层和所述导电层之间的金属层。
[0017]可选的，所述第一导电材质部与所述第二导电材质部通过第三过孔相连。
[0018]可选的，在所述第一金属层和所述第二金属层中，一层为栅金属层，另一层为源漏金属层。
[0019]第二方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:
[0020]形成包括第一图案的第一金属层；
[0021]形成包括第二图案的第二金属层；
[0022]形成包括第三图案且位于阵列基板表面的导电层；
[0023]还包括:形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔连接所述第一图案并被所述第三图案覆盖且连接，所述第二过孔连接所述第二图案并被所述第三图案覆盖且连接；
[0024]在所述第三图案周围形成导电材质屏蔽环，所述导电材质屏蔽环与所述第三图案绝缘。
[0025]可选的，在形成所述导电层时形成所述导电材质屏蔽环。
[0026]可选的，所述导电材质屏蔽环包括第一导电材质部和第二导电材质部；
[0027]在形成所述导电层时形成第一导电材质部，在形成所述第二金属层时形成第二导电材质部；
[0028]其中，所述第二金属层形成于所述第一金属层和所述导电层之间。
[0029]可选的，还包括形成第三过孔，所述第三过孔用于将所述第一导电材质部和所述第二导电材质部相连。
[0030]第三方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
[0031]由上述技术方案可知，本发明提供的一种阵列基板及其制作方法、显示面板，通过在导电层的第三图案的周围设置导电材质屏蔽环，有效预防了过孔表面裸露的导电层发生腐蚀，防止了在使用过程中因导电层发生腐蚀而导致不同的导电金属层之间接触不良，提尚了广品的使用寿命。
【附图说明】
[0032]图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；
[0033]图2为本发明一实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0034]图3为本发明另一实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0035]其中附图标记说明:
[0036]1、第一金属层；2、第二金属层；3、导电层；4、第一过孔；5、第二过孔；6、屏蔽环；7、第一导电材质部；8、第二导电材质部。
【具体实施方式】
[0037]下面结合附图，对发明的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0038]图2示出了本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图2所示，该阵列基板包括:
[0039]第一金属层I，包括第一图案；
[0040]第二金属层2，包括第二图案；
[0041]导电层3，位于该阵列基板表面，包括第三图案；
[0042]第一过孔4，连接上述第一图案和第三图案；
[0043]第二过孔5，连接上述第二图案和第三图案；
[0044]导电材质屏蔽环6，位于第三图案的周围，所述导电材质屏蔽环6与所述第三图案绝缘。
[0045]上述各图案各位于所在层中，图2中所示的各层的局部实际上主要就是其包括的图案部分，因此为了清楚起见，在图中没有再示出图案的附图标记。同时，上述各层是示意性的，应该理解，第一金属层I和第二金属层2 —般处于不同层，第一金属层1、第二金属层2和导电层3之间一般存在一层或多层绝缘层的结构，过孔贯穿绝缘层，为了清楚起见，在图中没有示出绝缘层。
[0046]在第一金属层和第二金属层中，一层可以为栅金属层，另一层可以为源漏金属层。此外，第一金属层和第二金属层也可以为凄然金属层，本实施例不对上述第一金属层和第二金属层具体是哪一层进行具体限定，仅用作举例说明。
[0047]举例来说，假设上述阵列基板为底栅结构，第一金属层I为栅金属层，第二金属层2为源漏金属层，在第一金属层I上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2，在第二金属层2上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成导电层3，上述导电层3的材质可以为透明导电金属氧化物或金属，具体的，该透明导电金属氧化物的材质为氧化铟锡。该导电层3可以理解为直接在第二绝缘层上形成的第三金属层也可以理解为在第二绝缘层上形成的透明导电层，其中第一过孔4贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，第二过孔5贯穿第二绝缘层O
[0048]同理，假设上述阵列基板为顶栅结构，则第一金属层I为源漏金属层，第二金属层2为栅金属层，在第一金属层I上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2，在第二金属层2上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成导电层3，上述导电层3的材质可以为透明导电金属氧化物或金属，具体的，该透明导电金属氧化物的材质为氧化铟锡。该导电层3可以理解为直接在第二绝缘层上形成的第三金属层也可以理解为在第二绝缘层上形成的透明导电层，其中第一过孔4贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，第二过孔5贯穿第二绝缘层。
[0049]上述阵列基板通过在导电层3的第三图案的周围设置导电材质屏蔽环6，减少了周围电磁场对第三图案的影响，有效预防了第一过孔和第二过孔表面裸露的导电层发生腐蚀，从而防止了在使用过程中因导电层3发生腐蚀而导致不同的导电金属层之间接触不良，提尚了广品的使用寿命。
[0050]上述屏蔽环6在第三图案的周围可以理解为该屏蔽环6可以与导电层3位于同一层，也可以与导电层3位于不同层，只是在该导电层3的周围形成保护该导电层3的屏蔽环6，使其不被周围的电磁场影响。
[0051]也就是说，上述屏蔽环包括第一导电材质部7和第二导电材质部8，具体的，导电层包括第一导电材质部7，第二金属层2包括第二导电材质部8 ;其中，第二金属层2为所述第一金属层I和所述导电层3之间的金属层。第一导电材质部7与所述第二导电材质部8通过第三过孔相连。
[0052]下面对上述阵列基板的结构进行详细说明，具体可以包括以下三种结构，该三种结构形成的屏蔽环6均可以预防第一过孔4和第二过孔5表面裸露的导电层3发生腐蚀，本发明并不限定以下四种结构，以下四种结构只是用于举例说明。
[0053]第一种结构如图2所示，导电层3的材质为透明导电金属氧化物，具体是由氧化铟锡形成的透明导电层，该透明导电层包括导电材质屏蔽环6，也可以理解为导电材质屏蔽环6与透明导电层位于同一层上，也即在形成透明导电层的同时通过构图工艺形成导电材质屏蔽环。该种结构，在制作该阵列基板的时候，可以不需要单独制作导电材质屏蔽环6的图案化工艺，同时，该结构的导电材质屏蔽环6有效预防了第一过孔4和第二过孔5表面裸露的透明导电层发生腐蚀，在具体的结构中，该导电材质屏蔽环与透明导电层是绝缘的。
[0054]第二种结构与第一种结构类似，不同的是上述导电层为金属材质的第三金属层，具体的，在形成该第三金属层的同时形成屏蔽环6，屏蔽环6的材质与第三金属层的材质相同，且屏蔽环与第三金属层是绝缘的。该种结构在制作该阵列基板的时候，可以不需要单独制作导电材质屏蔽环6的图案化工艺，同时，该结构的导电材质屏蔽环6有效预防了第一过孔4和第二过孔5表面裸露的导电层发生腐蚀。
[0055]第三种结构中，可以将导电材质屏蔽环3分成第一导电材质部7和第二导电材质部8，导电层3包括第一导电材质部7，第二金属层2包括第二导电材质部8 ;其中，第二金属层2为所述第一金属层I和导电层3之间的金属层。即在第一金属层I上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二金属层2同时在第二金属层2的周围形成第二导电材质部8，在第二金属层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成