制作工艺 的要求选择性地设置在公共电极8之上、钝化层9之上或者像素电极层10之上。
[0045] 当然，所述黑矩阵也可以设置其他位置，只要满足黑矩阵为外凸弧面结构，且黑矩 阵下方的预定层中，对应于所述黑矩阵的外凸弧面的区域具有厚度大于平坦区域的厚度的 弧面凸起结构就可以。
[0046] 优选地，上面所述黑矩阵11的材料为反射率较低的金属、金属氧化物或氮化物材 料，包括钼、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钼、铬、铝、钛、铜对应的金属氧化物和金 属氮化物中的至少一个或者钼钽氧化物、钼钛氧化物、钼钽氮化物、钼钛氮化物中的至少一 个。
[0047] 本实施例的阵列基板上的黑矩阵的表面不再为平整结构，而是为外凸弧面，因此 会大大减小黑矩阵的镜面反射效果，降低显示面板的反射率，改善画面质量。
[0048] 本实施例所述的黑矩阵采用反射率较低的的金属、金属氧化物或氮化物作为材 料，能够有效改善黑矩阵的反光效果，改善画面质量。
[0049] 本发明第二个实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述第一个实施例 所述的阵列基板。
[0050] 本实施例所述的显示装置，由于采用了上述第一个实施例提供具有外凸弧面状的 黑矩阵的阵列基板，可以有效减少金属材料的镜面反射效果，降低显示面板的反射率。因 此，该显示装置具有较好的显示效果及画面质量。
[0051] 其中，本实施例所述的显示装置可以为手机、电子纸、平板电脑、摄像机、照相机、 电视机和导航仪等具有显示功能的产品和部件。
[0052] 本发明第三个实施例提供了一种阵列基板的制作方法的流程图，具体地，所述阵 列基板的制作方法包括：
[0053] 在尚未设置黑矩阵的基板上形成多个阵列设置的像素区域以及形成设置在像素 区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包括外凸弧面，其中，所述黑矩阵的材料包括金属、金属氧 化物和/或金属氮化物。
[0054] 其中，所述黑矩阵的厚度均匀，在形成所述黑矩阵之前形成所述黑矩阵下方的预 定层时，对应于所述黑矩阵外凸弧面的区域形成厚度大于平坦区域的厚度的弧面凸起结 构。
[0055] 优选地，本发明第三个实施例所述的阵列基板为COA阵列基板，所述预定层为所 述有机膜平坦层，具体地，所述的阵列基板的制作方法包括：
[0056] Al?形成彩色滤光片；
[0057] A2.在所述彩色滤光片上形成有机膜平坦层；
[0058] A3.采用灰阶曝光工艺，在有机膜平坦层上对应形成黑矩阵的区域形成厚度大于 该层平坦区域的厚度的弧面凸起结构；
[0059] A4.在有机膜平坦层上方形成黑矩阵，所述黑矩阵形成在所述弧面凸起结构的正 上方，所述黑矩阵为外凸弧面，且厚度均匀。
[0060] 进一步地，所述黑矩阵设置在有机膜平坦层的上方具体可以包括若干种情况，其 中，第一种情况为黑矩阵设置在有机膜平坦层上方的公共电极层上，第二种情况为黑矩阵 设置在有机膜平坦层和公共电极层上方的钝化层上，第三种情况为黑矩阵设置在有机膜平 坦层、公共电极层和钝化层上方的像素电极层上。
[0061] 针对上述第一种情况，参见图6,本发明第三个实施例提供的阵列基板的制作方法 具体包括：
[0062] 步骤101 :按照现有技术完成栅线、栅极绝缘层、有源层、源漏极以及第一钝化层 工艺。
[0063] 步骤102 :进行R，G，B彩色滤色片的制备，在所述第一钝化层上形成彩色滤色片。
[0064] 步骤103 :采用有机膜对彩色滤色片进行平坦化处理，并采用灰阶曝光对有机膜 进行图案化处理，以使得所述有机膜形成弧面凸起结构。例如，该有机膜也可以采用具有感 光性质的树脂材料，直接通过控制灰阶掩膜板不同区域的光透过量，调整不同区域的有机 膜的厚度。
[0065] 在本步骤中，该有机膜凸起结构对应栅线、数据线、薄膜晶体管中的全部或者部分 位置；并且该凸起的顶点与该层平坦区域的上表面的高度差大于IUm以保证黑矩阵材料 沉积于其上之后的镜面反射效果大大减弱。
[0066] 步骤104 :在完成步骤103的阵列基板表面进行透明导电薄膜的沉积、光刻和刻蚀 工艺，完成公共电极的图案化。
[0067] 步骤105 :在完成步骤104的阵列基板表面进行黑矩阵的沉积以及图案化处理，使 对应有机膜弧面凸起结构的黑矩阵材料全部保留以起到遮光的作用。
[0068] 在本步骤中，由于黑矩阵材料表面不再是平整的表面，因此其镜面反射效果会大 大减弱，降低显示面板的反射率，改善画面质量；并且黑矩阵材料和公共电极电连接可以改 善公共电极的均一性。
[0069] 其中，本步骤以金属或者金属合金材料为靶材，采用溅射的方法，在Ar/02或者 Ar/N2气氛中沉积制备得到黑矩阵，具体制作参数可参见下表1，一般地，黑矩阵的厚度为 2-4ym，单位厚度光密度为1-2ym。
[0070] 表 1
[0071]
【主权项】
1. 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个阵列设置的像素区域及位于像 素区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包括外凸弧面，其中，所述黑矩阵的材料包括金属、金属 氧化物和/或金属氮化物。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵的厚度均匀，在所述黑矩 阵下方的预定层中，对应于所述外凸弧面的区域形成有厚度大于平坦区域的厚度的弧面凸 起结构。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述预定层的弧面凸起结构的顶点 与该层平坦区域的上表面的高度差大于Ium。
4. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括彩色滤光片和 形成在所述彩色滤光片上的有机膜平坦层，所述预定层为有机膜平坦层。
5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在所述有机膜平坦层 与所述黑矩阵之间还包括公共电极层，所述黑矩阵设置在所述公共电极层上。
6. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在所述有机膜平坦层 与所述黑矩阵之间还包括公共电极层和钝化层，所述黑矩阵设置在所述钝化层上。
7. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板在所述有机膜平坦层 与所述黑矩阵之间还包括公共电极层、钝化层和像素电极层，所述黑矩阵设置在所述像素 电极层上。
8. 根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵的材料包括钼、 铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钼、铬、铝、钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中 的至少一个或者钼钽氧化物、钼钛氧化物、钼钽氮化物、钼钛氮化物中的至少一个。
9. 一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10. -种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在尚未设置黑矩阵的基板上形成多 个阵列设置的像素区域以及形成设置在像素区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包括外凸弧 面，其中，所述黑矩阵的材料包括金属、金属氧化物和/或金属氮化物。
11. 根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述黑矩阵的厚度均 匀，在形成所述黑矩阵之前形成所述黑矩阵下方的预定层时，对应于所述黑矩阵外凸弧面 的区域形成厚度大于平坦区域的厚度的弧面凸起结构。
12. 根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括： 形成彩色滤光片； 在所述彩色滤光片上形成有机膜平坦层，所述预定层为所述有机膜平坦层。
13. 根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述有机膜平 坦层时，采用灰阶曝光工艺，以形成所述弧面凸起结构。
14. 根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述有机膜平 坦层与形成所述黑矩阵之间，还包括形成公共电极层，所述黑矩阵设置在所述公共电极层 上。
15. 根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述有机膜平 坦层与形成所述黑矩阵之间，还包括形成公共电极层和钝化层，所述黑矩阵设置在所述钝 化层上。
16. 根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述有机膜平 坦层与形成所述黑矩阵之间，还包括形成公共电极层、钝化层和像素电极层，所述黑矩阵设 置在所述像素电极层上。
17.根据权利要求10-16任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述黑矩阵 的材料包括钼、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钼、铬、铝、钛、铜对应的金属氧化物和 金属氮化物中的至少一个或者钼钽氧化物、钼钛氧化物、钼钽氮化物、钼钛氮化物中的至少 一个。
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括多个阵列设置的像素区域及位于像素区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包括外凸弧面，其中，所述黑矩阵的材料包括金属、金属氧化物和/或金属氮化物。本发明提供的阵列基板可以有效降低显示面板的反射率，改善画面质量。
【IPC分类】G02F1-1335
【公开号】CN104765191
【申请号】CN201510218189
【发明人】张锋, 曹占锋, 姚琪
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年4月30日