阵列基板及其制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器件（LiquidCrystalDisplay，简称LCD)和有机发光显示器件 (OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)等显示器件已成为人们生活中的必需品，随 着人们需求的提高，为了提高显示器件的显示品质，避免阵列基板与彩膜基板对盒时的偏 差影响显示器件开口率和出现漏光的问题，彩色滤光片与阵列基板集成在一起的集成技术 (ColorFilteronArray，简称C0A)应运而生。COA技术就是将黑矩阵和彩色滤光片设置 在阵列基板上。
[0003] 现有的黑矩阵一般是采用包覆碳黑颗粒的树脂构成，其介电常数较大。而现有的 COA基板中的黑矩阵一般设置在栅线与公共电极之间和/或数据线与公共电极之间的位 置，会使得公共电极与栅线和/或公共电极与数据线之间产生很大的寄生电容，进而产生 较大的信号延迟，减低显示器件的画面的显示质量。
[0004] 为了解决上述问题，可以采用金属材料代替包覆碳黑颗粒的树脂材料制作黑矩 阵。但是由于金属材料具有一定的反射率，因此显示面板中的金属黑矩阵会反光，造成显示 对比度的下降，影响画面质量，且显示面板的反射率与金属黑矩阵的面积大小相关，面积越 大，反射率越大。
【发明内容】
[0005] 针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，以 解决现有阵列基板中由于金属材料存在较高反射率而导致的显示质量下降的问题。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：
[0007] 第一方面，本发明提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括多个阵列设置的像素 区域及位于像素区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包括外凸弧面，其中，所述黑矩阵的材料包 括金属、金属氧化物和/或金属氮化物。
[0008] 其中，所述黑矩阵的厚度均匀，在所述黑矩阵下方的预定层中，对应于所述外凸弧 面的区域形成有厚度大于平坦区域的厚度的弧面凸起结构。
[0009] 其中，所述预定层的弧面凸起结构的顶点与该层平坦区域的上表面的高度差大于 IUm〇
[0010] 其中，所述阵列基板还包括彩色滤光片和形成在所述彩色滤光片上的有机膜平坦 层，所述预定层为有机膜平坦层。
[0011] 其中，所述阵列基板在所述有机膜平坦层与所述黑矩阵之间还包括公共电极层， 所述黑矩阵设置在所述公共电极层上。
[0012] 其中，所述阵列基板在所述有机膜平坦层与所述黑矩阵之间还包括公共电极层和 钝化层，所述黑矩阵设置在所述钝化层上。
[0013] 其中，所述阵列基板在所述有机膜平坦层与所述黑矩阵之间还包括公共电极层、 钝化层和像素电极层，所述黑矩阵设置在所述像素电极层上。
[0014] 其中，所述黑矩阵的材料包括钼、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钼、铬、铝、 钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个或者钼钽氧化物、钼钛氧化物、钼钽氮 化物、钼钛氮化物中的至少一个。
[0015] 第二方面，本发明提供了一种显示装置，包括上面所述的阵列基板。
[0016] 第三方面，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在尚未设置黑矩阵的基 板上形成多个阵列设置的像素区域以及形成设置在像素区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包 括外凸弧面，其中，所述黑矩阵的材料包括金属、金属氧化物和/或金属氮化物。
[0017] 其中，所述黑矩阵的厚度均匀，在形成所述黑矩阵之前形成所述黑矩阵下方的预 定层时，对应于所述黑矩阵外凸弧面的区域形成厚度大于平坦区域的厚度的弧面凸起结 构。
[0018] 其中，所述的阵列基板的制作方法还包括：
[0019] 形成彩色滤光片；
[0020] 在所述彩色滤光片上形成有机膜平坦层，所述预定层为所述有机膜平坦层。
[0021] 其中，在形成所述有机膜平坦层时，采用灰阶曝光工艺，以形成所述弧面凸起结 构。
[0022] 其中，在形成所述有机膜平坦层与形成所述黑矩阵之间，还包括形成公共电极层， 所述黑矩阵设置在所述公共电极层上。
[0023] 其中，在形成所述有机膜平坦层与形成所述黑矩阵之间，还包括形成公共电极层 和钝化层，所述黑矩阵设置在所述钝化层上。
[0024] 其中，在形成所述有机膜平坦层与形成所述黑矩阵之间，还包括形成公共电极层、 钝化层和像素电极层，所述黑矩阵设置在所述像素电极层上。
[0025] 其中，所述黑矩阵的材料包括钼、铬、铝、钛和铜中的至少一个或者所述钼、铬、铝、 钛、铜对应的金属氧化物和金属氮化物中的至少一个或者钼钽氧化物、钼钛氧化物、钼钽氮 化物、钼钛氮化物中的至少一个。
[0026] 由上述技术方案可知，本发明所述阵列基板上的黑矩阵的表面不再为平整结构， 而是为外凸弧面，因此会大大减小黑矩阵的镜面反射效果，降低显示面板的反射率，改善画 面质量。
【附图说明】
[0027] 为了更清楚地说明本实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技 术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一 些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。
[0028] 图1是本发明第一个实施例的一个具体实施例提供的阵列基板的俯视图；
[0029] 图2是图1所示阵列基板的A-A'面的结构示意图；
[0030] 图3是图1所示阵列基板的B-B'面的结构示意图；
[0031] 图4是本发明第一个实施例的另一个具体实施例提供的阵列基板的A-A'面结构 示意图；
[0032] 图5是本发明第一个实施例的又一个具体实施例提供的阵列基板的A-A'面结构 示意图；
[0033] 图6是本发明第三个实施例提供的阵列基板的制作方法流程图。
【具体实施方式】
[0034] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是 本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035] 本发明第一个实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括多个阵列设置的像 素区域及位于像素区域之间的黑矩阵，所述黑矩阵包括外凸弧面，其中，所述黑矩阵的材料 包括金属、金属氧化物和/或金属氮化物。
[0036] 其中，所述黑矩阵的厚度均匀，在所述黑矩阵下方的预定层中，对应于所述黑矩阵 的外凸弧面的区域形成有厚度大于平坦区域的厚度的弧面凸起结构。
[0037] 优选地，所述预定层的弧面凸起结构的顶点与该层平坦区域的上表面的高度差大 于Iym〇
[0038] 优选地，本发明第一个实施例所述的阵列基板为COA(ColorFilteronArray)阵 列基板，所述阵列基板还包括彩色滤光片和形成在所述彩色滤光片上的有机膜平坦层，上 述预定层优选为有机膜平坦层。即在有机膜平坦层中对应于黑矩阵的外凸弧面的区域形成 有厚度大于该层平坦区域的厚度的弧面凸起结构。优选地，所述有机膜平坦层的弧面凸起 结构的顶点与该层平坦区域的上表面的高度差大于Ium，以保证形成足够的凸起来减少黑 矩阵的材料反射率。
[0039] 参见图1、图2和图3,在本发明第一个实施例的一个具体实例中，所述阵列基板除 了包括上面所述的彩色滤光片6和有机膜平坦层7之外，在所述有机膜平坦层7与所述黑 矩阵11之间还包括公共电极层8,所述黑矩阵11设置在所述公共电极层8上。
[0040] 其中，图1为本发明第一个实施例的一个具体实例提供的阵列基板的俯视图；图2 是图1所示阵列基板的A-A'面的结构示意图；图3是图1所示阵列基板的B-B'面的结构 示意图。
[0041] 图2中，100表示基板，1表示栅线，2表示栅极绝缘层，3表示有源层，4表示数据 线、源漏极，5表示第一钝化层，6表示R/G/B彩色滤光片，7表示有机膜平坦层，8表示公共 电极层，9表示第二钝化层，10表示像素电极层，11表示黑矩阵。后续图3-图5中相应的标 号也表不一样的内容，后续将不再 详述。
[0042] 参见图4,在本发明第一个实施例的另一个具体实例中，所述阵列基板除了包括上 面所述的彩色滤光片6和有机膜平坦层7之外，在所述有机膜平坦层7与所述黑矩阵11之 间还包括公共电极层8和钝化层9,所述黑矩阵11设置在所述钝化层9上。
[0043] 参见图5,在本发明第一个实施例的又一个具体实例中，所述阵列基板除了包括上 面所述的彩色滤光片6和有机膜平坦层7之外，在所述有机膜平坦层7与所述黑矩阵11之 间还包括公共电极层8、钝化层9和像素电极层10,所述黑矩阵11设置在所述像素电极层 10上。
[0044] 上述三个具体实例分别介绍了本发明第一个实施例所述阵列基板中的黑矩阵的 具体设置位置。从图2、4、5可以看出，黑矩阵的位置不受限制，其可以根据需要或