例性实施例示出的一种阵列基板制造方法的流程图；
[0051] 图6是根据另一示例性实施例示出的一种阵列基板制造方法的流程图；
[0052] 图7是根据另一示例性实施例示出的一种阵列基板制造方法的流程图。
[0053] 通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图 和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为 本领域技术人员说明本发明的概念。
【具体实施方式】
[0054] 这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及 附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例 中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附 权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0055] 如图1-1所示，其为TFT及周边电路示意图，TFT通常包括栅电极G、源电极S和漏 电极D，扫描线连接同一列所有TFT的栅电极G，而信号线连接同一行所有TFT的源电极S， 当TFT开启时，信号线的数据写入液晶电容C 1。，位于液晶电容C1。中的液晶像素就加上了信 号电压，然而由于液晶电容C1。的电容值较小，它并无法将电压保持住直到下一次TFT开启， 因此给需要给液晶电容C 1。并联一个储存电容C s来维持电压。而当TFT开关状态改变时， 像素电极（液晶电容C1。两端的电极）上的电压将发生跳变，该跳变会使显示器产生闪烁、 拖尾、灰度错乱的问题，跳变的电压SV满足跳变电压公式，该跳变电压公式为：
【主权项】
1. 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括： 衬底基板； 所述衬底基板上形成有存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一 电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的 材料为碳材料、金属氧化物、导电聚合物中的一种或几种的组合。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述电解质层为聚合物电解质层。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上形成有包括薄膜晶 体管的图案， 包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案是在一次构图工艺中形成 的。
5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述栅极的图案上形成有包括栅绝缘层的图案，所述电解质层与所述包括栅绝缘层的 图案形成于同一层。
6. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上依次形成有包括栅 极的图案和栅绝缘层， 所述第一电极的图案形成于所述栅绝缘层上方。
7. 根据权利要求1至6任一所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。
8. 根据权利要求1至6任一所述的阵列基板，其特征在于， 所述衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极与所述第二电极电连接。
9. 一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底基板上形成存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、 第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层。
10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材 料为碳材料、金属氧化物、导电聚合物中的一种或几种的组合。
11. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于， 所述电解质层为聚合物电解质层。
12. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管 的图案，所述在衬底基板上形成存储电容，包括： 通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体 管中栅极的图案； 在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底基板 上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的图案和包括所述第二电极的图案。
13. 根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述包括所述第一电极 的图案和所述薄膜晶体管中栅极的图案的衬底基板上形成栅绝缘层、包括所述电解质层的 图案和包括所述第二电极的图案，包括： 在形成有所述包括所述第一电极的图案和所述栅极的图案的衬底基板上形成包括所 述栅绝缘层的图案； 通过构图工艺在所述包括所述栅绝缘层的图案的同一层形成所述包括所述电解质层 的图案； 在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成所述包括所述第二电极的 图案。
14. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述衬底基板上依次形成有包括栅极的 图案、栅绝缘层， 所述在衬底基板上形成存储电容，包括： 在所述栅绝缘层上形成包括所述第一电极的图案； 在形成有所述包括所述第一电极的图案的衬底基板上形成包括所述电解质层的图 案； 在形成有所述包括所述电解质层的图案的衬底基板上形成包括所述第二电极的图案。
15. 根据权利要求9至14任一所述的方法，其特征在于， 所述第二电极为所述衬底基板上形成的像素电极。
16. 根据权利要求9至14任一所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成存储电 容之后，所述方法还包括： 在形成有所述第二电极的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极与所述第二电极电 连接。
17. -种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至8任一所述的阵列基 板。
18. 根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板包括：在衬底基板上 依次形成的第一电极、电解质层和第二电极， 所述阵列基板还包括：在形成有所述第二电极的衬底基板上形成的像素电极，所述像 素电极与所述第二电极电连接。
【专利摘要】本发明是关于一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上形成有包括像素电极的图案和存储电容，所述存储电容为超级电容，所述超级电容包括第一电极、第二电极以及形成于所述第一电极和所述第二电极之间的电解质层，所述第二电极与所述像素电极电连接。本发明通过以电容较高的超级电容作为存储电容，而即使减小超级电容两极面积，超级电容也能达到与普通电容相同的电容大小，解决了现有技术中为了减小跳变而增大存储电容两级的面积时，会减小开口率，继而影响显示效果的问题；达到了既减小液晶像素上电压的跳变，又不减小开口率的效果。
【IPC分类】G02F1-1362
【公开号】CN104808409
【申请号】CN201510254643
【发明人】张大成, 董文储
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年5月18日