br>[0072]步骤2、如图6所示，在所述第一黑色矩阵12与下基板11上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵12上的源/漏极13。
[0073]具体地，所述金属薄膜即所述源/漏极13的材料为Mo、T1、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻等工艺过程。
[0074]步骤3、如图7所示，通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极13与第一黑色矩阵12上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极13与第一黑色矩阵12上的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16。所述源/漏极13、有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16构成TFT Tc
[0075]具体地，所述绝缘薄膜即栅极绝缘层15的材料为S1x、SiNx或二者的组合；所述另一层金属薄膜即栅极16的材料为Mo、T1、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻、干蚀刻等工艺过程。
[0076]步骤4、如图8所示，通过化学气相沉积工艺在所述TFT T与下基板11上沉积钝化保护层18，使用第四道掩模板对所述钝化保护层18进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层18的过孔181，以暴露出部分源/漏极13。
[0077]具体地，所述钝化保护层18的材料为S1x、SiNx或二者的组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、干蚀刻等工艺过程。
[0078]步骤5、如图9所示，在所述钝化保护层18上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极19，且像素电极19经由所述过孔181接触源/漏极13，完成阵列基板I的制作。
[0079]具体地，所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
[0080]步骤6、如图10所示，提供一上基板21，在所述上基板21上依次制作色阻层22、公共电极层23，并在公共电极层23上形成光阻间隔物(未图示)，完成彩膜基板2的制作；然后将阵列基板I与彩膜基板2进行对组，在阵列基板I与彩膜基板2之间灌注液晶分子，形成液晶层3，并对阵列基板I与彩膜基板2进行封装。<br>[0081]具体地，所述上基板21优选为玻璃基板。
[0082]上述BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例，在阵列基板I 一侧的下基板11上制作出第一黑色矩阵12后，制作整体位于所述第一黑色矩阵12上的TFT T，第一黑色矩阵12能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层14的光线，能够有效解决因光线照射到TFT T的有源层14而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。另外，使用一掩模板同时制作TFT T的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
[0083]请参阅图11，为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的流程图，该第二实施例对应制作图3所示的BOA型液晶显示面板，包括如下步骤:
[0084]步骤1、如图12所示，提供一下基板11，在所述下基板11上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵12。
[0085]具体地，所述下基板11优选为玻璃基板。所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
[0086]步骤2、如图13所示，在所述第一黑色矩阵12与下基板11上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵12上的源/漏极13。
[0087]具体地，所述金属薄膜即所述源/漏极13的材料为Mo、T1、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻等工艺过程。
[0088]步骤3、如图14所示，通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极13与第一黑色矩阵12上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极13与第一黑色矩阵12上的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16。所述源/漏极13、有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16构成TFT Tc
[0089]具体地，所述绝缘薄膜即栅极绝缘层15的材料为S1x、SiNx或二者的组合；所述另一层金属薄膜栅极16的材料为Mo、T1、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻、干蚀刻等工艺过程。
[0090]步骤4、如图15所示，在所述TFT T与下基板11上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵17，使得所述第二黑色矩阵17与第一黑色矩阵12完全包围TFT To
[0091]步骤5、如图16所示，通过化学气相沉积工艺在所述第二黑色矩阵17与下基板11上沉积钝化保护层18，使用第四道掩模板对所述钝化保护层18进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层18与第二黑色矩阵17的过孔871，以暴露出部分源/漏极13。
[0092]具体地，所述钝化保护层18的材料为Si0x、SiNx或二者的组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、干蚀刻等工艺过程。
[0093]步骤6、如图17所示，在所述钝化保护层18上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极19，且像素电极19经由所述过孔871接触源/漏极13，完成阵列基板I的制作。
[0094]具体地，所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
[0095]步骤7、如图18所示，提供一上基板21，在所述上基板21上依次制作色阻层22、公共电极层23，并在公共电极层23上形成光阻间隔物(未图示)，完成彩膜基板2的制作；然后将阵列基板I与彩膜基板2进行对组，在阵列基板I与彩膜基板2之间灌注液晶分子，形成液晶层3，并对阵列基板I与彩膜基板2进行封装。
[0096]具体地，所述上基板21优选为玻璃基板。
[0097]上述BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例，在阵列基板I 一侧的下基板11上制作出第一黑色矩阵12后，制作整体位于所述第一黑色矩阵12上的TFT T，再在TFTT上再制作第二黑色矩阵17，使得第二黑色矩阵17与第一黑色矩阵12完全包围TFT T，能够遮挡来自于阵列基板I下方的背光模组射向有源层14的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层14的反射光线，更好地防止光线照射到TFT T的有源层14，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质；另外，使用一掩模板同时制作TFT的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16，使用同一掩模板制作第一黑色矩阵12与第二黑色矩阵17，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
[0098]综上所述，本发明的BOA型液晶显示面板，TFT整体位于第一黑色矩阵上，第一黑色矩阵能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线，有效解决因光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，进一步地，在TFT与钝化保护层之间设置第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT，能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法，在阵列基板一侧的下基板上制作出第一黑色矩阵后，制作整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT，第一黑色矩阵能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线，有效解决因光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，进一步地，在TFT上再制作第二黑色矩阵，使得第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT,能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线以及...