来自于侧面及上方的射向有源层的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质；另外，使用一掩模板同时制作TFT的有源层、栅极绝缘层、及栅极，使用同一掩模板制作第一黑色矩阵与第二黑色矩阵，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
[0099]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种BOA型液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板(I)与彩膜基板(2)、及夹设于阵列基板⑴与彩膜基板(2)之间的液晶层(3); 所述阵列基板(I)包括下基板(11)、设于下基板(11)上的第一黑色矩阵(12)、整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)、第一黑色矩阵(12)与下基板(11)的钝化保护层(18)、以及设于所述钝化保护层(18)上且与TFT(T)的源/漏极(13)接触的像素电极(19)； 所述彩膜基板(2)包括上基板(21)、设于所述上基板(21)面向阵列基板(I) 一侧的色阻层(22)、及覆盖所述色阻层(22)与上基板(21)的公共电极(23)。2.如权利要求1所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，还包括设于TFT(T)与钝化保护层(18)之间的第二黑色矩阵(17)，所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT⑴。3.如权利要求1或2所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述TFT(T)为顶栅型结构，包括自下而上依次设于所述第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)。4.如权利要求3所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极(19)经由贯穿所述钝化保护层(18)的过孔(181)接触源/漏极(13)。5.如权利要求3所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极(19)经由贯穿所述钝化保护层(18)与第二黑色矩阵(17)的过孔(871)接触源/漏极(13)。6.—种BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，在阵列基板(I)一侧的下基板(11)上制作出第一黑色矩阵(12)后，制作整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T);在彩膜基板(2) —侧制作色阻层(22)与公共电极(23)。7.如权利要求6所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，在TFT(T)上再制作第二黑色矩阵(17)，使得第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)；且制作所述第一黑色矩阵(12)与第二黑色矩阵(17)使用同一掩模板。8.如权利要求6所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于包括如下步骤: 步骤1、提供一下基板(11)，在所述下基板(11)上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵(12); 步骤2、在所述第一黑色矩阵(12)与下基板(11)上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13); 步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上的有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16); 所述源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)构成TFT(T); 步骤4、通过化学气相沉积工艺在所述TFT (T)与下基板(11)上沉积钝化保护层(18)，使用第四道掩模板对所述钝化保护层(18)进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层(18)的过孔(181)，以暴露出部分源/漏极(13); 步骤5、在所述钝化保护层(18)上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极(19)，且像素电极(19)经由所述过孔(181)接触源/漏极(13)，完成阵列基板⑴的制作； 步骤6、提供一上基板(21)，在所述上基板(21)上依次制作色阻层(22)、公共电极层(23)，完成彩膜基板(2)的制作； 然后将阵列基板(I)与彩膜基板(2)进行对组，在阵列基板(I)与彩膜基板(2)之间灌注液晶分子，形成液晶层(3)，并对阵列基板(I)与彩膜基板(2)进行封装。9.如权利要求7所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于包括如下步骤: 步骤1、提供一下基板(11)，在所述下基板(11)上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵(12); 步骤2、在所述第一黑色矩阵(12)与下基板(11)上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13); 步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上的有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16); 所述源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)构成TFT(T); 步骤4、在所述TFT(T)与下基板(11)上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵(17)，使得所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)； 步骤5、通过化学气相沉积工艺在所述第二黑色矩阵(17)与下基板(11)上沉积钝化保护层(18)，使用第四道掩模板对所述钝化保护层(18)进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层(18)与第二黑色矩阵(17)的过孔(871)，以暴露出部分源/漏极(13); 步骤6、在所述钝化保护层(18)上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极(19)，且像素电极(19)经由所述过孔(871)接触源/漏极(13)，完成阵列基板⑴的制作； 步骤7、提供一上基板(21)，在所述上基板(21)上依次制作色阻层(22)、公共电极层(23)，完成彩膜基板(2)的制作； 然后将阵列基板(I)与彩膜基板(2)进行对组，在阵列基板(I)与彩膜基板(2)之间灌注液晶分子，形成液晶层(3)，并对阵列基板(I)与彩膜基板(2)进行封装。10.如权利要求8或9所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述栅极(16)与源/漏极(13)的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或多种的堆栈组合，所述栅极绝缘层(15)与钝化保护层(18)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。
【专利摘要】本发明提供BOA型液晶显示面板及其制作方法。该BOA型液晶显示面板设置TFT(T)整体位于第一黑色矩阵(12)上，进一步地，在TFT(T)与钝化保护层(18)之间设置第二黑色矩阵(17)，所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)，能够遮挡来自于阵列基板(1)下方的背光模组射向有源层(14)的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层(14)的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。该BOA型液晶显示面板的制作方法，一方面能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，一方面节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
【IPC分类】G02F1/1335, G02F1/1368, G02F1/1362
【公开号】CN104950541
【申请号】CN201510427277
【发明人】曾勉
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年7月20日...