形成多晶硅主动层。该多晶硅主动层用以形成薄膜晶体管中的导电沟道。
[0078]接着，在多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层，可通过沉积SiNx/SOx形成氮氧化硅合层，以起绝缘作用。
[0079]接着，在第二绝缘层上形成与多晶硅主动层对应的栅极层，以形成薄膜晶体管的栅极。
[0080]接着，在栅极层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层，可通过沉积SiNx/SOx形成氮氧化硅合层，以起绝缘作用。
[0081]接着，在第三绝缘层上形成信号层。此处的信号层包括薄膜晶体管的源漏极及与源漏极连接的信号线。
[0082]接着，在信号层和裸露的第三绝缘层上形成平坦层，用以对其下的各层膜起保护作用。
[0083]接着，在平坦层上形成第一钝化层，用以对其下的各层膜起保护及绝缘作用。
[0084]接着，在第一钝化层上形成触控信号层，用以形成触控信号。
[0085]接着，在触控信号层和裸露的第一钝化层上形成第二钝化层，用以对其下的各层膜起保护及绝缘作用。
[0086]接着，在第二钝化层上形成第一电极层。
[0087]接着，在第一电极层和裸露的第二钝化层上形成第三钝化层，用以对其下的各层膜起保护及绝缘作用。
[0088]最后，在第三钝化层上形成第二电极层。
[0089]其中，当像素电极层223作为第一电极层，公共电极层225作为第二电极层时，薄膜晶体管的源极通过贯通平坦层219、第一钝化层220、触控信号层221和第二钝化层222的过孔与像素电极层223连通；触控信号层通过贯通第二钝化层和第三钝化层的过孔与所述公共电极层连通。当公共电极层作为第一电极层，像素电极层作为第二电极层时，薄膜晶体管的源极通过贯通平坦层、第一钝化层、触控信号层、第二钝化层、第一电极层(即公共电极层)和第三钝化层的过孔与第二电极层(即像素电极层)连通；触控信号层通过贯通第二钝化层的过孔与公共电极层连通。
[0090]根据本发明的另一方面，还提供了一种采用以上所述的阵列基板的液晶显示面板。如图2a和2b所示，该液晶显示面板还包括与阵列基板对应的彩膜基板，该彩膜基板包括在基板226上形成的黑色矩阵层227、在黑色矩阵层227和裸露的基板226上形成的红色阻层228和绿色阻层229、在红色阻层228和绿色阻层229上形成的平坦层230、在平坦层230上形成的主隔垫物231和辅隔垫物232，还包括阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子230。
[0091]虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括: 基底； 第一钝化层，其设置于所述基底上； 触控信号层，其设置于所述第一钝化层上； 第二钝化层，其设置于所述触控信号层和裸露的第一钝化层上； 第一电极层，其设置于所述第二钝化层上； 第三钝化层，其设置于所述第一电极层和裸露的第二钝化层上； 第二电极层，其设置于所述第三钝化层上。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述公共电极层连通。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层的过孔与所述公共电极层连通。6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层中的电极为面状电极，所述第二电极层中的电极为条状电极。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括: 遮光层，其设置于基板上； 第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上； 多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上； 第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上； 栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极； 第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上； 信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线； 平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上， 其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层和所述第二钝化层的过孔与所述像素电极层连通。8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述基底包括: 遮光层，其设置于基板上； 第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上； 多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上； 第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上； 栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极； 第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上； 信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线； 平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上， 其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层、所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述像素电极层连通。9.一种用于以上权利要求1-8中任一项所述阵列基板的制作方法，包括: 在基板上形成遮光层； 在所述遮光层和裸露的基板上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成多晶硅主动层； 在所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层； 在所述第二绝缘层上形成与所述多晶硅主动层对应的栅极层，用以形成薄膜晶体管的栅极； 在所述栅极层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层； 在所述第三绝缘层上形成信号层，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线； 在所述信号层和裸露的第三绝缘层上形成平坦层； 在所述平坦层上形成第一钝化层； 在所述第一钝化层上形成触控信号层； 在所述触控信号层和裸露的第一钝化层上形成第二钝化层； 在所述第二钝化层上形成第一电极层； 在所述第一电极层和裸露的第二钝化层上形成第三钝化层； 在所述第三钝化层上形成第二电极层。10.一种采用以上权利要求1-8中任一项所述阵列基板的液晶显示面板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板，该阵列基板包括：基底；第一钝化层，其设置于基底上；触控信号层，其设置于第一钝化层上；第二钝化层，其设置于触控信号层和裸露的第一钝化层上；第一电极层，其设置于第二钝化层上；第三钝化层，其设置于第一电极层和裸露的第二钝化层上；第二电极层，其设置于第三钝化层上。本发明可以增加阵列基板的像素中的存储电容值。
【IPC分类】G02F1/1343, G02F1/1333, G02F1/1362
【公开号】CN105242435
【申请号】CN201510732914
【发明人】林建宏, 李亚锋
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年11月2日