阵列基板及制作方法、液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]由于低温多晶硅LTPS具有高迀移率的优点，在进行像素设计时，采用LTPS制作的TFT开关的宽长比就可以设计的很小，从而有利于实现更高PPI (Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)产品的设计。近些年来，由于采用LTPS的触控面板制程简单、液晶盒整体的厚度减小而受到各家面板厂的青睐。可是当PPI增加时，像素面积就会明显减小。那么对单个像素而言，其对应的存储电容也会随之变小。随着存储电容的减小，像素对电荷的存储能力就会变弱，当TFT发生漏电时，就会严重影响液晶显示面板的显示效果。
【发明内容】
[0003]为解决以上问题，本发明提供了一种阵列基板及制作方法、液晶显示面板，用以增加阵列基板的像素中的存储电容值。
[0004]根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，包括:
[0005]基底；
[0006]第一钝化层，其设置于所述基底上；
[0007]触控信号层，其设置于所述第一钝化层上；
[0008]第二钝化层，其设置于所述触控信号层和裸露的第一钝化层上；
[0009]第一电极层，其设置于所述第二钝化层上；
[0010]第三钝化层，其设置于所述第一电极层和裸露的第二钝化层上；
[0011 ] 第二电极层，其设置于所述第三钝化层上。
[0012]根据本发明的一个实施例，所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层。
[0013]根据本发明的一个实施例，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层。
[0014]根据本发明的一个实施例，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述公共电极层连通。
[0015]根据本发明的一个实施例，所述触控信号层与所述像素电极层具有重合区域，其通过贯通所述第二钝化层的过孔与所述公共电极层连通。
[0016]根据本发明的一个实施例，所述第一电极层中的电极为面状电极，所述第二电极层中的电极为条状电极。
[0017]根据本发明的一个实施例，所述基底包括:
[0018]遮光层，其设置于基板上；
[0019]第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上；
[0020]多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上；
[0021]第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上；
[0022]栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极；
[0023]第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上；
[0024]信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
[0025]平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上，
[0026]其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层和所述第二钝化层的过孔与所述像素电极层连通。
[0027]根据本发明的一个实施例，所述基底包括:
[0028]遮光层，其设置于基板上；
[0029]第一绝缘层，其设置于所述遮光层和裸露的基板上；
[0030]多晶硅主动层，其设置于所述第一绝缘层上；
[0031]第二绝缘层，其设置于所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上；
[0032]栅极层，其设置于所述第二绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的栅极；
[0033]第三绝缘层，其设置于所述栅极层和裸露的第二绝缘层上；
[0034]信号层，其设置于所述第三绝缘层上，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
[0035]平坦层，其设置于所述信号层和裸露的第三绝缘层上，
[0036]其中，所述源极通过贯通所述平坦层、所述第一钝化层、所述触控信号层、所述第二钝化层、所述第一电极层和所述第三钝化层的过孔与所述像素电极层连通。
[0037]根据本发明的另一个方面，还提供了一种用于以上任一项所述阵列基板的制作方法，包括:
[0038]在基板上形成遮光层；
[0039]在所述遮光层和裸露的基板上形成第一绝缘层；
[0040]在所述第一绝缘层上形成多晶娃主动层；
[0041]在所述多晶硅主动层和裸露的第一绝缘层上形成第二绝缘层；
[0042]在所述第二绝缘层上形成与所述多晶硅主动层对应的栅极层，用以形成薄膜晶体管的栅极；
[0043]在所述栅极层和裸露的第二绝缘层上形成第三绝缘层；
[0044]在所述第三绝缘层上形成信号层，用以形成薄膜晶体管的源极和漏极及与所述源极和漏极连接的信号线；
[0045]在所述信号层和裸露的第三绝缘层上形成平坦层；
[0046]在所述平坦层上形成第一钝化层；
[0047]在所述第一钝化层上形成触控信号层；
[0048]在所述触控信号层和裸露的第一钝化层上形成第二钝化层；
[0049]在所述第二钝化层上形成第一电极层；
[0050]在所述第一电极层和裸露的第二钝化层上形成第三钝化层；[0051 ] 在所述第三钝化层上形成第二电极层。
[0052]根据本发明的另一个方面，还提供了一种采用以上任一项所述阵列基板的液晶显示面板。
[0053]本发明的有益效果:
[0054]本发明不仅将传统阵列基板中像素电极层和公共电极层之间的绝缘层由原来的两层减少到一层，一定程度上增加了像素的存储电容值。同时，还增加了触控信号层和像素电极层之间形成的存储电容，与传统的LTPS像素内置触控面板相比，本发明中阵列基板的像素中的存储电容值有了大幅度增加。
[0055]本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0056]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:
[0057]图la是传统的LTPS像素内置触控面板的TFT处截面结构示意图；
[0058]图lb是图la在数据线处对应的截面结构示意图；
[0059]图2a是根据本发明的一个实施例的采用本发明的阵列基板的液晶显示面板TFT处截面结构示意图；以及
[0060]图2b是图2a在数据线处对应的截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0061]以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0062]如图la所示为传统的LTPS像素内置触控面板的TFT处截面结构示意图，如图lb