蚀刻装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及蚀刻装置。所述蚀刻装置包括：能够被抽空的腔室；第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压。电介质板被附接于第一电极的正表面的面对基板的非目标表面的外缘部分的部分。
【专利说明】蚀刻装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及在向电极施加电压的同时蚀刻基板的蚀刻装置。
【背景技术】
[0002]图21是示出日本专利公开N0.10-20473中公开的干蚀刻装置的示意性布置的示图。图22A是该干蚀刻装置的下电极结构的平面图。图22B是图22A的截面图。图23与常规装置相比较地示出日本专利公开N0.10-20473中公开的第一实施例中的晶片平面内的蚀刻速度分布。电极811和812被布置于蚀刻腔室(chamber) 810中以相互面对。上电极811接地。其上安装作为目标基板的半导体晶片813的下电极812经由匹配电路814与高频电源815连接。
[0003]如图23中的虚线所示，常规的蚀刻装置展示出大的蚀刻速度差E1，所述蚀刻速度差El是在具有最大值的中心部分与具有最小值的周边部分之间的差值。出于这个原因，在日本专利公开N0.10-20473中公开的蚀刻装置中，如图22A和图22B所示，用作高频衰减部件的盘状石英板821被置于电极812的上中心表面部分上，半导体晶片813被安装在石英板821上，并且具有开口的石英板822被置于电极812的周边部分上以与半导体晶片813的正表面(obverse surface)几乎齐平。如图23中的实线所示,这降低中心部分处的蚀刻速度，由此将蚀刻速度差设为E2(E2〈E1)。
[0004]图24是日本专利公开N0.2007-109770中公开的干蚀刻装置的示意性截面图。托盘(tray) 915容纳多个基板902。日本专利公开N0.2007-109770中的干蚀刻装置旨在通过以高的接触程度在基板基座上保持基板来提高基板的冷却效率，并在包含外周缘附近的部分的基板的正表面的整个区域上使得处理均匀。
[0005]图24所示的干蚀刻装置901的托盘915包含在厚度方向上贯通(extendthrough)托盘的基板容纳孔919A至919D、以及支撑基板902的下表面的外周缘部分的基板支撑部分921。电介质板923包含支撑托盘915的下表面的托盘支撑表面、以及从托盘915的下表面侧插入到基板容纳孔919A至919D中的基板安装部分929A至929D。基板902被安装于基板安装部分929A至929D的基板安装表面上，所述基板安装表面是基板安装部分929A至929D的上端面。DC电压施加机构943向静电吸附电极940施加DC电压。传热气体供给机构945向基板902与基板安装表面之间供给传热气体。
[0006]蚀刻装置所需要的性能之一是能够均匀地加工蚀刻材料。为了提高生产率，已尝试了增大基板的面积和/或在一次处理中处理多个基板。即，已出现对可在大面积上均一地执行蚀刻的蚀刻装置的需求。
[0007]日本专利公开N0.10-20473中公开的干蚀刻装置可在蚀刻一个半导体晶片时防止中心部分与周边部分之间的蚀刻深度差。但是，日本专利公开N0.10-20473没有公开当蚀刻容纳于一个托盘中的多个基板时防止容纳于托盘的中心部分中的基板与容纳于托盘的周边部分中的基板之间的蚀刻深度差。
[0008]另一方面，日本专利公开N0.2007-109770中公开的干蚀刻装置可通过凭借静电吸引在基板安装表面上直接安装基板，来在包含外周缘附近的部分的基板表面的整个区域上实现均匀的等离子体处理。但是，日本专利公开N0.2007-109770没有公开当蚀刻容纳于一个托盘中的多个基板时防止容纳于托盘的中心部分中的基板与容纳于托盘的周边部分中的基板之间的蚀刻深度差。在当前的发明人的知识范围内，没有可用于解决该问题的手段。
【发明内容】
[0009]本发明提供有利于在蚀刻容纳于托盘中的多个基板时减小托盘的径向方向和/或基板的径向方向中的蚀刻深度不均匀性的技术。
[0010]根据本发明的一个方面的蚀刻装置包括:能够被抽空(evacuated)的腔室；第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压，其中，电介质板被附接于第一电极的正表面的面对基板的非目标表面的外缘部分的部分。
[0011]根据本发明的另一方面的蚀刻装置包括:能够被抽空的腔室；第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压，其中，电介质板沿第一电极的正表面的周缘部分被设置，以面对基板的非目标表面的周缘部分。
[0012]从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的进一步的特征将变得明显。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是根据本发明的第一蚀刻装置的示意性截面图。
[0014]图2是示出在第一蚀刻装置的托盘中心的周围以等角度间隔保持四个基板的状态的平面图。
[0015]图3是根据本发明的第一电极的第二实施例的示意性截面图。
[0016]图4是示出第二实施例中在托盘中心的周围以等角度间隔保持四个基板的状态的平面图。
[0017]图5A是第一电极的示意性截面图。
[0018]图5B示出图5A中的第一电极附近的静电电容和电势的等效电路。
[0019]图6是示出在托盘中心的周围以等角度间隔保持四个基板的状态的平面图。
[0020]图7是根据本发明的第一电极的第三实施例的示意性截面图。
[0021]图8是示出第五实施例中保持在托盘中心的第一基板和以等角度间隔保持在托盘中心的周围的四个第二基板的平面图。
[0022]图9是根据本发明的第一电极的第四实施例的示意性截面图。
[0023]图10是示出第六实施例中保持在托盘中心的第一基板和以等角度间隔保持在托盘中心的周围的三个第二基板的平面图。
[0024]图11是示出保持在托盘中心的第一基板和以等角度间隔保持在托盘中心的周围的四个第二基板的平面图。
[0025]图12是根据本发明的第一电极的第五实施例的示意性截面图。
[0026]图13是示出第五实施例中以等角度间隔保持在托盘中心的周围的四个基板的平面图。
[0027]图14是根据本发明的第一电极的第六实施例的示意性截面图。
[0028]图15是根据本发明的第一电极的第七实施例的示意性截面图。
[0029]图16是根据本发明的第一电极的第八实施例的示意性截面图。
[0030]图17是根据本发明的第一电极的第九实施例的示意性截面图。
[0031]图18是根据本发明的第一电极的第十实施例的示意性截面图。
[0032]图19是根据本发明的第一电极的第十一实施例的示意性截面图。
[0033]图20是根据本发明的第一电极的第十二实施例的示意性截面图。
[0034]图21是示出根据相关技术(日本专利公开N0.10-20473)的干蚀刻装置的示意性布置的示图。
[0035]图22A和图22B示出根据相关技术(日本专利公开N0.10-20473)的干蚀刻装置的平面图和截面图。
[0036]图23是与常规装置相比较地示出根据相关技术(日本专利公开N0.10-20473)的干蚀刻装置中的晶片平面内的蚀刻速度分布的平面图和截面图。
[0037]图24是根据相关技术(日本专利公开N0.2007-109770)的干蚀刻装置的示意性截面图。
[0038][附图标记列表]
[0039]I 腔室
[0040]2第一电极
[0041]3 电源
[0042]4 托盘
[0043]5 夹具
[0044]6排气端口
[0045]7气体供给机构
[0046]8 基板
[0047]9电介质板
[0048]10匹配箱
[0049]11第二电极
[0050]12绝缘体
【具体实施方式】
[0051]当前的发明人已基于以下的发现作出本发明。
[0052]将参照图5A和图5B描述当前的发明人的发现。图5A是用于详细解释第一电极2的截面图。基板8通过支撑于托盘4的边缘上而安装于托盘4上。电极2包含保持其上安装基板8的托盘4的夹具(clamp) 5。夹具5保持通过托盘传送机构(未示出)传送到腔室中的托盘4。夹具5移动以在第一电极2上安装托盘4。
[0053]如图5A所示，第一电极2的正表面(即，放置托盘4侧的表面)不是水平的，而基板8的反表面(reverse surface)是水平的。出于这个原因，第一电极2的下表面和基板8的反表面(上表面)之间的距离在第一电极2的径向方向上改变。将参照图5B描述图5A中的a-a和b-b所示的部分之间的电路的差异。
[0054]在图5B中，“A”和“B”示出图5A中的a-a和b-b所示的部分的等效电路。在从第一电极2到腔室中的等离子体的方向上，令Ve为第一电极2的电势，Vra和Vrb为基板8的反表面(上表面)上的电势，Vga和Vgb为基板8的正表面(下表面)上的电势，以及Vp为等离子体的电势。Vra和Vrb分别表示图5A中的a_a和b_b处的基板的反表面(上表面)上的电势。Vga和Vgb分别表不图5A中的a_a和b_b处的基板8的正表面(下表面)上的电势。
[0055]另外，在从第一电极2到腔室中的等离子体的方向上，令Ca和Cb为第一电极2的正表面与基板8的反表面(上表面)之间的静电电容，Cga和Cgb为基板8的静电电容，以及Csa和Csb为基板8的正表面(下表面)与等离子体之间的等离子体壳层(plasma sheath)的静电电容。Ca、Cga和Csa表不图5A中的a_a处的静电电容。Cb、Cgb和Csb表不图5A中的b-b处的静电电容。
[0056]将描述图5B中的“A”和“B”中的静电电容。基板8在径向方向上具有相同的介电常数和相同的厚度，由此基板8的静电电容Cga和Cgb彼此相等。与此相对照，虽然介电常数相同，但由于距离不同，因此第一电极2的正表面与基板8的反表面(上表面)之间的静电电容被给定为Ca〈Cb。
[0057]经由基板8的等离子体与第一电极2之间的静电电容C与Vp-Ve成反比，Vp-Ve是等离子体电势Vp与第一电极2的电势Ve之间的差值。由于等离子体电势Vp在电极的径向方向上几乎恒定，并且第一电极2是金属，因此电势Ve在第一电极2的径向方向上是恒定的。即，经由基板8的等离子体与第一电极2之间的静电电容C在图5B中的“A”和“B”中保持几乎相同。
[0058]入射基板8的离子的能量与Vp-Vga和Vp-Vgb对应,Vp-Vga和Vp-Vgb是等离子体电势Vp与基板8的正表面(下表面)上的电势Vga和Vgb之间的差值。Vp-Vga和Vp-Vgb分别与基板8的正表面(下表面)上形成的等离子体壳层的静电电容Csa和Csb成反比。通过从经由基板8的等离子体与第一电极2之间的静电电容C的倒数1/C减去第一电极2与基板8的反表面(上表面)之间的静电电容的倒数Ι/Ca或Ι/Cb和基板8的静电电容的倒数Ι/Cga或Ι/Cgb,获得静电电容Csa和Csb的倒数Ι/Csa和1/Csb。S卩，1/Csa = 1/C-1/Ca-1/Cga，并且 1/Csb = I/C-1/Cb-1/Cgb。
[0059]如上所述，经由基板8的等离子体与第一电极2之间的静电电容C在图5B中的“A”和“B”中保持几乎相同，并且基板8的静电电容Cga和Cgb彼此相等。另外，由于第一电极2的正表面与基板的反表面之间的静电电容之间的大小关系被给定为Ca〈Cb，因此等离子体壳层的静电电容Csa和Csb之间的大小关系被给定为1/Csa〈l/Csb。S卩，由于图5A中的b-b处的第一电极2的正表面与基板8的反表面(上表面)之间的距离比图5A中的a-a处的所述距离长，因此图5B中的“A”和“B”中的入射基板8的离子的能量Vp-Vga和Vp-Vgb被给定为Vp-VgaCVp-Vgb。即，当前的发明人已发现,可以通过在蚀刻安装于托盘4上的基板8时通过使第一电极2的正表面与基板8的反表面(上表面)之间的距离在电极的径向方向上改变而改变第一电极2的径向方向上的离子能量,来改善第一电极2的径向方向上的蚀刻分布的均匀性。
[0060]如上所述，当前的发明人已发现，当蚀刻安装于托盘4上的基板8时，通过使第一电极2的被施加高频电力的正表面与基板8的反表面(上表面)之间的距离在电极的径向方向上改变，可以控制入射基板8的能量并改善第一电极2的径向方向上的蚀刻分布。
[0061]本发明是基于以上的发现，例如这样的发现:在处理两个基板的蚀刻装置中，可以通过设定第一电极2的正表面与基板8的反表面(上表面或面对第一电极2的表面)之间的距离以改变第一电极2的径向方向上的该距离，来改善安装于托盘周边部分上的基板和安装于托盘中心部分上的基板上的蚀刻分布。
[0062](第一实施例)
[0063]图1是根据第一实施例的第一蚀刻装置的示意性截面图。如图1所示，第一蚀刻装置包括能够抽空的腔室I和被施加电力的第一电极2作为主要构成元件。另外，蚀刻装置包括用于向第一电极2施加蚀刻处理所需要的电力的电源3。在腔室I中，通过绝缘体
12(例如，诸如IeflQn?的树脂)安装包含夹具5(由诸如氧化铝的金属化合物制成的部件)的第一电极2，该夹具5保持托盘4 (例如，由诸如氧化铝的金属化合物制成的部件)，该托盘4保持基板8。绝缘体12是使腔室I与第一电极2电绝缘的部件。第一电极2包含能够支撑托盘4的外周缘部分的托盘支撑部分。托盘4可保持多个基板8，并且可被加载到腔室I中及从腔室I卸载。腔室1、第一电极2和绝缘体12构成能够抽空的闭合空间。电源3(电压施加单元)向腔室I中的第一电极2施加电压。
[0064]诸如真空泵的排气(exhaust)装置通过传导阀等(未示出)与腔室I的排气端口6连接。包含流量控制器(MFC)的气体供给机构7与腔室I连接以供给处理气体。气体供给机构7将处理气体以设定的流速供给到腔室I中。可以根据蚀刻材料单独或混合使用各种类型的气体作为处理气体，例如，诸如氩(Ar)的稀有气体用于不使用反应性气体的溅射蚀刻，以及氟碳气体、基于氯的气体和氧用于使用反应性气体的反应离子蚀刻(RIE)。虽然第二电极(下电极)11在图1中被设置为面对第一电极2，但第二电极11不是必需的。
[0065]蚀刻装置可包含匹配箱(matching box) 10。如图6所示,托盘4可用沿圆周以等角度间隔布置在托盘4的中心的周围的基板保持部分保持至少两个基板。图6中的托盘4具有在基板8的厚度方向上贯通托盘4的多个基板容纳孔41a、41b、41c和41d，以及能够保持基板8的整个周缘部分的基板保持部分42a、42b、42c和42d。基板保持部分42a、42b、42c和42d各自可被配置为能够保持基板8的周缘部分的一部分。当用第一电极(上电极)2保持托盘4时，优选使用图6所示的托盘4来稳定地保持基板8。当用第二电极11保持托盘4时，也优选使用图6所示的托盘4。
[0066]如图2所示，在图1所示的第一蚀刻装置中，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面，即上表面)的外缘部分的与托盘4的周边部分(由图2中的点划线同心圆示出的部分)对应的部分。在图1中的干蚀刻装置中，基板保持部分42a、42b、42c和42d保持安装于托盘4上的基板8的周缘部分。另外，托盘4包含保持托盘4的夹具5。因此，预测将在基板8的位于托盘4的周边部分(由图2中的点划线同心圆示出的部分)上的部分和基板8的剩余部分上出现不均匀的蚀刻分布。第一蚀刻装置可通过将电介质板9附接于面对在托盘4的周边部分(由图2中的点划线同心圆示出的部分)处的基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)的外缘部分(由图2中的阴影示出的部分)的第一电极2的正表面，来改善托盘4的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在图1所示的第一蚀刻装置中，第一电极2和第二电极11分别用作上电极和下电极。但是，仅仅要求使得第一电极2面对第二电极11。即，当第一电极2和第二电极11分别用作下电极和上电极时，该实施例也包含第一电极2和第二电极11被设置在腔室I的侧壁上以相互面对的情况。
[0067](第二实施例)
[0068]图3是根据第二实施例的第一电极2的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。如图6所示，托盘4在托盘4的中心的周围以等角度间隔保持四个基板。在第二实施例中，如图4所示，可以通过将电介质板9沿第一电极2的正表面的周缘部分附接以面对设置在托盘4的周边部分上的四个基板的非目标表面的周缘部分，来改善各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第二实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11 (未示出)用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11(未示出)用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0069](第三实施例)
[0070]图7是根据第三实施例的第一电极的示意性截面图。图7所示的第三实施例的基本布置与上述的图1中的蚀刻装置的基本布置相同。如图11所示，托盘4在托盘4的中心保持第一基板，并且在托盘4的中心的周围以等角度间隔保持至少四个第二基板。图11所示的托盘4具有在基板8的厚度方向上贯通托盘4的多个基板容纳孔41a、41b、41c、41d和41e，以及能够保持基板8的整个周缘部分的基板保持部分42a、42b、42c、42d和42e。基板保持部分42a、42b、42c、42d和42e各自可被设置为能够保持基板8的周缘部分的一部分。当用第一电极2(上电极)保持托盘4时，优选使用图11所示的托盘4来稳定地保持基板
8。当用第二电极11保持托盘4时，也优选使用图11所示的托盘4。在第三实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11 (未示出)用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11 (未不出)用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0071]如第三实施例中的图8所示，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面，即上表面)的外缘部分的与托盘4的周边部分(由图8中的点划线同心圆示出的部分)对应的部分。在第三实施例中，基板保持部分42a、42b、42c、42d和42e保持基板8的整个周缘部分。另外，托盘4包含保持托盘4的夹具5。因此，预测将在基板8的位于托盘4的周边部分(由图8中的点划线同心圆示出的部分)上的部分和基板8的剩余部分上出现不均勻的蚀刻分布。可以通过将电介质板9附接于第一电极2的正表面以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面，即上表面)的外缘部分的与托盘4的周边部分(由图8中的点划线同心圆示出的部分)对应的部分，来改善托盘的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。
[0072](第四实施例)
[0073]图9是根据第四实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。如图11所示，托盘4在托盘4的中心保持第一基板，并且在托盘4的中心的周围以等角度间隔保持至少四个第二基板。图11所示的托盘4仅需要在托盘4的中心保持第一基板，并在托盘4的中心的周围以等角度间隔保持至少两个第二基板。如图10所示，在第四实施例中，电介质板9被附接到面对由托盘4保持的五个基板8的周缘部分附近的部分的部分。这使得可以改善各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第四实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11 (未示出)用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11 (未示出)用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0074](第五实施例)
[0075]图12是根据第五实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第五实施例中，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面，即上表面)的与托盘4的周边部分(由图13中的点划线示出的两个同心圆对中的外部同心圆对所示出的部分)对应的部分。另外，第二电介质板9被附接于第一电极2的正表面，以面对保持于托盘4的中心侧(由图13中的点划线示出的两个同心圆对中的内部同心圆对所示出的部分)的基板8的非目标表面的端部(由图13中的点划线示出的两个同心圆对中的内部同心圆对的由阴影示出的部分)。第二电介质板9比电介质板9薄。这可改善托盘4的径向方向和各基板8的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第五实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11 (未示出)用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11 (未不出)用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0076](第六实施例)
[0077]图14是根据第六实施例的第一电极2的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第六实施例中，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。另外，面对基板8的非目标表面的中心部分的电介质板9b比面对基板8的非目标表面的端部的电介质板9a和9c厚。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第六实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0078](第七实施例)
[0079]图15是根据第七实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第七实施例中，从第一电极2的第一端部到第二端部逐步增大厚度的电介质板9a、9b和9c (例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第七实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0080](第八实施例)
[0081]图16是根据第八实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第八实施例中，从第一电极2的第一端部到第二端部逐步减小厚度的电介质板9a、9b和9c (例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第八实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0082](第九实施例)
[0083]图17是根据第九实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第九实施例中，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。另外，面对托盘4的中心部分的电介质板9b比面对托盘4的端部的电介质板9a薄。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第九实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0084](第十实施例)
[0085]图18是根据第十实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第十实施例中，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。面对托盘4的中心部分的电介质板9b比面对托盘4的端部的电介质板9a厚。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第十实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0086](第H^一实施例)
[0087]图19是根据第i^一实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第十一实施例中，电介质板9(例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。另外，各电介质板9从面对基板8的非目标表面的第一端部的部分9a到面对基板8的非目标表面的第二端部的部分9b连续增大厚度。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第十一实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0088](第十二实施例)
[0089]图20是根据第十二实施例的第一电极的示意性截面图。基本布置与第一蚀刻装置中的基本布置相同。在第十二实施例中，电介质板9 (例如，由诸如氧化铝的陶瓷形成的部件)被附接于第一电极2的正表面，以面对基板8的非目标表面(不面对第二电极11的表面)。另外，各电介质板9从面对基板8的非目标表面的第一端部的部分9a到面对基板8的非目标表面的第二端部的部分9b连续减小厚度。这使得可以改善托盘4的径向方向和各基板的径向方向上的蚀刻分布的不均匀性。在第十二实施例中，第一电极2用作上电极(第二电极11用作下电极)。但是，当第一电极2用作下电极(第二电极11用作上电极)时，该实施例也包含第一电极2被设置在腔室I的侧壁上以面对第二电极11的情况。
[0090]虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围要被赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。
【权利要求】
1.一种蚀刻装置，包括: 能够被抽空的腔室； 第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压， 其中，电介质板被附接于第一电极的正表面的面对基板的非目标表面的外缘部分的部分。
2.根据权利要求1的蚀刻装置，其中，所述多个基板以等角度间隔安装在托盘中心的周围。
3.根据权利要求1的蚀刻装置，其中，所述多个基板包含保持在托盘中心的第一基板、以及以等角度间隔保持在托盘中心的周围的至少两个第二基板。
4.根据权利要求1的蚀刻装置，其中，第二电介质板被附接于第一电极的正表面的面对基板的非目标表面的外缘部分的部分，所述电介质板被置于托盘的周边部分侧，所述第二电介质板被置于托盘的中心部分侧，并且所述第二电介质板比所述电介质板薄。
5.一种蚀刻装置，包括: 能够被抽空的腔室； 第一电极，被设置在腔室中，并包含被配置为支撑托盘的托盘支撑部分，所述托盘能保持多个基板并将基板加载到腔室中及从腔室卸载基板；以及电压施加单元，被配置为向第一电极施加电压， 其中，电介质板沿第一电极的正表面的周缘部分被设置，以面对基板的非目标表面的周缘部分。
6.根据权利要求5的蚀刻装置，其中，所述多个基板包含保持在托盘中心的第一基板、以及以等角度间隔保持在托盘中心的周围的至少两个第二基板，并且所述电介质板沿第一电极的正表面的周缘部分被设置，以面对第二基板的非目标表面的周缘部分。
7.根据权利要求1或5的蚀刻装置，其中，托盘被设置有在基板的厚度方向上贯通托盘的多个基板容纳孔。
8.根据权利要求1或5的蚀刻装置，还包括被设置为面对第一电极的第二电极。
【文档编号】H01J37/32GK104167379SQ201410207252
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年5月16日 优先权日:2013年5月17日
【发明者】铃木英和, 柴垣真果, 关口笃史 申请人:佳能安内华股份有限公司