专利名称：：制备ZnAl靶材的方法以及制得的ZnAl靶材的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种用于透明导电氧化物薄膜的ZnAI靶材的制备技术。
背景技术：
：透明导电氧化物(Transparentconductiveoxide，简称TC0)薄膜具有可见光谱区透过率高和导电性能优越的特征，在平面液晶显示器、场致发射显示器、电致发光显示器、阳光控制膜和薄膜太阳能电池透明电极等领域得到广泛的应用。TCO薄膜主要包括In、Sn、Zn和Cd等的氧化物及其掺杂或复合的多元氧化物薄膜材料，如ln203、Sn02、Zn0、IT0(In203:Sn)、FT0(Sn02:F)、In2Sn05、Zn2Sn04、Cdln204、Galn03、CdSb206等。但综合考虑其性能和价格因素，目前应用得最为广泛的是ITO和FTO透明导电膜。对于ITO薄膜，通常采用磁控溅射的方法制备，但由于铟为稀有元素，在自然界中的存储量十分有限，因而ITO靶材价格高，导致ITO薄膜的成本高，不利于其大面积的推广应用；对于FTO薄膜，其透过率在氢等离子气氛中会产生衰减，限制了其在某些领域尤其是薄膜太阳能电池领域的应用。此外，FTO薄膜通常采用化学气相沉积的方法来制备，其所需的原材料中Sn的前驱体金属有机化合物(如四甲基锡)的成本高，致使FTO薄膜的价格一直居高不下。因此，急需开发综合性能优良且具有成本优势的TCO薄膜。在目前诸多的TCO薄膜技术中，掺铝氧化锌(Aluminumdopedzinoxide，简称AZO)薄膜是最具发展潜力的。采用溅射的方法制备AZO透明导电薄膜，必须需要相应的靶材。根据材料的不同，用于制备AZO薄膜的靶材可以分成两大类(1)由ZnO和A1203组成的陶瓷靶；(2)由Zn和Al组成的金属靶。相比较而言，ZnAI金属靶具有较低的烧结温度、较高的AZO薄膜沉积速率、镀膜过程中氧含量的可控性以及较低的成本，因而更受青睐。然而，由现有ZnAl靶材制备技术而得到的靶材，无法同时满足高质量AZO薄膜所需的致密度高、晶粒尺寸细小、以及组织结构和化学组成分布均匀的特点。目前，ZnAI靶的制备技术可分为以下几种(1)铸造法，该方法是将Zn和Al原料熔化后，混合浇铸而成，由于Zn熔体密度(6.57g/cm3)和Al熔体密度(2.38g/cm3)差别大，易使靶材内部化学组成分布不均匀，且得到的Zn和Al的晶粒尺寸较大(在1002000ym之间)；(2)喷射沉积法，该方法是将熔融的Zn、Al金属雾化后快速凝固沉积而成，由此法制备的靶材致密度不高，难以达到90%以上；(3)常压或热压烧结法，该方法以Zn粉和Al粉为初始原材料，经压制成型后，在空气、氮气或氩气气氛中进行常压烧结或热压烧结，该方法虽然在一定程度上避免了不均匀性的问题，但是有可能将杂质引入靶材，且烧结所需时间长，能耗大，所得晶粒尺寸一般在几十微米至几百微米之间。例如，韩彬等人在《Zn粉和Al粉固相扩散形成共晶类组织的研究》(航空材料学报第21巻第2期，2001年6月)中以Zn粉和Al粉为初始原材料，经冷压制或热压制成型后在电阻炉中进行烧结，整个烧结过程需要40140小时才能开始致密化，烧结体晶粒尺寸在几十微米以上；(4)复合法，专利CN1238543C中涉及到一种ZnAI合金的制备方法，将熔化后得到的ZnAI合金锭采用单辊急冷法得到合金带，然后将合金带进行粉碎，最后采用热压的方法进行烧结，该方法虽然解决了铸造法中的均匀性问题，但是制备工艺较为复杂，工艺3流程长，且无法避免热压法所存在的缺陷。因此，本领域需要寻找一种ZnAl靶材的制备方法，它能使靶材同时具有致密度高、晶粒尺寸细小以及化学组成和组织结构都均匀的特点，从而有利于获得大面积高质量的均匀性好的AZ0透明导电薄膜。
发明内容本发明的目的在于提供一种制备ZnAl靶材的方法，由该方法制得的靶材具有高的致密度、细微的晶粒尺寸以及化学组成和组织结构均匀的特点，由该靶材得到的AZ0薄膜是IT0和FT0的良好替代品，尤其是在太阳能透明电极领域具有广阔的应用前景。本发明的另一个目的在于提供一种ZnAl靶材，该靶材具有高的致密度、细微的晶粒尺寸以及化学组成和组织结构均匀的特点，由该靶材得到的AZ0薄膜是IT0和FT0的良好替代品，尤其是在太阳能透明电极领域具有广阔的应用前景。本发明一方面提供了一种制备ZnAl合金靶材的方法，所述方法包括以下步骤(1)提供锌粉和铝粉的混合物；(2)通过放电等离子烧结工艺烧结锌粉和铝粉的混合物得到ZnAl合金。在本发明的一个优选实例中，所述提供锌粉和铝粉的混合物的步骤如下进行将金属Zn粉和Al粉放入球磨罐中进行球磨；球磨结束后，在20-9(TC或者真空条件干燥0.5-24小时。在本发明的一个优选实例中，所述球磨包括低温球磨以及湿法球磨等。在本发明的一个优选实例中，所述球磨的条件包括200r/分钟1500r/分钟的转速和1-48小时的球磨时间。在本发明的一个优选实例中，Zn粉的含量为80-小于100%，Al粉的含量在20-大于0%;较好地，Zn粉的含量为90-99.99%，Al粉的含量为10-0.01%;更好地，Zn粉的含量为95-99%，Al粉的含量为5-1%，以所述Zn粉和Al粉的总重量计。在本发明的一个优选实例中，所述Zn粉和/或A1粉的粒度为100-1000目，较好为100-500目，更好为300-500目，最好为800-1000目。在本发明的一个优选实例中，所述放电离子烧结工艺如下进行将锌粉和铝粉的混合物装入石墨或金属模具之中，然后将模具放入放电等离子烧结炉中在真空环境下进行放电等离子烧结。本发明还提供了一种用于制备透明导电氧化物薄膜的ZnAl靶材，所述ZnAl靶材由本发明所述的方法制备。本发明还提供了一种用于制备透明导电氧化物薄膜的ZnAl靶材，所述ZnAl靶材的相对密度大于或等于96%和/或晶粒尺寸小于或等于10微米。在本发明的一个优选实例中，所述相对密度为96-99.5%，更好为97_98.5%，最好为98-99.5%;和/或，所述晶粒尺寸为0.1-10微米，较好为1-8微米，更好为1_5微米，最好为1-4微米。在本发明的一个优选实例中，所述ZnAl靶材包括Zn粉的含量为80%-小于100%的Zn和20%-大于0%的Al;较好地，所述ZnAl耙材包括90%-99.99%的Zn和10%-0.01X的A1;更好地，所述ZnAl耙材包括95%_99%的2!1和5%-1X的A1，以所述ZnAl耙材的总重量计。在本发明的一个优选实例中，所述ZnAl靶材的化学组成和组织结构分布均匀。本发明的优点在于所制备靶材同时具有致密度高(采用排水法通过AlfaMirageSD-200L密度测试仪测出相对密度大于96X)，晶粒尺寸细小(用FEIN0VA200NanoLabSEMFIB双束系统观察其平均晶粒尺寸小于10微米)，且化学组成和组织结构分布均匀的优点，克服了现有技术中存在的问题。此外，本发明所述的制备技术縮短了烧结时间，烧结温度较低，在提高效率和节约能源方面具有重要的意义。本发明的主要特征在于采用放电等离子烧结技术，使靶材具有高的致密度、细微的晶粒尺寸以及化学组成和组织结构均匀的特点，由该靶材得到的AZO薄膜是ITO和FTO的良好替代品，尤其是在太阳能透明电极领域具有广阔的应用前景。本发明所涉及的ZnAl靶材的放电等离子烧结制备技术，是在模具和样品中直接施加大的直流脉冲电流，通过热效应和场效应使金属Zn和Al粉末颗粒之间或孔隙内产生瞬间的高温等离子，这种高活性离子化的气体能促使Zn和Al产生高速扩散和迁移，从而促进烧结致密化的快速完成。它具有烧结温度低，烧结时间短，烧结体致密度高，可获得细小的晶粒，材料组织致密和结构均匀等特点。图1描述了实施例1所得ZnAl合金的X衍射图谱。图2描述了实施例2所得ZnAl合金的扫描电镜图。图3描述了实施例3中所用的温度曲线。图4描述了实施例3所得ZnAl合金的实物图。具体实施例方式在本发明中，如果没有特别的说明，百分数(％)或者份都指重量百分数或者重量份。在本发明中，如果没有特别的说明，所涉及的各组分或其优选组分可以相互组合形成新的技术方案。在本发明中，如果没有相反的说明，组合物中各组分的含量之和为100%。在本发明中，如果没有相反的说明，组合物中各组分的份数之和可以为100重量份。在本发明中，除非有其他说明，数值范围"a-b"表示a到b之间的任意实数组合的縮略表示，其中a和b都是实数。例如数值范围"0-5"表示本文中已经全部列出了"0-5"之间的全部实数，"0-5"只是这些数值组合的縮略表示。在本发明中，除非有其他说明，整数数值范围"a-b"表示a到b之间的任意整数组合的縮略表示，其中a和b都是整数。例如整数数值范围"1-N"表示1、2……N，其中N是整数。在本发明中，除非有其他说明，"其组合"表示所述各元件的多组分混合物，例如两种、三种、四种以及直到最大可能的多组分混合物。如果没有特别指出，本说明书所用的术语"一种"指"至少一种"。5本文所公开的"范围"以下限和上限的形式。可以分别为一个或多个下限，和一个或多个上限。给定范围是通过选定一个下限和一个上限进行限定的。选定的下限和上限限定了特别范围的边界。所有可以这种方式进行限定的范围是包含和可组合的，即任何下限可以与任何上限组合形成一个范围。例如，针对特定参数列出了60-120和80-110的范围，理解为60-110和80-120的范围也是预料到的。此外，如果列出的最小范围值1和2，和如果列出了最大范围值3，4和5，则下面的范围可全部预料到1-3、1-4、l-5、2-3、2-4、和2_5。在本发明中，"合金"或者"靶材"具有相同的含义，都表示由金属与另一种(或几种)金属或非金属所组成的具有金属通性的物质。在本发明中，"化学组成和组织结构分布均匀"表示靶材中各个位置的Al相在Zn相晶粒间分布均一，无A1相的大面积富集区或空置区，且Al相的晶粒尺寸基本保持一致，Zn相的晶粒尺寸也基本保持一致。本发明一方面提供了一种制备ZnAl合金靶材的方法，所述方法包括以下步骤(1)提供锌粉和铝粉的混合物；(2)通过放电等离子烧结工艺烧结锌粉和铝粉的混合物得到ZnAl合金。在本发明所述的制备ZnAl合金靶材的方法中，所述提供锌粉和铝粉的混合物的步骤是常规的，本领域的普通技术人员根据本发明的描述再结合现有技术可以直接得到。例如，陈汉宾等人在《放电等离子烧结制备Al-Zn-Mg-Cu纳米晶合金的组织》(北京科技大学学报第29巻第3期，2007年3月)中已经公开了制备粉末混合物的方法。在本发明的一个优选实例中，所述提供锌粉和铝粉的混合物的步骤如下进行将金属Zn粉和Al粉放入球磨罐中进行球磨；球磨结束后，在20-9(TC或者真空条件干燥0.5-24小时。在本发明中，所述球磨方法是常规的，本领域的普通技术人员根据本发明的描述再结合现有技术可以直接进行所述球磨。通常，所述球磨包括低温球磨以及湿法球磨等。在常用球磨方法中，所采用的球石一般包括但不限于氧化铝、氧化锆、不锈钢、玛瑙球石或其组合；球磨介质一般包括但不限于甲醇、乙醇、丙酮或乙二醇等(湿法球磨的情况下)或者液氮等(低温球磨的情况下)。在本发明中，球石/粉料/介质的重量比是常规的，本领域的普通技术人员根据具体应用基于现有技术可以直接得到它们的重量比。通常，球石/粉料/介质的重量比为20:220:12.5。在本发明中，所述球磨条件是常规的，本领域的普通技术人员可以根据实际情况选择球磨条件。在本发明的一个优选实例中，所述球磨的条件包括200r/分钟1500r/分钟的转速下和1-48小时的球磨时间。在本发明中，原料中Zn粉的含量为但不限于80-小于100%，Al粉的含量在20-大于0%。在本发明的一个优选实例中，所述Zn粉的含量为90-99.99%，Al粉的含量为10-0.01%。在本发明的另一个优选实例中，所述Zn粉的含量为95-99%，Al粉的含量为5-1%，以所述Zn粉和Al粉的总重量计。在本发明中，Zn粉或Al粉的粒度是常规的，它可以是本领域中常用的任意粒度。在本发明的一个优选实例中，所述Zn粉和/或Al粉的粒度为100-1000目，较好为100-500目，更好为300-500目，最好为800-1000目。在本发明的一个优选实例中，所述提供锌粉和铝粉的混合物的步骤还可进一步包括筛分。所述筛分以本领域中常用的方法进行，例如使用筛子进行筛分。在本发明中，通过放电等离子烧结工艺烧结锌粉和铝粉的混合物得到ZnAl合金的步骤是常规的，本领域的普通技术人员根据本发明的描述再结合现有技术可以直接得到。例如，陈汉宾等人在《放电等离子烧结制备A1-Zn-Mg-Cu纳米晶合金的组织》(北京科技大学学报第29巻第3期，2007年3月)中已经公开了所述放电等离子烧结工艺。在本发明的一个优选实例中，所述放电离子烧结工艺如下进行将锌粉和铝粉的混合物装入石墨或金属模具之中，然后将模具放入放电等离子烧结炉中在真空环境下进行放电等离子烧结。在本发明中，所述放电等离子烧结工艺的条件是常规的，本领域的普通技术人员根据实际情况可直接确定其条件。在本发明的一个优选实例中，所述放电等离子烧结工艺的条件如下真空度为l-10Pa，轴向压力为10MPa以上，烧结温度为280-40(TC，升温速度为20°C/分钟_300°C/分钟(通过调控脉冲电流控制)，保温时间为1-30分钟。在本发明所述的方法中，还可进一步包括后处理步骤，例如将烧结体根据实际需要进行切割、抛光等加工，得到ZnAl靶材。本发明另一方面还提供了一种用于制备透明导电氧化物薄膜的ZnAl靶材，所述ZnAl靶材由本发明所述的方法制备。本发明还提供了一种用于制备透明导电氧化物薄膜的ZnAl靶材，所述ZnAl靶材的相对密度大于或等于96%和/或晶粒尺寸小于或等于10微米。在本发明的一个优选实例中，所述相对密度为96-99.5%，更好为97_98.5%，最好为98-99.5%。在本发明的一个优选实例中，所述晶粒尺寸为O.l-10微米，较好为l-8微米，更好为l-5微米，最好为1-4微米。在本发明的一个优选实例中，所述ZnAl靶材的化学组成和组织结构分布均匀。在本发明的ZnAl靶材中，Zn和Al的用量是常规的，本领域的普通技术人员根据本发明说明书的描述再结合其专业知识可以直接得到Zn和Al的用量。在本发明的一个优选实例中，Zn的含量为但不限于80-小于100%，A1的含量在20-大于0%。在本发明的另一个优选实例中，所述Zn的含量为90-99.99%，A1的含量为10-0.01%。在本发明的另一个优选实例中，所述Zn的含量为95-99%，Al的含量为5_1%，以所述ZnAl靶材的总重量计。下面结合实施例进一步说明本发明。本领域的普通技术人员可以理解本发明的范围并不局限于此。实施例在本发明中，所述的相对密度是指靶材的实际密度与理论密度之比，以百分数表示。其中，耙材实际密度由排水法通过AlfaMirageSD-200L密度测试仪测出，耙材理论密度可根据靶材初始原料的重量比以及Zn粉和Al粉的密度计算出。在本发明中，所述的晶粒尺寸由扫描电镜(FEIN0VA200NanoLabSEMFIB)观测样品的横截面，然后根据电镜照面直接读出晶粒的尺寸大小。采用离子束切割以保持晶界的清晰和晶粒的完整，取300个晶粒进行统计，得出靶材的平均晶粒尺寸。在本发明中，所述的"均匀"是指靶材中各个位置的Al相在Zn相晶粒间分布均一，无A1相的大面积富集区或空置区，且A1相的晶粒尺寸基本保持一致，Zn相的晶粒尺寸也基本保持一致。实施例1称取30.63g纯度为99.9%粒径为200目的锌粉，再称取0.61g纯度为99.9%粒径为300目的铝粉，放入装有70g氧化铝球石的球磨罐(南京大学仪器厂提供的聚氨酯球磨罐)中，加入6ml的无水乙醇(分析纯)，密封后在250r/min的转速下球磨3h。取出浆料，在7(TC下空气中干燥20h，经200目筛网过筛后得到烧结所需的粉末混合物。称取3g上述粉末混合物，装入直径为12mm的石墨模具中，然后放入放电等离子烧结系统(SPSSYNTEXINC的SPS-1050型)中进行烧结。当真空度达到5Pa时，开始以IO(TC/min的升温速度进行升温，到35(TC后开始保温，保温时间为90秒，烧结过程中的轴向压力为50MPa。达到保温时间后，切断电流，随炉冷却到IO(TC以下取出石墨模具。脱模后将烧结体进行抛光后处理，即可得到ZnAl靶材。采用排水法通过密度测试仪(ALFAMIRAGE的SD-200L型)测出相对密度为97.9%，如图1显示该靶材的X射线衍射图谱(XRD;Rigaku的RINT2000型)，由图可以看出烧结后靶材纯度高，整个制备工艺流程无氧化物等杂质引入。靶材的平均晶粒尺寸为2.3践。实施例2称取173.4g纯度为99.99%粒径为300目的锌粉，再称取3.6g纯度为99.99%粒径为200目的铝粉，放入装有354g氧化铝球石的球磨罐中，加入50ml的无水乙醇(分析纯)，密封后在370r/min的转速下球磨20h。取出浆料，在8(TC下真空干燥4h，经500目筛网过筛后得到烧结所需的粉末混合物。称取29.6g上述粉末混合物，装入直径为36mm的石墨模具中，然后放入放电等离子烧结系统中进行烧结。当真空度达到5Pa时，开始以50°C/min的升温速度进行升温，到375t:后开始保温，保温时间为10min，烧结过程中的轴向压力为40MPa。达到保温时间后，切断电流，随炉冷却到IO(TC以下取出石墨模具，脱模后将烧结体进行抛光后处理，即可得到ZnAl耙材。采用排水法通过SD-200L密度测试仪测出相对密度为98.5%，如图2显示该靶材的内部结构的扫描电镜图(FEIN0VA200NanoLabSEMFIB)，为了获取真实清晰的靶材微观结构，采用离子束对靶材进行断面切割后再观察。由图可以看出靶材致密度高，无孔隙，平均晶粒尺寸3iim，Al相均匀地分布在Zn相之中。实施例3称取400g纯度为99.9%粒径为300目的锌粉，再称取3g纯度为99.99%粒径为300目的铝粉，放入装有850g氧化铝球石的球磨罐中，加入95ml的无水乙醇(分析纯)，密封后在700r/min的转速下球磨24h。取出浆料，在25t:下真空干燥24h，经500目筛网过筛后得到烧结所需的粉末混合物。称取5.3g上述粉末混合物，装入直径为12mm的石墨模具中，然后放入放电等离子烧结系统中进行烧结。当真空度达到2Pa时，开始以约30°C/min的升温速度进行升温，到384t:后开始保温，保温时间为5min，烧结温度曲线如图3所示，烧结过程中的轴向压力为30MPa。达到保温时间后，切断电流，随炉冷却到IO(TC以下取出石墨模具，脱模后将烧结体进行抛光等后处理，即可得到ZnAl靶材。如图4为靶材的实物图，采用排水法通过SD-200L密度测试仪测出相对密度为99.1%。靶材的平均晶粒尺寸为3.9iim。实施例4称取200g纯度为99.99%粒径为500目的锌粉，再称取3.lg纯度为99.99%粒径为300目的铝粉，放入装有390g氧化铝球石的球磨罐中，加入25ml的无水乙醇(分析纯)，密封后在900r/min的转速下球磨18h。取出浆料，在7(TC下真空干燥6h，经500目筛网过筛后得到烧结所需的粉末混合物。称取57.2g上述粉末混合物，装入直径为50mm的石墨模具中，然后放入放电等离子烧结系统中进行烧结。当真空度达到5Pa时，开始以约50°C/min的升温速度进行升温，到34(TC后开始保温，保温时间为15min，烧结过程中的轴向压力为60MPa。达到保温时间后，切断电流，随炉冷却到IO(TC以下取出石墨模具，脱模后将烧结体进行抛光等后处理，即可得到ZnAl靶材。采用排水法通过SD-200L密度测试仪测出相对密度为97.1%。靶材的平均晶粒尺寸为4.6ym。实施例5称取400g纯度为99.9%粒径为800目的锌粉，再称取20g纯度为99.99%粒径为500目的铝粉，放入装有850g氧化铝球石的球磨罐中，加入85ml的无水乙醇(分析纯)，密封后在1100r/min的转速下球磨24h。取出浆料，在25t:下真空干燥24h，经500目筛网过筛后得到烧结所需的粉末混合物。称取29.6g上述粉末混合物，装入直径为36mm的石墨模具中，然后放入放电等离子烧结系统中进行烧结。当真空度达到2Pa时，开始以约30°C/min的升温速度进行升温，到388t:、39rC或394t:后开始保温，保温时间为10min，烧结过程中的轴向压力为30MPa。达到保温时间后，切断电流，随炉冷却到IO(TC以下取出石墨模具，脱模后将烧结体进行抛光等后处理，即可得到ZnAl靶材。靶材的相对密度和平均晶粒尺寸如表1所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>权利要求一种制备ZnAl合金靶材的方法，所述方法包括以下步骤(1)提供锌粉和铝粉的混合物；(2)通过放电等离子烧结工艺烧结锌粉和铝粉的混合物得到ZnAl合金。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供锌粉和铝粉的混合物的步骤如下进行将金属Zn粉和Al粉放入球磨罐中进行球磨；球磨结束后，在20-9(TC或者真空条件干燥0.5-24小时。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述球磨包括低温球磨以及湿法球磨等。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述球磨的条件包括200r/分钟1500r/分钟的转速和1-48小时的球磨时间。5.如权利要求l所述的方法，其特征在于，Zn粉的含量为80-小于100X，Al粉的含量在20-大于0%;较好地，Zn粉的含量为90-99.99%，Al粉的含量为10-0.01%;更好地，Zn粉的含量为95-99%，Al粉的含量为5_1%，以所述Zn粉和Al粉的总重量计。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Zn粉和/或Al粉的粒度为100-1000目，较好为100-500目，更好为300-500目，最好为800-1000目。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放电离子烧结工艺如下进行将锌粉和铝粉的混合物装入石墨或金属模具之中，然后将模具放入放电等离子烧结炉中在真空环境下进行放电等离子烧结。8.—种用于制备透明导电氧化物薄膜的ZnAl靶材，所述ZnAl靶材由权利要求1所述的方法制备。9.一种用于制备透明导电氧化物薄膜的ZnAl靶材，所述ZnAl靶材的相对密度大于或等于96%和/或晶粒尺寸小于或等于10微米。10.如权利要求9所述的ZnAl耙材，其特征在于，所述相对密度为96-99.5%，更好为97-98.5%，最好为98-99.5%;和/或，所述晶粒尺寸为0.l-10微米，较好为1_8微米，更好为1-5微米，最好为1-4微米。11.如权利要求9所述的ZnAl靶材，其特征在于，所述ZnAl靶材包括Zn粉的含量为80%-小于100%的Zn和20%-大于0%的Al;较好地，所述ZnAl耙材包括90%-99.99%的Zn和10%-0.01%的Al;更好地，所述ZnAl耙材包括95%-99%的Zn和5%-1%的Al，以所述ZnAl耙材的总重量计。12.如权利要求9所述的ZnAl靶材，其特征在于，所述ZnAl靶材的化学组成和组织结构分布均匀。全文摘要提供了一种制备ZnAl合金靶材的方法，所述方法包括以下步骤(1)提供锌粉和铝粉的混合物；(2)通过放电等离子烧结工艺烧结锌粉和铝粉的混合物得到ZnAl合金。还提供了一种由上述方法得到的ZnAl合金靶材。文档编号C23C14/14GK101775578SQ20091000293公开日2010年7月14日申请日期2009年1月12日优先权日2009年1月12日发明者刘付胜聪,曾浩申请人:E.I.内穆尔杜邦公司