专利名称：一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶的制作方法
技术领域：
本实用新型属于薄膜制备技术领域，具体为一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶。
背景技术：
磁控溅射真空镀膜技术是利用磁场控制工作气体辉光放电产生的等离子体轰击靶材，在基底上沉积薄膜的方法，在薄膜制备技术领域较为常见。采用溅射法制备薄膜，靶材的选取尤为重要，通常直流磁控溅射大都采用导电性好的金属靶进行镀膜，可以在基底上沉积金属薄膜，也可以通入反应气体如氧气制备氧化物薄膜。制备多成分的薄膜相对较难，共溅射不仅设备庞大，而且制备薄膜的成分比难以控制，制备掺杂氧化物薄膜时，熔炼合金靶过程较为复杂，且易引入杂质，通常都是购买由专业制作靶材的公司订制，而将两种及两种以上的金属靶进行拼接是一个简单有效的办法。
发明内容本实用 新型的目的在于提出一种简单实用的用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶。本实用新型提出的一种金属拼接靶，由至少两块厚度一致、直径一致的扇形金属圆盘拼接而成，所有扇形金属圆盘的内角之和为360°。改变扇形金属盘的内角可制备不同元素比、不同成分比的薄膜。溅射时放电环面积大小发生变化，所得薄膜成分也随之变化。本实用新型的有益效果:一种金属拼接靶，可用来制备合金薄膜、氧化物掺杂薄膜以及氧化物复合薄膜，简单方便、经济适用。
图1本实用新型的一种金属拼接靶结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例进一步描述本实用新型:实施例1，如图1为一种金属拼接靶结构示意图，由A和B两种金属组成，如A和B两种金属分别可以是Sn和In或Al和Zn或Ti和Zn或Ga和Zn等,采用反应直流磁控派射制备薄膜，忽略各金属溅射产额等因素的影响，可粗略计算所溅射薄膜的元素百分比。设放电环的外径为R，内径为r，扇形金属圆A的内角为S，金属A和B的密度、元素原子量和摩尔数分别为P A、P B，MA、Mb和nA、nB圆盘的厚度为d,位于放电环内的金属A和B的面积分别为SJPSb,则
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权利要求1.一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶，其特征是:该靶用于磁控溅射制备薄膜，由至少两块厚度一致、直径一致的扇形金属圆盘拼接而成，所有扇形金属圆盘的内角之和为360°。
2.根据权利要求1所述的金属拼接靶，其特征是:改变扇形金属盘的内角可制备不同元素比、不同成分比的薄膜。
3.根据权利要求1所述的金属拼接靶，其特征是:溅射时放电环面积大小发生变化，所得薄 膜成分也随之变化。
专利摘要本实用新型涉及一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶。现有的技术在制备多成分的薄膜时比较难，共溅射不仅设备庞大，而且制备薄膜的成分比难以控制。本实用新型由至少两块厚度一致、直径一致的扇形金属圆盘拼接而成，所有扇形金属圆盘的内角之和为360o。改变扇形金属盘的内角可制备不同元素比、不同成分比的薄膜。溅射时放电环面积大小发生变化，所得薄膜成分也随之变化。本实用新型可用来制备合金薄膜、氧化物掺杂薄膜以及氧化物复合薄膜，简单方便。
文档编号C23C14/35GK203112922SQ20132011594
公开日2013年8月7日 申请日期2013年3月14日 优先权日2013年3月14日
发明者黄延伟 申请人:杭州电子科技大学