清洗系统及其化学气相沉积设备的制作方法

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种免停机拆洗真空管道的清洗系统以及化学气相沉积设备。

背景技术：

平板显示行业所采用的等离子体化学气相沉积设备(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，通常用于制备含硅材料的膜层，如无定形硅a-Si，以及各种硅的化合物(SiO2、SixNy等)。如图1所示，PECVD设备包括工艺腔1’和真空泵2’，工艺腔1’和真空泵2’通过真空管道3’相连接。然而，实际使用过程中，真空泵2’经常卡死，以致PECVD设备频繁性地停机，严重降低了生产效率。

经研究发现，PECVD设备在使用一段时间后，真空管道3’内会存在一些白色粉末状沉积物，使得真空泵2’对工艺腔1’抽真空时，真空管道3’内的沉积物进入真空泵2’，从而造成真空泵2’之转子以及泵腔之间的间隙堵塞，卡死真空泵2’。

为了解决上述问题，惯用的做法是定期地拆卸真空管道并送外清洗。但是，此做法不仅繁琐，而且设备停机时间长，维护成本高。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种清洗系统以及化学气相沉积设备，在不需要拆卸真空管道，尤其是不停机的情况下，便可以完成对真空管道的清洗，以解决PECVD设备在维护过程中成本高、操作繁琐、停机时间长等问题。

在一个实施例中，为实现上述目的，本实用新型提供了一种用于真空管道清洗的清洗系统，所述清洗系统包括检测装置、离化装置、抽吸装置和开关装置；

所述检测装置设置于所述真空管道上并用于检测所述真空管道内沉积物的含量；所述离化装置连接所述真空管道并用于将能与所述沉积物反应的清洁物质注入所述真空管道；所述抽吸装置连接并用于抽吸所述真空管道；所述开关装置设置于所述真空管道上并用于在沉积物的含量超过预设上限值时切断所述真空管道。

优选地，所述清洗系统还包括与所述检测装置、离化装置、抽吸装置以及开关装置通讯连接的控制装置，所述控制装置用于控制所述开关装置切断所述真空管道，以及用于控制所述离化装置和所述抽吸装置开启。

优选地，所述真空管道包括并联设置的多个真空管道单元，所述检测装置设置于至少一个真空管道单元上，所述离化装置和抽吸装置对应连接所述至少一个真空管道单元；其中，所述开关装置用于切断所述至少一个真空管道单元并实现剩余真空管道单元中至多一个真空管道单元的连接。

优选地，所述清洗系统还包括与所述至少一个真空管道单元连接的清扫管道，通过所述清扫管道将清洁气体注入所述至少一个真空管道单元。

优选地，与所述至少一个真空管道单元连接的所述离化装置为多个，所述抽吸装置通过多个抽吸管路与所述至少一个真空管道单元连接。

优选地，所述至少一个真空管道单元上设置有多个检测装置。

优选地，所述清洁物质为氟自由基，所述氟自由基与含硅元素的所述沉积物反应生成挥发性物质。

进一步，本实用新型还提供了一种化学气相沉积设备，包括沉积腔、真空管道以及真空泵，所述真空管道的一端连接所述沉积腔，另一端连接所述真空泵，且所述化学气相沉积设备还包括上述任一项所述的清洗系统。

优选地，所述化学气相沉积设备之真空管道包括并联设置的两个真空管道单元。

与现有技术相比，本实用新型的清洗系统以及化学气相沉积设备，通过检测装置实时监测真空管道内沉积物的含量，一旦真空管道内沉积物的含量超过预设上限值，通过开启离化装置便可将能够与沉积物发生反应的清洁物质引入真空管道，另通过开启抽吸装置便可以抽出真空管道内的反应物。如此一来，清洗真空管道时，免去了拆卸真空管道的麻烦，而且无需送外清洗，节省了清洗时间和清洗成本，特别地，由于本实用新型的清洗系统为在线清洗，故而可以缩短化学气相沉积设备的停机时间，提高生产效率。

更特别地，本实用新型的真空管道包括并联的多个真空管道单元，所述检测装置设置于至少一个真空管道单元上，也可以设置在不同的真空管道单元上，所述离化装置和抽吸装置可选择性地连接至少一个真空管道单元。这样，当至少一个真空管道单元内沉积物的含量超过预设上限值时，对应的真空管道单元便与化学气相沉积设备断开，并同时保证剩余真空管道单元中最多一个真空管道单元与化学气相沉积设备连接，如此，可以实现对多个并联的真空管道单元进行交替清洗的功能，从而一方面避免了因一个真空管道单元清洗而引起的化学气相沉积设备停机问题，保证了清洗和生产可以同时作业，另一方面多个真空管道单元可以交替使用，提高了生产效率，降低了维护成本。

附图说明

图1是现有技术中PECVD设备的结构框图；

图2是本实用新型实施例一的清洗系统与PECVD设备相连接的结构框图；

图3是本实用新型实施例二的清洗系统与PECVD设备相连接的结构框图；

图4是本实用新型实施例三的清洗系统与PECVD设备相连接的结构框图。

图2-4的附图标记说明如下：

1-沉积腔；

2-真空管道；

21-主真空管道单元；22-辅助真空管道单元；

3-真空泵；

4-洗涤装置；

110-检测装置；

120-离化装置；

130-抽吸装置；

140-控制装置；

150-清扫管道；

160-抽吸管路；

S-沉积物传感器；

V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12-阀门。

具体实施方式

以下结合附图2至图4和具体实施例对本实用新型提出的一种清洗系统以及化学气相沉积设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

<实施例一>

参考图2，其是本实用新型实施例一的清洗系统与PECVD设备相连接的结构框图，本实施例的清洗系统适用于对生产设备中使用的真空管道进行在线清洗，该生产设备特别是等离子体化学气相沉积设备(简称PECVD设备)。为了简明起见，以下描述中以PECVD设备作为示意，对清洗系统在线清洗真空管道的结构和原理作详细的说明，但不应以此作为对本实用新型的限定。

如图2所示，所述PECVD设备包括沉积腔1、真空管道2和真空泵3，所述真空管道2的一端连接沉积腔1，所述真空管道2的另一端连接真空泵3。所述真空泵3用于对沉积腔1抽真空，而所述沉积腔1即为实施等离子化学气相沉积工艺的反应室。本实施例的清洗系统包括检测装置110、离化装置120、抽吸装置130和开关装置(图中未示出)。

所述检测装置110设置于真空管道2上，用于检测真空管道2内沉积物的含量。

所述离化装置120连接真空管道2(可选连接位置靠近沉积腔1)，用于将能够与所述沉积物反应的清洁物质注入真空管道2，以清除真空管道2内的沉积物。

所述抽吸装置130连接真空管道2(可选连接位置相较于离化装置120远离沉积腔1)，用于抽吸真空管道2，比如真空抽吸等，从而抽去真空管道2内残留的物质(该残留的物质包括反应产物以及通入的清洁物质等)。

所述开关装置部分设置于真空管道2上，用于实现真空管道2的通断。所述开关装置在本实施例中为阀门，如电磁阀、单向阀、截止阀等。例如图2中，所述开关装置包括设置在邻近真空泵3的输入端的一个阀门V1、以及在邻近沉积腔1的输出端设置的另一个阀门V2，分别用于实现真空管道2与真空泵3和沉积腔1间的通断。所述开关装置还包括控制离化装置120和抽吸装置130的阀门。

在PECVD设备使用过程中，所述清洗系统10在线清洗真空管道2的原理如下：

首先，通过检测装置110实时检测真空管道2内沉积物(对应于等离子体化学气相沉积工艺，该沉积物为含硅元素的化合物)的含量；一旦所述真空管道2内沉积物的含量超过预设上限值，通过所述开关装置切断真空管道2与真空泵3和沉积腔1之间的连接，随后，分别开启离化装置120和抽吸装置130；开启后，通过离化装置120输出的清洁物质来与真空管道2内沉积物进行反应生成易挥发的物质(如SiF4)，进而同步通过抽吸装置130将真空管道2内反应产生的物质抽出管道外；最后，清洗完毕后，关闭离化装置120和抽吸装置130即可。

优选方案中，所述清洗系统还包括控制装置140，所述检测装置110、离化装置120、抽吸装置130和开关装置均与控制装置140通讯连接，用于实现控制装置140对各个装置的自动化调控，这样可以实现真空管道的在线自动化清洗，提高清洗效率。具体地，所述控制装置140在沉积物的含量超过所述预设上限值时，控制所述开关装置切断真空管道2，以及控制离化装置120和抽吸装置130开启。

优选地，清洗过程中，当所述检测装置110所检测的沉积物的含量到达预设下限值时，所述控制装置140控制离化装置120关闭，更优选地，延迟一定时间后，所述控制装置140控制抽吸装置130关闭。在此，所述预设上限值和下限值为人工设定的数据，其可以数据形式存储于控制装置140中。所述控制装置140可采用现有的PLC等控制装置，本领域技术人在本申请公开的内容基础上，应当知晓如何实现控制装置与其他设备诸如检测装置110、离化装置120、抽吸装置130和开关装置的通讯连接。例如，当所述检测装置110所检测的沉积物的含量到达预设上限值时，所述控制装置140发送一个高电平信号至开关装置，当开关装置接收到该高电平信号时，便开启以切断生产中的真空管道2，之后，所述控制装置140接收到开关装置的开启信号后，便发送另一个高电平信号至离化装置120和抽吸装置130，当离化装置120和抽吸装置130接收到所述另一个高电平信号时，便开启以对被切断的真空管道2进行清洗。反之，当所述检测装置110所检测的沉积物的含量到达预设下限值时，所述控制装置140发送一个低电平信号至离化装置120和抽吸装置130，当离化装置120和抽吸装置130接收到该低电平信号时，便关闭以结束真空管道2的清洗动作。

更优选地，所述清洗系统还包括与真空管道2连接的清扫管道150，以通过清扫管道150将清洁气体注入真空管道2，这样一方面可实现真空管道的破真空，另一方面便于管道内壁附着的残留物因失去真空吸附力而掉落，进而掉落的残留物可通过抽吸装置130排出。具体来说，清洗过程中，在离化装置120关闭后，延迟一定时间关闭抽吸装置130，之后，通过清扫管道150将清洁气体注入真空管道2，优选一定时间后切断清扫管道150，随后，再次开启抽吸装置130进行吹扫，如此清洗，可更彻底地清洗真空管道，提升真空管道的清洗效果，且还可多次重复这样的操作。所述清洁气体可选是氮气或压缩空气。

如图2所示，为了实现清扫管道150的通断，所述清扫管道150上设置有一个阀门V3，当需要通入清洁气体时，所述控制装置140控制阀门V3开启，以连接真空管道2和清扫管道150。所述清扫管道150的数量优选与离化装置120的数量相匹配，更优选与离化装置120并联设置。

进一步，所述检测装置110优选是沉积物传感器S，其可响应于真空管道2内已经积累的沉积物的量。所述沉积物传感器S的数量优选为多个并间隔布置于真空管道2上。更进一步，当任意一个沉积物传感器S所检测的沉积物的含量超过所述预设上限值时，所述开关装置便切断真空管道2与真空泵3和沉积腔1之间的连接，且相应地，所述离化装置120和抽吸装置130随之开启。所述沉积物传感器S的数量可选为2～3个，例如图2所示的3个。

若所述真空管道2具有一个或多个弯道，由于弯道处容易积累更多的沉积物，因此，优选于弯道处布置一个沉积物传感器S。

本实施例中，所述离化装置120为等离子体发生器，其能够产生化学活性较强的氟自由基(F*)，以令氟自由基与含硅元素的沉积物(如SixNy、SiO2等)反应生产易挥的物质(如SiF4)。在一个实施例中，将含氟化合物(如NF3)装入离化装置120，在离化装置120中由含氟化合物形成氟自由基，氟自由基能与不需要的沉积物反应并由此形成挥发性物质。例如，将三氟化氮(NF3)以及能形成氟自由基的自由基引发剂(如氩气Ar)装入离化装置120，进而生成氟自由基，并将氟自由基递送至真空管道2，从真空管道2除去反应的挥发性物质。

可选地，所述离化装置120具有两个输入端口和一个输出端口，一个输入端口用于装入氟自由基引发剂，另一个输入端口用于装入含氟化合物，最后反应生成的氟自由基通过输出端口输出。

在一个优选方案中，所述离化装置120的数量为两个并同时连接一根真空管道2，其中一个优选邻近真空管道2的一端设置，另一个优选邻近真空管道2的另一端设置，如此，通过正反向对真空管道2进行清洁，不仅清洁效率高，而且清洁效果好。

本实施例中，所述抽吸装置130为真空泵，其易拆卸，且在恶劣环境下的稳定性和可靠性高。当然，所述抽吸装置130还可以是真空发生器，然而相比于真空泵，其所产生的真空度相对比较低，因此，在对真空度要求高的场合，优选真空泵。

在一个较佳实施例中，所述抽吸装置130通过多个抽吸管路160与真空管道2连接，每个抽吸管路160的一端连接真空管道2，另一端连接抽吸装置130。具体地，每个抽吸管路160的另一端连接在一起后与抽吸装置130的入口连接。通过多个抽吸管路160吹扫真空管道2，可以提高吹扫效率。如图2所示，两个抽吸管路160上分别设置有一个阀门V4、V5，用于控制对应抽吸管路的通断。

在上述实施例中，所述抽吸装置130连接真空管道2的位置，还可以是相交于离化装置120连接真空管道2的位置远离真空泵3。

本实施例中，邻近离化装置120的输出端口处设置有一个阀门V6，用以控制离化装置120与真空管道2的通断。

较佳地，所述PECVD设备还包括与真空泵3的输出端连接的洗涤装置4，所述洗涤装置4用于对真空泵3排出的尾气进行无公害处理，如焚烧、化学、物理处理等，以避免工业尾气污染环境。优选地，所述抽吸装置130的出口连接洗涤装置4。可选地，在抽吸装置130和洗涤装置4之间设置一个阀门V7，而且，在真空泵3和洗涤装置4之间另设置一个阀门V8。

此外，沿着真空管道2的延伸方向还设置有加热带(未图示)，以通过加热带产生的热量避免杂质附着于管道内壁上，以确保真空管道的正常使用。另外，所述控制装置140优选包括报警模块，当真空管道2内沉积物的含量超过预设上限值或预设下限值时，透过所述报警模块发出预警，以提示是否实施清洗或结束清洗。所述报警模块例如是蜂鸣器。

<实施例二>

本实施例中提供的清洗系统与实施例一基本相同，以下仅针对不同点进行描述。

参考图3，其是本实用新型实施例二的清洗系统与PECVD设备相连接的结构框图。本实施例的真空管道2包括并联设置的多个真空管道单元，为了叙述方便，现以两个真空管道单元作为例子来描述本实施例，但不应以此作为对本实用新型的限定。本实施例的清洗系统用于对至少一个真空管道单元进行在线清洗，且清洗时，确保未清洗的真空管道单元中，未清洗的真空管道单元与真空泵3和沉积腔1连接，以实现正常的生产作业，这样的设置可以避免因清洗一根真空管道而引起的设备停机问题，保证了清洗和生产可以同时作业。

例如图3所示的清洗系统用于对其中一个真空管道单元进行在线清洗，所述真空管道2包括并联设置的主真空管道单元21和辅助真空管道单元22，所述辅助真空管道单元22的一端与主真空管道单元21的一端连接在一起后与沉积腔1连接，所述辅助真空管道单元22的另一端与主真空管道单元21的另一端连接在一起后与真空泵3连接。

在一个实施例中，一个或多个沉积物传感器S仅设置于主真空管道单元21上，用于检测主真空管道单元21内沉积物的含量，相对应地，所述离化装置120和抽吸装置130均连接主真空管道单元21以对其进行清洗作业。当然，本实用新型在此仅是举例说明，实际应用中，所述沉积物传感器S也可仅设置于辅助真空管道单元22上，用于检测辅助真空管道单元22内沉积物的含量，同时离化装置120和抽吸装置130均连接辅助真空管道单元22，以对辅助真空管道单元22进行清洗。总之，所述沉积物传感器S只要设置于其中一个真空管道单元上即可，而所述离化装置120和抽吸装置130，与检测装置110相对应地，连接同一个真空管道单元。

接着，以仅清洗主真空管道单元21来说，生产过程中，当所述主真空管道单元21内沉积物的含量超过预设上限值时，所述开关装置通过阀门V9和V10切断主真空管道单元21与真空泵3和沉积腔1之间的连接，并通过阀门V11和V12保证辅助真空管道单元22与真空泵3和沉积腔1之间的连接，进而所述离化装置120和抽吸装置130开启后，便对主真空管道单元21进行清洗。清洗的方式具体可参阅实施例一，如正反同时清洗，通过多个抽吸管路160抽吸，以及通过清扫管道150注入清洁气体至主真空管道单元21等，在此，不再详细叙述。

进而，当主真空管道2清洗完毕后，便可控制阀门V11、V12开启而切断辅助真空管道单元22，进而控制阀门V9、V10闭合而连接主真空管道单元21与真空泵3以及沉积腔1，后续生产便可利用主真空管道单元21进行生产。

<实施例三>

本实施例中提供的清洗系统与实施例二基本相同，以下仅针对不同点进行描述。

如图4所示，其是本实用新型实施例三的清洗系统与PECVD设备相连接的结构框图，图中以虚线指示各个装置与控制装置之间的通讯连接，上同。

本实施例的真空管道2包括并联设置的多个真空管道单元，为了叙述方便，现以两个真空管道单元作为例子来描述本实施例，但不应以此作为对本实用新型的限定。本实施例的清洗系统用于对其中一个真空管道单元进行在线清洗，且清洗时，确保未清洗的真空管道单元中，未清洗的真空管道单元与真空泵3和沉积腔1连接，以实现正常的生产作业，这样的设置可以避免因清洗一根真空管道而引起的设备停机问题，保证了清洗和生产可以同时作业。

本实施例中的清洗系统用于对任意一个真空管道单元进行在线清洗，每个真空管道单元上设置有一个或多个沉积物传感器S，用于对对应的真空管道单元内沉积物的含量进行检测，而且每个真空管道单元至少连接一个离化装置120和一个抽吸管路160，那么，当任意一个真空管道单元内沉积物的含量超过预设上限值时，所述开关装置便切断该真空管道单元与真空泵3和沉积腔1之间的连接，与此同时，所述离化装置120和抽吸装置130开启以对该真空管道进行清洗，这样的做法可以实现对任意一个真空管道单元的清洗，使用更为方便，生产效率更高。

具体地，以两个真空管道单元作为示意来描述和说明本实施例的清洗系统，即所述沉积物传感器S既设置于主真空管道单元21上，又设置于辅助真空管道单元22上。此外，所述离化装置120的数量在本实施例中与真空管道单元的数量相匹配，例如两个，其中一个离化装置120与主真空管道单元21连接，另一个离化装置120与辅助真空管道单元22连接。另外，所述抽吸装置130的抽吸管路160至少为两个，其中一个抽吸管路160连接主真空管道单元21，另一个抽吸管路160连接辅助真空管道单元22。

根据图4所揭示的，生产过程中，当沉积物传感器S所检测的主真空管道单元21内沉积物的含量超过预设上限值时，所述阀门V9、V10开启以切断主真空管道单元21与真空泵3和沉积腔1之间的连接，且所述阀门V4闭合以连接抽吸装置130与主真空管道单元21，另所述阀门V5开启以切断辅助真空管道22与抽吸装置130的连接，与此同时，所述阀门V11、V12闭合以实现辅助真空管道单元22与真空泵3和沉积腔1之间的连接(当然，此时，用于清洗辅助真空管道单元22的离化装置120关闭)，如此，闭合阀门V6，并开启用于清洗主真空管道单元21的离化装置120，以及抽吸装置130，便可实现对主真空管道单元21的清洗。这样的设置，一方面借助于辅助真空管道单元22可实现正常的生产作业，另一方面通过离化装置120和抽吸装置130，可对主真空管道单元21实施清洁。

反之，当沉积物传感器S所检测的辅助真空管道单元22内沉积物的含量超过预设上限值时，所述阀门V11、V12开启以切断辅助真空管道单元22与真空泵3和沉积腔1之间的连接，并同时所述阀门V9、V10闭合以实现主真空管道单元21与真空泵3和沉积腔1之间的连接，另阀门V4开启以切断抽吸装置130与主真空管道单元21的连接，而对应的阀门V5闭合以连接抽吸装置130与辅助真空管道单元22，进而，闭合阀门V6，并开启用于清洗辅助真空管道单元22的离化装置120，以及抽吸装置130，同样可实现对辅助真空管道单元22的清洗。如此一来，一方面通过主真空管道单元21实现正常的生产作业，另一方面通过离化装置120和抽吸装置130对辅助真空管道单元22实施清洁。本实施例的清洗系统，在PECVD设备使用过程中，当其中任意一根真空管道实施清洗时，另有一根真空管道可正常使用，进而当该真空管道清洗完毕时便可重新投入使用，与此同时便可对之前使用的真空管道实施清洗，如此交替，可以较大提高真空管道的在线利用率，并且还可以较大提高生产效率。

清洗的方式具体可参阅实施例一，如正反同时清洗，通过多个抽吸管路160抽吸，以及通过清扫管道150注入清洁气体至主真空管道单元21或者辅助真空管道单元22等，在此，不再详细叙述。

在其他实施例中，所述离化装置120的数量小于真空管道单元的数量，例如一个离化装置120，一个离化装置120可通过换向阀选择性连接任意一个真空管道单元，如本实施例的主真空管道单元21或辅助真空管道单元22。具体地，当清洗主真空管道单元21时，所述换向阀控制离化装置120与主真空管道单元21连接，并控制离化装置120与辅助真空管道单元22断开，而清洗辅助真空管道单元22时，所述换向阀控制离化装置120与辅助真空管道单元22连接，并控制离化装置120与主真空管道单元21断开。

同理，还可通过另一换向阀控制一个抽吸装置130选择性连接主真空管道单元21或辅助真空管道单元22，即，当清洗主真空管道单元21时，所述另一换向阀控制抽吸装置130与主真空管道单元21连接，并控制抽吸装置130与辅助真空管道单元22断开，而清洗辅助真空管道单元22时，所述另一换向阀控制抽吸装置130与辅助真空管道单元22连接，并控制抽吸装置130与主真空管道单元21断开。优选地，所述控制装置140通讯连接所述换向阀，实现对换向阀的自动控制。

综上，本实用新型较佳实施例如上所述，但并不局限于上述实施例所公开的范围，例如阀门的数量以及位置，离化装置以及抽吸管路的数量不限于两个，再例如，并联设置的真空管道单元的数量优选为两个，在满足基本需求的前提下节省成本和空间。但是，实际使用过程中，真空管道单元的数量不限于两个，若为两个以上，一旦检测装置检测到使用中的真空管道单元内沉积物的含量超过预设上限值，本申请的开关装置便切断该真空管道单元进行清洗，与此同时，在其余待用的真空管道单元中，选择其中一个真空管道单元投入使用而继续生产便可。

与现有技术相比，本实用新型的清洗系统以及化学气相沉积设备，通过检测装置实时监测真空管道内沉积物的含量，一旦真空管道内沉积物的含量超过预设上限值，通过开启离化装置便可将能够与沉积物发生反应的清洁物质引入真空管道，另通过开启抽吸装置便可以抽出真空管道内的反应物。如此一来，清洗真空管道时，免去了拆卸真空管道的麻烦，而且无需送外清洗，节省了清洗时间和清洗成本，特别地，由于本实用新型的清洗系统为在线清洗，故而可以缩短化学气相沉积设备的停机时间，提高生产效率。

更特别地，本实用新型的真空管道包括并联的多个真空管道单元，所述检测装置设置于至少一个真空管道单元上，也可以设置在不同的真空管道单元上，所述离化装置和抽吸装置可选择性地连接至少一个真空管道单元。这样，当至少一个真空管道单元内沉积物的含量超过预设上限值时，对应的真空管道单元便与化学气相沉积设备断开，并同时保证剩余真空管道单元中最多一个真空管道单元与化学气相沉积设备连接，如此，可以实现对多个并联的真空管道单元进行交替清洗的功能，从而一方面避免了因一个真空管道单元清洗而引起的化学气相沉积设备停机问题，保证了清洗和生产可以同时作业，另一方面多个真空管道单元可以交替使用，提高了生产效率，降低了维护成本。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。