22与垂直纤丝片段20相遇处或附 近（亦即，纤丝16的拐角处附近）牢固地固定于纤丝16的远端。举例而言，稳定件18可 紧固于桥22及/或垂直纤丝片段20的远端。可使用诸多方法将稳定件18紧固于纤丝16， 诸如在稳定件18的一或两端提供凹口以安装于桥22上或其上方。亦可使用销子、螺杆或 夹钳紧固稳定件18。参考图7,在一个实施例中，垂直纤丝片段20的远端为楔形以形成锥 形50,且锥形50插入稳定件18中的孔48中及/或桥22中的孔52中。孔48、52中的一或 两者可为楔形以向锥形50提供所要配合。
[0059] 在某些实施例中，稳定CVD反应器中的纤丝16的方法包括提供纤丝16对。纤丝 16自包括多个电连接（例如，位于多个夹盘14中）的反应器中的底板12延伸。各纤丝16 与底板12中的电连接中的两者电接触，且在电连接中的两者间界定导电路径。如上所述， 该方法亦包括连接纤丝16与稳定件18。
[0060] 在一些实施例中，在CVD反应器中执行CVD的方法包括使电流通过纤丝16。电流 经由电阻加热将纤丝16加热至高温（例如，大于800°C )。为加热纤丝16,施加于纤丝16 的电压可为例如约500V至约50, 000V。纤丝16达到所要温度后，施加于纤丝16的电压可 为例如约5V至约500V。该方法亦包括将多晶硅沉积于纤丝16上。
[0061] 一般而言，由于极少或无电流流过稳定件18,故许多或所有稳定件18可能不够热 以进行多晶硅沉积。在一些情况下，稳定件18上的沉积大多数在纤丝16上或纤丝16附近 进行，在此处稳定件18的温度可能足够高（例如，由于自纤丝16热传导）以进行沉积。使 用稳定件18通常不妨碍沉积工艺完成后纤丝16的收获。
[0062] 在一些实施例中，在稳定件18的一或多个部分上沉积对于电源而言是个问题。举 例而言，沿稳定件18的整个长度沉积可形成使电在纤丝16间传输或传导的路径。为使该 等问题达最小，可修改安全机构以允许在此情形下操作。如上文所提及，在一些实施例中， 藉由将稳定件穿过经电隔离的纤丝16连接可避免电流过稳定件18。
[0063] 等效物
[0064] 尽管本发明已参考特定较佳实施例进行特别展示且描述，但本领域技术人员应了 解，在不脱离如随附权利要求书所定义的本发明的精神及范畴的情况下，本发明可对形式 及细节进行各种改变。
【主权项】
1. 一种化学气相沉积反应器系统，其包含： 包含多个电连接的底板； 自该底板延伸的纤丝对，各纤丝（i)与该等电连接中的两者电接触且（ii)在该两个电 连接间界定导电路径；以及 连接该纤丝对的稳定件。2. 根据权利要求1所述的系统，其中，该稳定件包含电绝缘材料。3. 根据权利要求1所述的系统，其中，该稳定件包含至少一个电绝缘连接件。4. 根据权利要求3所述的系统，其中，该稳定件进一步包含至少一个支撑杆。5. 根据权利要求4所述的系统，其中，该电绝缘连接件包含至少一个用于承接该至少 一个支撑杆的插口。6. 根据权利要求1所述的系统，其中，该稳定件包含由中心电绝缘连接件接合的两个 外部支撑杆。7. 根据权利要求6所述的系统，其中，该等外部支撑杆中的至少一者包含硅。8. 根据权利要求6所述的系统，其中，该中心电绝缘连接件包含石英或氮化硅中的至 少一者。9. 根据权利要求1所述的系统，其中，该稳定件的长度可调节。10. 根据权利要求1所述的系统，其中，各纤丝包含： 两个垂直纤丝片段，各垂直片段包含与该等电连接中的一者电接触的近端，及远端；以 及 在该远端连接该两个垂直纤丝片段的桥。11. 根据权利要求10所述的系统，其中，该稳定件在该等垂直纤丝片段中的一者的该 远端附近连接于该等纤丝中的至少一者。12. 根据权利要求10所述的系统，其中，该稳定件在该桥处连接于该等纤丝中的至少 一者。13. 根据权利要求10所述的系统，其中，该稳定件与该桥间的稳定件角选自约20度至 约160度的范围。14. 根据权利要求13所述的系统，其中，该稳定件角选自约80度至约100度的范围。15. 根据权利要求10所述的系统，其中，各纤丝实质上为U形。16. 根据权利要求1所述的系统，其中，该稳定件及该纤丝对经配置以界定环或部分环 中的至少一者。17. 根据权利要求16所述的系统，其中，该至少一个环或部分环包含超过两个纤丝及 超过一个稳定件。18. 根据权利要求1所述的系统，其进一步包含第二纤丝对及连接该第二纤丝对的第 二稳定件，其中，该纤丝对经配置以在第一电相位起作用，且该第二纤丝对经配置以在第二 电相位起作用。19. 一种稳定化学气相沉积反应器中的纤丝的方法，该方法包含以下步骤： 提供自该化学气相沉积反应器中的底板延伸的纤丝对，该底板包含多个电连接，各纤 丝（i)与该等电连接中的两者电接触且（ii)在该两个电连接间界定导电路径；以及 连接该纤丝对与至少一个稳定件。20. 根据权利要求19所述的方法，其中，该稳定件包含电绝缘材料。21. 根据权利要求19所述的方法，其中，该稳定件包含至少一个电绝缘连接件。22. 根据权利要求21所述的方法，其中，该稳定件进一步包含至少一个支撑杆。23. 根据权利要求22所述的方法，其中，该电绝缘连接件包含至少一个用于承接该至 少一个支撑杆的插口。24. 根据权利要求19所述的方法，其中，该稳定件包含由中心电绝缘连接件接合的两 个外部支撑杆。25. 根据权利要求24所述的方法，其中，该等外部支撑杆中的至少一者包含硅。26. 根据权利要求24所述的方法，其中，该中心电绝缘连接件包含石英或氮化硅中的 至少一者。27. 根据权利要求19所述的方法，其中，该稳定件的长度可调节。28. 根据权利要求19所述的方法，其中，各纤丝包含： 两个垂直纤丝片段，各垂直片段包含与该等电连接中的一者电接触的近端，及远端；以 及 在该远端连接该两个垂直纤丝片段的桥。29. 根据权利要求28所述的方法，其中，该稳定件在该等垂直纤丝片段中的一者的该 远端附近连接于该等纤丝中的至少一者。30. 根据权利要求28所述的方法，其中，该稳定件在该桥处连接于该等纤丝中的至少 一者。31. 根据权利要求28所述的方法，其中，该稳定件与该桥间的稳定件角选自约20度至 约160度的范围。32. 根据权利要求31所述的方法，其中，该稳定件角选自约80度至约100度的范围。33. 根据权利要求28所述的方法，其中，各纤丝实质上为U形。34. -种在化学气相沉积反应器中执行化学气相沉积的方法，该方法包含： 使电流通过该化学气相沉积反应器中的纤丝对，该等纤丝自该反应器中的底板延伸， 该底板包含多个电连接，各纤丝（i)与该等电连接中的两者电接触，（ii)在该两个电连接 间界定导电路径且（iii)与稳定件连接；以及 使多晶硅沉积在该纤丝对上。
【专利摘要】在各种实施例中，本发明提供用于稳定化学气相沉积(CVD)反应器系统中的纤丝的系统、方法及装置。系统包括具有多个电连接的底板、自该底板延伸的纤丝对及连接该纤丝对的稳定件。各纤丝与该两个电连接电接触，且在该两个电连接间界定导电路径。稳定该等纤丝的方法包括提供该纤丝对，且将该纤丝对与至少一个稳定件连接。该稳定件可包括电绝缘材料。
【IPC分类】C23C16/44, C01B33/035, C23C16/24
【公开号】CN104981560
【申请号】CN201380072800
【发明人】秦文军, C·费罗, A·D·罗兹, J·C·古姆
【申请人】Gtat公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2013年12月19日
【公告号】US20140170337, WO2014100401A1