粉末冶金工艺及50Mo-Cu合金的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种粉末冶金工艺制备50MO-CU合金，尤其是一种钼铜合金的粉末冶金工艺，属于冶金工艺技术领域。
【背景技术】
[0002]Mo-Cu合金是由具有高熔点、低热膨胀系数的Mo和具有高导电率、导热率的Cu按一定配比制成的假合金，Mo与Cu互不相溶的特性使这类合金呈现出两元素物理特性的特定组合，即具有高的导热系数与电导率、低的热膨胀系数。因此，Mo-Cu合金在电触头材料、热沉材料、电子封装材料和航天高温材料等领域应用前景广阔。
[0003]由于Mo与Cu互不相溶，粉末冶金是制备Mo-Cu合金材料的主要工艺途径。目前，常用制备方法主要是采用融渗法，但这种方法只在钼含量较高的钼铜合金中使用，如85Mo-Cu，对50Mo-Cu，由于铜的含量较高，融渗时钼难以起到骨架的作用，极易产生偏析漏铜孔洞等缺陷，因此现有的融渗法无法制备低钼含量的Mo-Cu合金，如50Mo-Cu。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种粉末冶金工艺制备50Mo-Cu的方法
按照本发明提供的技术方案，所述粉末冶金工艺，其特征是，包括以下工艺步骤:
(O混粉:将钼粉和铜粉按质量比为1:1进行干混得到混合粉末，再向每1kg混合粉末中加入5?6ml粘结剂进行湿混；所述干混时电机转速为20?25转/分钟，混粉时间为10?15小时；湿混电机转速100?110转/分钟，搅拌时间为4?5小时；
(2)过筛:将步骤(I)得到的混合粉体经30目筛网过筛；
(3)烘干:将步骤(2)过筛后的混合粉体在100?105°C烘干2?3小时；
(4)冷却:将步骤(3)烘干后的混合粉体冷却至室温；
(5)过筛:将步骤(4)得到的混合粉体再次经30目筛网过筛；
(6)将步骤(5)过筛后的混合粉体经油压得到生坯，生坯厚度为3.5±0.1mm ;
(7)烧结:将步骤(6)得到的生坯在还原气氛中于1300?1350°C烧结4?4.5小时，得到熟坯，熟坯的厚度为2.8±0.1mm ；
(8)乳制:将步骤(7)烧结后的熟坯乳制成所需厚度的片材；
(9)校平:在750?780°C用铁板将乳制后的片材校平，得到片状50Mo-Cu合金成品。
[0005]进一步的，所述钼粉的粒径为费氏1.2?1.5 μm。
[0006]进一步的，所述铜粉的粒度为-300目。
[0007]本发明还提供一种50Mo_Cu合金。
[0008]本发明具有以下优点:(1)钼颗粒粒径较小，相同质量下，钼颗粒数较多，总表面积更大，烧结时更容易形成骨架；(2)在烧结过程中，优选的烧结制度使液态铜既能包裹钼颗粒，又不会发生偏析漏铜等现象。
【具体实施方式】
[0009]下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
[0010]本发明所使用的钼颗粒粒径较小，比表面积大，更容易形成骨架。在烧结过程中，液态铜将钼颗粒充分包裹且未发生偏析漏铜等现象。
[0011]实施例一:一种粉末冶金工艺，包括以下工艺步骤:
(1)混粉:将钼粉和铜粉按质量比为1:1进行干混得到混合粉末，再向每1kg混合粉末中加入5ml粘结剂进行湿混；所述干混时电机转速为20转/分钟，混粉时间为15小时；湿混电机转速100转/分钟，搅拌时间为5小时；
(2)过筛:将步骤(I)得到的混合粉体经30目筛网过筛；
(3)烘干:将步骤(2)过筛后的混合粉体在100°C烘干3小时；
(4)冷却:将步骤(3)烘干后的混合粉体冷却至室温；
(5)过筛:将步骤(4)得到的混合粉体再次经30目筛网过筛；
(6)将步骤(5)过筛后的混合粉体经油压得到生坯，生坯厚度为3.5±0.1mm ;
(7)烧结:将步骤(6)得到的生坯在还原气氛中于1300°C烧结4.5小时，得到熟坯，熟还的厚度为2.8±0.1mm ；
(8)乳制:将步骤(7)烧结后的熟坯乳制成所需厚度的片材；
(9)校平:在750°C用铁板将乳制后的片材校平，得到片状50Mo-Cu合金成品。
[0012]实施例二:一种粉末冶金工艺，包括以下工艺步骤:
(O混粉:将钼粉和铜粉按质量比为1:1进行干混得到混合粉末，再向每1kg混合粉末中加入6ml粘结剂进行湿混；所述干混时电机转速为25转/分钟，混粉时间为10小时；湿混电机转速110转/分钟，搅拌时间为4小时；
(2)过筛:将步骤(I)得到的混合粉体经30目筛网过筛；
(3)烘干:将步骤(2)过筛后的混合粉体在105°C烘干2小时；
(4)冷却:将步骤(3)烘干后的混合粉体冷却至室温；
(5)过筛:将步骤(4)得到的混合粉体再次经30目筛网过筛；
(6)将步骤(5)过筛后的混合粉体经油压得到生坯，生坯厚度为3.5±0.1mm ;
(7)烧结:将步骤(6)得到的生坯在还原气氛中于1350°C烧结4小时，得到熟坯，熟坯的厚度为2.8 ± 0.1mm;
(8)乳制:将步骤(7)烧结后的熟坯乳制成所需厚度的片材；
(9)校平:在780°C用铁板将乳制后的片材校平，得到片状50Mo-Cu合金成品。
[0013]实施例三:一种粉末冶金工艺，包括以下工艺步骤:
(1)混粉:将钼粉和铜粉按质量比为1:1进行干混得到混合粉末，再向每1kg混合粉末中加入5.5ml粘结剂进行湿混；所述干混时电机转速为20转/分钟，混粉时间为10小时；湿混电机转速105转/分钟，搅拌时间为4.5小时；
(2)过筛:将步骤(I)得到的混合粉体经30目筛网过筛；
(3)烘干:将步骤(2)过筛后的混合粉体在105°C烘干2.5小时；
(4)冷却:将步骤(3)烘干后的混合粉体冷却至室温；
(5)过筛:将步骤(4)得到的混合粉体再次经30目筛网过筛； (6)将步骤(5)过筛后的混合粉体经油压得到生坯，生坯厚度为3.5±0.1mm ;
(7)烧结:将步骤(6)得到的生坯在还原气氛中于1300°C烧结4小时，得到熟坯，熟坯的厚度为2.8 ± 0.1mm;
(8)乳制:将步骤(7)烧结后的熟坯乳制成所需厚度的片材；
(9)校平:在750°C用铁板将乳制后的片材校平，得到片状50Mo-Cu合金成品。
【主权项】
1.一种粉末冶金工艺，其特征是，包括以下工艺步骤: (1)混粉:将钼粉和铜粉按质量比为1:1进行干混得到混合粉末，再向每1kg混合粉末中加入5?6ml粘结剂进行湿混；所述干混时电机转速为20?25转/分钟，混粉时间为10?15小时；湿混电机转速100?110转/分钟，搅拌时间为4?5小时； (2)过筛:将步骤(I)得到的混合粉体经30目筛网过筛； (3)烘干:将步骤(2)过筛后的混合粉体在100?105°C烘干2?3小时； (4)冷却:将步骤(3)烘干后的混合粉体冷却至室温； (5)过筛:将步骤(4)得到的混合粉体再次经30目筛网过筛； (6)将步骤(5)过筛后的混合粉体经油压得到生坯，生坯厚度为3.5±0.1mm ; (7)烧结:将步骤(6)得到的生坯在还原气氛中于1300?1350°C烧结4?4.5小时，得到熟坯，熟坯的厚度为2.8±0.1mm ； (8)乳制:将步骤(7)烧结后的熟坯乳制成所需厚度的片材； (9)校平:在750?780°C用铁板将乳制后的片材校平，得到片状50Mo-Cu合金成品。2.如权利要求1所述的粉末冶金工艺，其特征是:所述钼粉的粒径为费氏1.2?1.5 μ mD3.如权利要求1所述的粉末冶金工艺，其特征是:所述铜粉的粒度为-300目。4.一种采用如权利要求1?3任一项所述工艺制备得到的50Mo-Cu合金。
【专利摘要】本发明涉及一种粉末冶金工艺制备50Mo-Cu，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）将钼粉和铜粉按质量比1:1干混后，再加入粘结剂进行湿混；（2）将步（1）得到的混合粉体经30目筛网过筛；（3）烘干；（4）冷却；（5）再次经30目筛网过筛；（6）将步骤（5）得到的混合粉体油压得到生坯，生坯厚度为3.5±0.1mm；（7）烧结：将步骤（6）得到的生坯在烧结炉中用还原气氛以1300～1350℃烧结4～4.5小时，得到熟坯，熟坯厚度为2.8±0.1mm；（8）轧制：将步骤（7）烧结后的熟坯轧制成所需厚度的片材；（9）校平：在750～780℃用铁板将轧制后的片材校平，得到片状50Mo-Cu合金成品。
【IPC分类】C22C9/00, B22F3/16, B22F3/18
【公开号】CN105014076
【申请号】CN201510448616
【发明人】陈永明
【申请人】无锡乐普金属科技有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年7月28日