芯片溅镀治具及溅镀方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种芯片溅镀治具以及使用该治具进行芯片溅镀的方法。
【背景技术】
[0002]芯片，作为计算机、手机等电子设备的重要组成部件，是一种内部含有集成电路、体积较小的硅片结构。芯片多为立方体结构，在制作的过程中需要对芯片除底面以外的其余五个表面进行溅镀金属薄膜，以保护芯片，底面作为焊接面，不需要溅镀薄膜。
[0003]传统的溅镀方式，使用胶水涂抹在芯片的底面上，然后对其进行溅镀，过炉后使用化学清洗剂将底面胶水去除，传统的工艺方法不仅制作成本较高，且对清洗后的药水若不有效处理，对周围环境造成极大的污染，溅镀后再清洗，流程繁琐，生产效率低下。
【发明内容】
[0004]为了克服现有技术的缺点，本发明提供了芯片溅镀治具及溅镀方法。
[0005]本发明技术方案如下:
芯片溅镀治具，包括底纸层和双面胶层，所述底纸层包括上底纸和下底纸，所述上底纸和下底纸之间设有双面胶层，所述底纸层和双面胶层上均设有方形的直通孔，每一个直通孔对应一个芯片的放置区，所述直通孔的尺寸规格小于与芯片的尺寸规格，所述底纸层和双面胶层上均设有定位孔。
[0006]作为优选的，所述双面胶层由亚克力发泡胶制成。
[0007]作为优选的，所述双面胶层包括亚克力发泡胶层和硅胶层三，所述亚克力发泡胶层由亚克力发泡胶制成，所述硅胶层三由硅胶制成，所述亚克力发泡胶层和硅胶层三之间设有耐高温麦拉片。
[0008]作为优选的，所述双面胶层包括硅胶层一和硅胶层二，所述硅胶层一和硅胶层二均由硅胶制成，所述硅胶层一和硅胶层二之间设有耐高温麦拉片。
[0009]芯片溅镀方法，该溅镀方法包括如下步骤:
步骤一、揭开一面底纸层，根据定位孔将溅镀治具贴合于过炉制具上；
步骤二、揭开另一面底纸层，通过SMT贴片工艺，将芯片对应直通孔位置贴合，由于双面胶层的黏贴作用，芯片被固定在溅镀治具上；
步骤三、将过炉制具、溅镀治具和芯片一起放进隧道炉进行溅镀；
步骤四、将溅镀后的芯片、过炉制具和溅镀治具一同取出后放置常温；
步骤五、使用顶针从过炉制具的底部将芯片顶出，芯片与溅镀治具相分离。
[0010]本发明有益效果在于:相比于现有技术，本发明使用时，将溅镀治具的一面通过定位孔贴合于过炉制具上，溅镀治具的另一面贴合芯片，由于芯片的底面与溅镀治具相贴合，溅镀时则不需要金属薄膜溶入，实现了芯片五面溅镀的新工艺；在此过程中，免去了胶水以及清洗药水的使用，使得芯片生产更为环保；同时大大降低了生产成本，也避免了清洗芯片的复杂流程，大大提高了溅镀效率。
【附图说明】
[0011]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0012]图1是本发明实施例1的结构示意图。
[0013]图2是本发明实施例1的结构示意图。
[0014]图3是本发明实施例2的结构示意图。
[0015]图4是本发明方法中双面胶层与过炉治具贴合时结构示意图。
[0016]图5是本发明方法中芯片与双面胶层贴合时结构示意图。
[0017]图6是本发明方法中芯片被顶针顶出的结构示意图。
[0018]其中:1、上底纸；2、双面胶层；21、耐高温麦拉片；22、亚克力发泡胶层；23、硅胶层一 ；24、硅胶层二 ；25、硅胶层三；3、下底纸；4、直通孔；5、定位孔；6、过炉制具；7、芯片；8、顶针。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
[0020]实施例1，参阅图1。
[0021 ] 芯片溅镀治具，包括底纸层和双面胶层2，所述底纸层包括上底纸I和下底纸3，所述上底纸I和下底纸3之间设有双面胶层2，所述底纸层和双面胶层2上均设有方形的直通孔4，每一个直通孔4对应一个芯片的放置区，所述直通孔4的尺寸规格小于与芯片7的尺寸规格，所述底纸层和双面胶层2上均设有定位孔5。
[0022]所述双面胶层2由亚克力发泡胶制成。
[0023]该溅镀方法包括如下步骤:
步骤一、揭开一面底纸层，根据定位孔5将溅镀治具的双面胶层2贴合于过炉制具6
上;
步骤二、参阅图4和图5，揭开另一面底纸层，通过SMT贴片工艺，将芯片7对应直通孔4位置与亚克力发泡胶22相贴合，由于双面胶层2的黏贴作用，芯片7被固定在溅镀治具上;
步骤三、将过炉制具6、溅镀治具和芯片7 —起放进隧道炉进行溅镀；
步骤四、将溅镀后的芯片7、过炉制具6和溅镀治具一同取出后放置常温；
步骤五、参阅图6使用顶针8从过炉制具6的底部将芯片7顶出，芯片7与溅镀治具相分离。
[0024]实施例2，参阅图2。
[0025]芯片溅镀治具，包括底纸层和双面胶层2，所述底纸层包括上底纸I和下底纸3，所述上底纸I和下底纸3之间设有双面胶层2，所述底纸层和双面胶层2上均设有方形的直通孔4，每一个直通孔4对应一个芯片的放置区，所述直通孔4的尺寸规格小于与芯片7的尺寸规格，所述底纸层和双面胶层2上均设有定位孔5。
[0026]所述双面胶层2包括亚克力发泡胶层22和硅胶层三25，所述亚克力发泡胶层22由亚克力发泡胶制成，所述硅胶层三25由硅胶制成，所述亚克力发泡胶层22和硅胶层三25之间设有耐高温麦拉片21，其中耐高温麦拉片21起到支撑双面胶层2的作用。
[0027]该溅镀方法包括如下步骤:
步骤一、揭开一面底纸层，根据定位孔5将溅镀治具的硅胶层三25贴合于过炉制具6
上;
步骤二、参阅图4和图5，揭开另一面底纸层，通过SMT贴片工艺，将芯片7对应直通孔4位置与亚克力发泡胶层22相贴合，由于双面胶层2的黏贴作用，芯片7被固定在溅镀治具上;
步骤三、将过炉制具6、溅镀治具和芯片7 —起放进隧道炉进行溅镀；
步骤四、将溅镀后的芯片7、过炉制具6和溅镀治具一同取出后放置常温；
步骤五、参阅图6使用顶针8从过炉制具6的底部将芯片7顶出，芯片7与溅镀治具相分离。
[0028]实施例3，参阅图3。
[0029]芯片溅镀治具，包括底纸层和双面胶层2，所述底纸层包括上底纸I和下底纸3，所述上底纸I和下底纸3之间设有双面胶层2，所述底纸层和双面胶层2上均设有方形的直通孔4，每一个直通孔4对应一个芯片的放置区，所述直通孔4的尺寸规格小于与芯片7的尺寸规格，所述底纸层和双面胶层2上均设有定位孔5。
[0030]所述双面胶层2包括娃胶层一 23和娃胶层二 24，所述娃胶层一 23和娃胶层二 24均有硅胶制成，所述硅胶层一 23和硅胶层二 24之间设有耐高温麦拉片21，其中耐高温麦拉片21起到支撑双面胶层2的作用。
[0031 ] 该溅镀方法包括如下步骤:
步骤一、揭开一面底纸层，根据定位孔5将溅镀治具的硅胶层一 23贴合于过炉制具6
上;
步骤二、参阅图4和图5，揭开另一面底纸层，通过SMT贴片工艺，将芯片7对应直通孔4位置与硅胶层二 24相贴合，由于双面胶层2的黏贴作用，芯片7被固定在溅镀治具上；步骤三、将过炉制具6、溅镀治具和芯片7 —起放进隧道炉进行溅镀；
步骤四、将溅镀后的芯片7、过炉制具6和溅镀治具一同取出后放置常温；
步骤五、参阅图6使用顶针8从过炉制具6的底部将芯片7顶出，芯片7与溅镀治具相分呙。
[0032]上述附图及实施例仅用于说明本发明，任何所属技术领域普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，或改用其他花型做此技术上的改变，都皆应视为不脱离本发明专利范畴。
【主权项】
1.芯片溅镀治具，其特征在于:包括底纸层和双面胶层(2)，所述底纸层包括上底纸(I)和下底纸(3)，所述上底纸(I)和下底纸(3)之间设有双面胶层(2)，所述底纸层和双面胶层(2)上均设有方形的直通孔(4)，每一个直通孔(4)对应一个芯片(7)的放置区，所述直通孔(4)的尺寸规格小于与芯片(7)的尺寸规格，所述底纸层和双面胶层(2)上均设有定位孔(5)。2.如权利要求1所述的芯片溅镀治具，其特征在于:所述双面胶层(2)由亚克力发泡胶制成。3.如权利要求1所述的芯片溅镀治具，其特征在于:所述双面胶层(2)包括亚克力发泡胶层(22)和硅胶层三(25)，所述亚克力发泡胶层(22)由亚克力发泡胶制成，所述硅胶层三(25)由硅胶制成，所述亚克力发泡胶层(22)和硅胶层三(25)之间设有耐高温麦拉片(21)。4.如权利要求1所述的芯片溅镀治具，其特征在于:所述双面胶层(2)包括硅胶层一(23)和硅胶层二(24)，所述硅胶层一(23)和硅胶层二(24)均由硅胶制成，所述硅胶层一(23)和硅胶层二(24)之间设有耐高温麦拉片(21 )。5.使用如权利要求1所述的芯片溅镀治具的溅镀方法，其特征在于，该溅镀方法包括如下步骤: 步骤一、揭开一面底纸层，根据定位孔(5)将溅镀治具贴合于过炉制具(6)上； 步骤二、揭开另一面底纸层，通过SMT贴片工艺，将芯片(7)对应直通孔(4)位置贴合，由于双面胶层(2)的黏贴作用，芯片(7)被固定在溅镀治具上； 步骤三、将过炉制具(6)、溅镀治具和芯片(7) —起放进隧道炉进行溅镀； 步骤四、将溅镀后的芯片(7)、过炉制具(6)和溅镀治具一同取出后放置常温； 步骤五、使用顶针(8)从过炉制具(6)的底部将芯片(7)顶出，芯片(7)与溅镀治具相分离。
【专利摘要】本发明涉及一种芯片溅镀治具以及使用该治具进行芯片溅镀的方法。包括底纸层和双面胶层，所述底纸层包括上底纸和下底纸，所述上底纸和下底纸之间设有双面胶层，所述底纸层和双面胶层上均设有方形的直通孔，每一个直通孔对应一个芯片的放置区，所述直通孔的大小与芯片尺寸大小相对应，所述底纸层和双面胶层上均设有定位孔。本发明溅镀时则不需要金属薄膜溶入，实现了芯片五面溅镀的新工艺，芯片生产更为环保，同时大大降低了生产成本，也避免了清洗芯片的复杂流程，大大提高了溅镀效率。
【IPC分类】C23C14/34, C23C14/04, H01L21/67
【公开号】CN105154824
【申请号】CN201510682124
【发明人】姜志良
【申请人】丰盛印刷（苏州）有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年10月21日