真空离子镀膜系统的制作方法

文档序号:8558025阅读:173来源:国知局
真空离子镀膜系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种镀膜生产装置,具体地说是一种真空离子镀膜系统。
【背景技术】
[0002]镀膜技术已经应用于人们的日常生活和工业各个领域,现有技术中制备金黄色的TiN膜、黑色的TiC膜、棕色的TiAlN膜和绿色的ZrO膜过程中,通常都需要采用真空离子镀膜技术,现有的真空离子镀膜设备一般包括炉体主机、抽气系统、电控柜三部分组成,现有的这种结构,生产效率低,生产过程复杂,镀膜质量差,设备成本以及人工成本高。

【发明内容】

[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、设备成本低,镀膜质量好的真空离子镀膜系统。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型的真空离子镀膜系统,包括真空镀膜室,真空镀膜室内设置有离子发射源,真空镀膜室的左右两侧分别设置有一个前密封室和一个后密封室,后密封室后方设置有保温室,所述前密封室的前方设置有前过渡室,保温室的后方设置有后过渡室,还包括位于前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内的输送装置,待镀膜的板材能够通过输送装置依次进入到前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内;所述真空镀膜室的一侧设置有用于抽真空的真空泵。
[0005]所述离子发射源设置有5个以上。
[0006]所述前密封室和后密封室内分别设置有密封门,各个密封门上均设置有感应开关,所述感应开关检测到板材进入进出状况后能够启闭密封室使板材进入前密封室或送出后S封室。
[0007]采用上述的结构后,一方面,通过离子源发射等离子体加热膜料,使膜料成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上,另外一方面,设置的密封室起到很好的密封作用,有利于提高镀膜的质量,设置的保温室,一方面可以起到加温作用,进一步增强镀膜强度,更重要的是可以在镀完膜后出炉过程中使其具有过渡作用,有利于提高镀膜强度和镀膜质量。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型真空离子镀膜系统的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面垫结合具体实施例对本实用新型的真空离子镀膜系统作详尽说明。
[0010]如图1所示,本实用新型的真空离子镀膜系统,包括真空镀膜室,真空镀膜室内设置有离子发射源,真空镀膜室的左右两侧分别设置有一个前密封室和一个后密封室,后密封室后方设置有保温室,所述前密封室的前方设置有前过渡室,保温室的后方设置有后过渡室,还包括位于前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内的输送装置,待镀膜的板材能够通过输送装置依次进入到前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内;所述真空镀膜室的一侧设置有用于抽真空的真空泵;离子发射源设置有5个以上,前密封室和后密封室内分别设置有密封门,各个密封门上均设置有感应开关,所述感应开关检测到板材进入进出状况后能够启闭密封室使板材进入前密封室或送出后密封室。
【主权项】
1.一种真空离子镀膜系统,其特征在于:包括真空镀膜室,真空镀膜室内设置有离子发射源,真空镀膜室的左右两侧分别设置有一个前密封室和一个后密封室,所述后密封室后方设置有保温室,所述前密封室的前方设置有前过渡室,保温室的后方设置有后过渡室,还包括位于前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内的输送装置,待镀膜的板材能够通过输送装置依次进入到前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内;所述真空镀膜室的一侧设置有用于抽真空的真空泵。
2.按照权利要求1所述的真空离子镀膜系统,其特征在于:所述离子发射源设置有5个以上。
3.按照权利要求1所述的真空离子镀膜系统,其特征在于:所述前密封室和后密封室内分别设置有密封门,各个密封门上均设置有感应开关,所述感应开关检测到板材进入进出状况后能够启闭密封室使板材进入前密封室或送出后密封室。
【专利摘要】本实用新型是一种真空离子镀膜系统。包括真空镀膜室,真空镀膜室内设置有离子发射源,真空镀膜室的左右两侧分别设置有一个前密封室和一个后密封室,后密封室后方设置有保温室,前密封室的前方设置有前过渡室,保温室的后方设置有后过渡室,还包括位于前过渡室、前密封室、真空镀膜室、后密封室、保温室、后过渡室内的输送装置,待镀膜的板材能够通过输送装置依次进入到各个室内;真空镀膜室的一侧设置有真空泵。采用上述的结构后,使膜料成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上,有利于提高镀膜的质量,设置的保温室,起到加温作用,进一步增强镀膜强度,更重要的是可以在镀完膜后出炉过程中使其具有过渡作用,有利于提高镀膜强度和镀膜质量。
【IPC分类】C23C14-32, C23C14-56
【公开号】CN204265833
【申请号】CN201420729923
【发明人】石芳萍
【申请人】深圳市炬宇泰科技有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年11月29日
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